半导体封装制造技术

一种半导体封装包括连接基板，位于封装基板上并且具有穿透其的开口。芯片堆叠位于封装基板上并且位于开口中。再分布层位于连接基板和芯片堆叠上。上半导体芯片位于再分布层的第一再分布焊盘上。外部端子位于封装基板的底表面上。芯片堆叠包括位于封装基板的基板焊盘上的第一半导体芯片、以及位于第一半导体芯片和再分布层的第二再分布焊盘上的第二半导体芯片。再分布层包括与上半导体芯片重叠的第一区和在上半导体芯片旁边的第二区。第一再分布焊盘位于第一区上。第二再分布焊盘位于第二区上。上。上。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年8月18日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10
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2021
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0108659的优先权，其公开内容由此通过引用全部并入。


[0003]本专利技术构思涉及半导体封装和/或其制造方法。

技术介绍

[0004]随着电子工业的发展，电子产品对于高性能、高速度和紧凑尺寸的需求不断增长。为了满足该趋势，最近已经开发了将多个半导体芯片安装在单个封装中的封装技术。
[0005]提供半导体封装来实现有资格在电子产品中使用的集成电路芯片。通常，在半导体封装中，半导体芯片安装在印刷电路板(PCB)上，并且使用接合线或焊块将半导体芯片电连接到印刷电路板。随着近来电子工业的发展，半导体封装得以多样的开发以实现紧凑尺寸、轻重量和/或低制造成本的目标。此外，出现了多种类型的半导体封装，其应用领域扩展到诸如大容量存储设备。

技术实现思路

[0006]本专利技术构思的一些实施例提供了紧凑尺寸的半导体封装。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：封装基板；连接基板，位于所述封装基板上并且具有穿透所述连接基板的开口；芯片堆叠，位于所述封装基板上并且位于所述连接基板的所述开口中；再分布层，位于所述连接基板和所述芯片堆叠上；上半导体芯片，位于所述再分布层的第一再分布焊盘上；以及多个外部端子，位于所述封装基板的底表面上，其中，所述芯片堆叠包括：第一半导体芯片，位于所述封装基板的基板焊盘上；以及第二半导体芯片，位于所述第一半导体芯片上并且位于所述再分布层的第二再分布焊盘上，其中，所述再分布层包括：与所述上半导体芯片重叠的第一区；以及在所述上半导体芯片旁边的第二区，其中，所述第一再分布焊盘位于所述第一区上，并且其中，所述第二再分布焊盘位于所述第二区上。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述上半导体芯片具有比所述第二半导体芯片的宽度小的宽度，当在平面图中观察时，所述上半导体芯片在所述第二半导体芯片的周边内，并且所述第二区包围所述第一区。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述上半导体芯片在与所述再分布层的顶表面平行的第一方向上跨越所述第二半导体芯片，并且所述第二区在与所述第一方向相交的第二方向上位于所述第一区的至少一侧。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述上半导体芯片在与所述再分布层的顶表面平行的第一方向上从所述第二半导体芯片偏移，并且所述第一区在所述第一方向上偏离所述第二区。5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一再分布焊盘中的至少一个与所述第二半导体芯片重叠，并且所述第二再分布焊盘与所述上半导体芯片不重叠。6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述上半导体芯片包括面向所述再分布层的第一有源表面，并且在所述上半导体芯片与所述再分布层之间所述上半导体芯片的第一芯片端子连接到所述第一再分布焊盘，并且所述第二半导体芯片包括面向所述再分布层的第二有源表面，并且在所述第二半导体芯片与所述再分布层之间所述第二半导体芯片的第二芯片端子连接到所述第二再分布焊盘。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述再分布层包括：电介质图案；
位于所述电介质图案的顶表面上的所述第一再分布焊盘和所述第二再分布焊盘；以及保护层，位于所述电介质图案的所述顶表面上，所述保护层覆盖所述第一再分布焊盘和所述第二再分布焊盘。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述再分布层包括：电介质图案；位于所述电介质图案的顶表面上的所述第一再分布焊盘和所述第二再分布焊盘；保护层，位于所述电介质图案的顶表面上并且覆盖所述第一再分布焊盘和所述第二再分布焊盘；以及第三再分布焊盘，位于所述保护层上并且通过竖直连接通孔连接到所述第一再分布焊盘，其中，所述上半导体芯片的上芯片端子直接连接到所述第三再分布焊盘，并且其中，所述第二半导体芯片的第二芯片端子穿透所述电介质图案以直接连接到所述第二再分布焊盘。9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述上半导体芯片设置有多个，并且所述再分布层的所述第二区在多个上半导体芯片之间。10.一种半导体封装，包括：封装基板；再分布层，位于所述封装基板上；连接基板，所述连接基板将所述封装基板连接到所述再分布层，所述连接基板具有竖直地穿透所述连接基板的开口；第一半导体芯片，位于所述连接基板的所述开口中，所述第一半导体芯片的第一有源表面与所述封装基板接触；第二半导体芯片，位于所述连接基板的所述开口中，所述第二半导体芯片的第二有源表面与所述再分布层接触；以及第三半导体芯片，位于所述再分布层上，其中，所述再分布层包括：电介质图案；第一再分布焊盘和第二再分布焊盘，位于所述电介质图案的顶表面上；第一再分布通孔，所述第一再分布通孔竖直地穿透所述电介质图案以将所述第一再分布焊盘连接到所述第二半导体芯片的芯片焊盘；以及保护层，位于所述电介质图案的顶...

【专利技术属性】
技术研发人员：金俊成，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：