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本发明公开了OLED器件及其制备方法，OLED器件包括依次连接于ITO基板上的阴极层、有机功能层和阳极层，所述阴极层上若干具有微纳结构，每一个所述微纳结构外表面上设有钝化层。周期性微纳结构的顶发射OLED器件阴极层制备工艺，采用多次曝光以及...
该专利属于武汉华美晨曦光电有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华美晨曦光电有限责任公司授权不得商用。

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