【技术实现步骤摘要】
存储器控制器、存储器系统以及存储器控制器的操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并要求于2021年8月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0108179的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体地并入本文。
[0003]本公开涉及一种存储器控制器，并且更具体地，涉及一种计算最佳读取电平的存储器控制器、一种包括存储器控制器的存储器系统、以及一种存储器控制器的操作方法。
技术介绍
[0004]作为非易失性存储器的闪存即使在电源中断时也可以保持存储在其中的数据。诸如固态驱动器(SSD)和存储卡的包括闪存的存储装置被广泛地使用，并且存储装置可用于存储或移动大量数据。
[0005]当闪存的数据存储容量增加并且存储在每个存储单元中的位数增加时，可以减小多个阈值电压分布之间的空白(margin)。因此，为了减少数据读取处理中的错误，需要能够标识多个阈值电压分布的最佳读取电平计算。然而，由于在读取处理中生成的噪声以及如上所...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种被配置为控制存储器件的存储器控制器，所述存储器控制器包括：处理器，所述处理器被配置为控制对所述存储器件的存储器操作；以及读取电平计算模块，所述读取电平计算模块被配置为：接收基于对使用多个电平读取的数据的计数操作生成的N个计数值，所述N个计数值分别对应于N个读取电平，以从所述N个读取电平选择的选定读取电平作为输入并且以与所述选定读取电平相对应的计数值作为输出，建模出至少两个单元计数函数，并且基于从所述至少两个单元计数函数选择的最佳单元计数函数来计算最佳读取电平，其中，N是等于或大于四的整数，其中，所述N个计数值包括与不同的至少四个读取电平相对应的计数值。2.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述读取电平计算模块进一步被配置为：针对所述至少两个单元计数函数中的每一个单元计数函数，计算以所述N个读取电平作为输入计算出的估计计数值与所述N个计数值之间的差值，并且选择所述至少两个单元计数函数中的具有最小平均误差值的单元计数函数作为所述最佳单元计数函数，其中，所述最小平均误差值基于所述差值被计算。3.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述至少两个单元计数函数中的每一个单元计数函数对应于二次函数，并且每个单元计数函数是基于所述N个读取电平中的三个选定读取电平以及分别与所述三个选定读取电平相对应的三个计数值被建模出的。4.根据权利要求3所述的存储器控制器，其中，所述至少两个单元计数函数的数目对应于从所述N个读取电平选择的三个读取电平的所有组合的数目。5.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述N个计数值中的第一计数值对应于通过使用所述多个电平中的第一电平读取的数据的接通单元的第一数目与通过使用所述多个电平中的第二电平读取的数据的接通单元的第二数目之间的差值，并且所述第二电平小于所述第一电平。6.根据权利要求5所述的存储器控制器，其中，与所述第一计数值相对应的第一读取电平是所述第一电平和所述第二电平中的任何一者，或是所述第一电平与所述第二电平之间的一个任意电平。7.根据权利要求1所述的存储器控制器，还包括纠错码电路，所述纠错码电路检测从所述存储器件读取的数据的错误，其中，所述读取电平计算模块被进一步配置为：当在从所述存储器件读取的数据中发生不可纠正的错误时，执行计算所述最佳读取电平的操作。8.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述读取电平计算模块包括：建模模块，所述建模模块被配置为：基于所述N个读取电平以及与其相对应的所述N个计数值，建模出所述至少两个单元计数函数；误差比较模块，所述误差比较模块被配置为：基于所述至少两个单元计数函数中的每一个单元计数函数的、使用所述N个读取电平作为输入计算出的估计计数值与所述N个计数值之间的差值，选择所述至少两个单元计数函数中的一者作为所述最佳单元计数函数；以
及运算模块，所述运算模块被配置为：基于所述最佳单元计数函数来计算所述最佳读取电平。9.根据权利要求1所述的存储器控制器，还包括工作存储器，所述工作存储器被配置为存储由所述处理器运行的程序，其中，所述读取电平计算模块包括用于计算所述最佳读取电平的程序，并且所述读取电平计算模块被加载在所述工作存储器中并且由所述处理器运行。10.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述读取电平计算模块进一步被配置为：选择与使得所述最佳单元计数函数的输出具有最小值的输入相对应的读取电平作为所述最佳读取电平。11.根据权利要求1所述的存储器控制器，还包括计数逻辑，所述计数逻辑被...
【专利技术属性】
技术研发人员：鲁官宇，宋弦钟，李伟植，孙弘乐，申东旻，崔城赫，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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