三维存储器装置中的数据线制造方法及图纸

本公开涉及三维存储器装置中的数据线。各种应用可包含具有存储器装置的设备，所述存储器装置具有用于所述存储器装置的存储器胞元的垂直串阵列及耦合到所述垂直串的数据线，其中所述数据线已通过金属衬层沉积过程形成。在所述金属衬层沉积中，可在图案化电介质区上形成金属。所述金属衬层沉积过程允许通过选择用于形成金属衬层的所述电介质区的厚度来很好地控制所述数据线的高度的构造。金属衬层沉积的使用提供一种受控机制以通过能够在形成所述数据线时选择衬层厚度来减小数据线电容。所述电介质区与所述金属衬层沉积的使用可允许制造所述数据线以避免双节距或四节距过程。制造所述数据线以避免双节距或四节距过程。制造所述数据线以避免双节距或四节距过程。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器装置中的数据线


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器系统，且更具体来说，涉及存储器装置及其形成。

技术介绍

[0002]存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)等。非易失性存储器可在未供电时保存所存储数据且包含快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、静态RAM(SRAM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁阻式随机存取存储器(MRAM))或三维(3D)XPoint
TM
存储器等。
[0003]快闪存储器用作各种电子应用的非易失性存储器。快闪存储器装置通常包含允许高存储器密度、高可靠性及低功耗的一或多个群组的单晶体管、浮动栅极或电荷俘获存储器胞元。两种常见类型的快闪存储器阵列架构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成存储器装置的方法，所述方法包括：跨所述存储器装置的存储器胞元的垂直串阵列的触点及在所述触点上形成电介质层，使得所述电介质层中的开口至少部分暴露所述阵列的选定相邻垂直串的触点；在所述电介质层上形成导电材料，包含在界定所述开口的垂直壁上及在所述开口中所述选定相邻垂直串的所述部分暴露触点之间的暴露区上；从所述电介质层的顶部及从所述开口中所述选定相邻垂直串的所述触点之间的所述先前暴露区之上移除所述导电材料以使所述导电材料的部分留在所述垂直壁上；及通过处理所述垂直壁上的所述导电材料的所述部分来形成用于存储器胞元的所述垂直串阵列的数据线。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包含通过使用图案从所述选定相邻垂直串的触点之间的区之上完全移除所述电介质层来在所述电介质层中形成所述开口。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包含在跨所述存储器装置的存储器胞元的所述垂直串阵列的所述触点及在所述触点上形成所述电介质层时通过控制所述电介质层的厚度来形成具有选定高度的所述数据线。4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述导电材料包含通过原子层沉积形成所述导电材料。5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述电介质层上及在所述开口中相邻垂直串的所述触点之间的所述先前暴露区上形成所述导电材料包含形成金属衬层。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述方法包含通过控制所述金属衬层的厚度来形成具有相关联电容范围的所述数据线。7.根据权利要求5所述的方法，其中所述金属衬层包含钌。8.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述数据线包含成对地在回路中形成所述导电材料及移除回路端部。9.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述导电材料包含选择性蚀刻所述导电材料以使所述导电材料的部分留在所述垂直壁上。10.根据权利要求1所述的方法，其中形成存储器胞元的所述垂直串阵列的数据线包含：在所述开口的所述垂直壁上的所述导电材料的所述部分之间用隔离电介质填充所述开口；及在填充所述开口之后，将化学机械平坦化应用于所述导电材料的所述部分及所述经填充开口。11.一种形成存储器装置的方法，所述方法包括：形成用于所述存储器装置的存储器胞元的垂直串阵列及安置于每一垂直串之上的接触区，每一垂直串及相关联接触区通过一或多个电绝缘区与其它...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡怡，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：