OLED器件及其制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了OLED器件及其制备方法，OLED器件包括依次连接于ITO基板上的阴极层、有机功能层和阳极层，所述阴极层上若干具有微纳结构，每一个所述微纳结构外表面上设有钝化层。周期性微纳结构的顶发射OLED器件阴极层制备工艺，采用多次曝光以及蒸镀处理，具有周期性微纳结构的底发射OLED器件阴极层制备工艺，用于制备器件结构为底发射OLED器件，微纳米结构主要是采用蒸镀过程中的若干块精密掩膜版来进行制备。本发明专利技术的OLED器件，通过在阴极层表面形成微纳结构，实现应急表面的致密平整减少了金属阴极端表面等离激元的损耗，以及提升了OLED器件的寿命。OLED器件的寿命。OLED器件的寿命。

【技术实现步骤摘要】
OLED器件及其制备工艺


[0001]本专利技术涉及有机发光二极管(OLED)照明
，特别是涉及微纳加工， OLED器件及制备方法。

技术介绍

[0002]近来，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diodes，OLED)的发展已经在科研界及产业界引起了广泛的关注。与传统的LED点光源相比，OLED是一种面光源，它不需要其他的灯具的辅助，可应用于大面积光源照明，同时，它还具有可弯曲，环保，轻薄，低温，功耗低以及护眼等优点。换言之，OLED照明的应用前景巨大，可望成为未来照明的主流。
[0003]目前，利用磷光材料，传统OLED器件结构的内量子效率可以接近100％，但耦合的出光效率只有20％左右，约80％的光被限制或损耗在器件内部，而无法出光。因此，提高OLED器件的外量子效率非常有必要。被限制在器件内部的光主要可以分为表面等离基元模态，波导模态以及衬底模态三种。其中，在OLED器件中，器件发光层发出的光在经过阴极反射时，在近场激发的作用下，阴极表面会形成小的磁偶极矩，在磁偶极矩的振荡下，光子消耗能量，器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.OLED器件，包括依次连接于ITO基板(400)上的阴极层(100)、有机功能层(200)和阳极层(300)，其特征在于：所述阴极层(100)上若干具有微纳结构(110)，每一个所述微纳结构(110)外表面上设有钝化层(120)。2.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于：每一个所述微纳结构(110)，包括设置于阴极层(100)上的微纳窗口(111)，以及自微纳窗口(111)外沿的阴极层(100)向外表面突起的微纳突起(112)。3.根据权利要求2所述的OLED器件，其特征在于：设定每一个所述微纳结构(110)的微纳窗口(111)长度为L，宽度为M；其对应的微纳突起(112)的高度为H，则H/L的比例为0.1
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10。4.根据权利要求2所述的OLED器件，其特征在于：若干所述微纳结构(110)，位于阴极层(100)的整个阴极表面遍布，并且阵列排列，形成周期性微纳结构。5.根据权利要求4所述的OLED器件，其特征在于：若干所述微纳结构(110)，位于阴极层(100)的不发光表面布置，形成非周期性微纳结构。6.根据权利要求1
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5任意一项所述的OLED器件，其特征在于：每一个所述微纳窗口(111)内填充有绝缘结构(500)。7.根据权利要求6所述的OLED器件，其特征在于：所述绝缘结构(500)，贯穿阴极层(100)，并且嵌入至有机功能层(200)内，并且呈倒“T”形结构。8.根据权利要求6所述的OLED器件，其特征在于：所述OLED器件为顶发射器件或底发射器件。9.根据权利要求8所述的OLED器件，其特征在于：所述有机功能层(200)，包括依次连接的空穴传输层、发光层及电子传输层，或包括依次连接的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层构成；或者包括依次连接的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层及电子注入层构成。10.根据权利要求8所述的OLED器件，其特征在于：所述OLED器件为单色光、复合光和白光中的其中一种。11.具有周期性微纳结构的顶发射OLED器件阴极层制备工艺，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：金凌，卢泓，刘纪文，
申请(专利权)人：武汉华美晨曦光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：