空白掩模用基板、其清洗方法及包括其的空白掩模技术

本实施方式涉及一种空白掩模用基板的清洗方法，其包括：第一清洗步骤，通过向待清洗基板照射预处理光来制备已被光清洗的基板，以及第二清洗步骤，通过向已被光清洗的所述基板喷射第一清洗溶液并照射后处理光来制备空白掩模用基板；所述预处理光是具有50nm以上且300nm以下的波长的光，所述后处理光是具有50nm以上且450nm以下的波长的光。所述空白掩模用基板的清洗方法能够有效地去除残留在基板表面而引起雾度的离子等。板表面而引起雾度的离子等。

【技术实现步骤摘要】
空白掩模用基板、其清洗方法及包括其的空白掩模


[0001]本实施方式涉及一种空白掩模用基板、该空白掩模用基板的清洗方法及包括该空白掩模用基板的空白掩模。

技术介绍

[0002]由于半导体装置等的高集成化，需要半导体装置的电路图案的精细化。由此，进一步强调光刻技术的重要性，所述光刻技术是利用光掩模在晶圆表面上显影电路图案的技术。
[0003]为了显影精细化了的电路图案，需要在曝光工艺中使用的曝光光源的短波长化。最近使用的曝光光源包括ArF准分子激光器(波长：193nm)等。
[0004]空白掩模包括：透光基板；和形成在透光基板上的如遮光膜等的薄膜。透光基板可以通过对具有透光性的材料进行形状加工，然后经过抛光过程和清洗过程等而制备。
[0005]随着在晶圆上显影的电路图案变得精细化，需要更加有效地抑制在空白掩模制备过程中可能会出现的缺陷(defect)。在完成的空白掩模中可出现的缺陷中，可能会有由透光基板所引起的缺陷。为了显影所需的微电路图案，需要对透光基板的平滑度和表面粗糙度等特性进行精密控制，并且比以往进一步减少透光基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种空白掩模用基板的清洗方法，其特征在于，包括：第一清洗步骤，通过向待清洗基板照射预处理光来制备已被光清洗的基板，以及第二清洗步骤，通过向已被光清洗的所述基板喷射第一清洗溶液并照射后处理光来制备空白掩模用基板；所述预处理光是具有50nm以上且300nm以下的波长的光，所述后处理光是具有50nm以上且450nm以下的波长的光。2.根据权利要求1所述的空白掩模用基板的清洗方法，其特征在于，所述预处理光的强度为25mW/cm2以上。3.根据权利要求1所述的空白掩模用基板的清洗方法，其特征在于，通过两个以上的光源向所述待清洗基板照射所述预处理光，基于如下式1的从各个所述光源照射的所述预处理光的强度的UI值为20％以下：[式1]在上述式1中，所述I
max
是从各个所述光源照射的所述预处理光的强度中的最大值，所述I
min
是从各个所述光源照射的所述预处理光的强度中的最小值。4.根据权利要求1所述的空白掩模用基板的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗步骤在减压气氛中执行，配置有所述待清洗基板的气氛的排气压力为0.01kPa以上且1kPa以下。5.根据权利要求1所述的空白掩模用基板的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗溶液包括SC
‑
1溶液、臭氧水、超纯水、氢水以及碳酸水中的至少任意一种，所述SC
‑
1溶液是包含NH4OH、H2O2以及H2O的溶液。6.根据权利要求1所述的空白掩模用基板的清洗方法，其特征在于，已被光清洗的所述基板是去除了一部分或者全部特定化合物后的基板，所述特定化合物是吸收具有100nm至190nm范围的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泰完，李乾坤，崔石荣，金修衒，孙晟熏，金星润，郑珉交，曹河铉，申仁均，李亨周，
申请(专利权)人：SKC索密思株式会社，
类型：发明
国别省市：