基于二维半导体的固态源掺杂方法及二维半导体晶体管技术

本发明专利技术提供了一种基于二维半导体的固态源掺杂方法和二维半导体晶体管，该固态源掺杂方法，包括如下步骤：提供基底；在所述基底上制备二维半导体材料层；对所述二维半导体材料层远离所述基底的表面进行表面改性处理；在所述二维半导体材料层远离所述基底的表面上蒸镀固态活性源金属层；在所述固态活性源金属层上蒸镀常规金属层；对所述固态活性源金属层和所述常规金属层进行退火处理，得到二维半金属/金属材料层。根据本发明专利技术的固态源掺杂方法避免了常规金属直接蒸镀产生的费米钉扎效应，可以形成欧姆接触，以较低的成本解决高电阻触点的问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
基于二维半导体的固态源掺杂方法及二维半导体晶体管


[0001]本专利技术具体涉及一种基于二维半导体的固态源掺杂方法及二维半导体晶体管，属于二维半导体


技术介绍

[0002]硅基技术即将达到摩尔定律的物理极限，集成电路晶体管等比例缩小的速度持续降低，其收益受限于工艺成本和良品率也逐渐收窄，此外，硅基集成电路由于单位集成度提升与电流密度提高使得单位面积的功耗迅速提高，散射问题伴随而来的“功耗墙”问题愈发严重，这些问题在亚10nm先进节点中越来越尖锐。二维半导体材料由于其原子级超薄的特性，可以延续摩尔定律，有望可以打破“功耗墙”问题，进一步提高性能，降低功耗。由于3D(三维)集成芯片形式的堆叠晶体管可以缓解内存带宽问题或“内存墙”，业内认为半摩尔定律的未来将由3D集成芯片驱动，3D集成芯片也可能彻底改变设计和布线方法。其中二维半导体可能是创建此类3D集成芯片的关键解决方案，因为它们可以在低温下轻松生长，同时保持电气特性完好无损，但是高电阻触点一直是采用二维半导体的障碍。
[0003]对于半导体材料晶体管，常规金属与二维半导体材料通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于二维半导体的固态源掺杂方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基底；在所述基底上制备二维半导体材料层；对所述二维半导体材料层远离所述基底的表面进行表面改性处理；在所述二维半导体材料层远离所述基底的表面上蒸镀固态活性源金属层；在所述固态活性源金属层上蒸镀常规金属层；对所述固态活性源金属层和所述常规金属层进行退火处理，得到二维半金属/金属材料层。2.根据权利要求1所述的一种基于二维半导体的固态源掺杂方法，其特征在于，所述表面改性处理包括采用超低功率(1
‑
100w)软等离子体轰击所述二维半导体材料层远离所述基底的表面。3.根据权利要求1所述的一种基于二维半导体的固态源掺杂方法，其特征在于，所述退火处理采用从250℃到600℃退火2
‑
60s的快速退火方式。4.根据权利要求1至3中任一所述的一种基于二维半导体的固态源掺杂方法，其特征在于，所述二维半导体材料层包括硒化铟(InSe)，二硫化钼(MoS2)，二硒化铟(MoSe2)，二硫化钨(WS2)，二硒化钨(WSe2)，碲化钼(MoTe2)，黑磷(BP)，硅烯(Siliene)，锗烯(Germanene)，碲烯(Tellurene)，离子型层状半导体材料(Bi2O2X，X＝S或Se)中的任意一种或其组合。5.根据权利要求1至3中任一所述的一种基于二维半导体的固态源掺杂方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜建峰，邱晨光，彭练矛，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：