发光元件及发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的是获得一种能够将激发三重态转换成光的有机金属配合物、一种能够长时间驱动、发光效率高、且使用寿命长的发光元件、以及一种使用这种发光元件的发光设备。本发明专利技术提供一种具有一对电极（一个阳极和一个阴极）且在一对电极之间有发光层，其中该发光层包含以下通式（５）所表示的有机金属配合物、以及能隙大于所述有机金属配合物的化合物和电离势大于所述有机金属配合物而电子亲和性小于所述有机金属配合物的化合物中的一种，并提供使用该发光元件的发光设备。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种能够将受激三重态转换成光的有机金属配合物、一种使用该有机金属配合物的发光元件、以及使用该发光元件的发光装置。
技术介绍
使用有机化合物的发光元件是这样一种元件，其中含有有机化合物的层或者有机化合物薄膜在施加电场时发光。据称其发光机理如下当向其间夹有有机化合物薄膜的电极上施加电压时，从阴极注入的一个电子和从阳极注入的一个空穴在有机化合物薄膜中复合起来形成一个分子激子，当该分子激子返回基态时释放能量而发光。在此类发光元件中，有机化合物层通常形成一个约1微米或以下的薄膜。此外，因为此类发光元件是一种有机化合物本身在其中发光的元件，所以不必使用在常规液晶显示器中使用的背光。因此，此类发光元件的一大优势是能够制造得又薄又轻。除此之外，例如，在有机化合物薄膜在100至200nm数量级上时，考虑到有机化合物薄膜载流子的移动性，从载流子注入到复合的时间约为几十个纳秒，光约在几个微秒内就可发出，即使是将载流子的复合到发光的过程包括在内。因此，响应速度快也是特征之一。又，因为此类发光元件是一种载流子注入发光元件，可以用直流电压驱动，不容易产生噪声。至于驱动电压，当有机化合物薄膜是均本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在一对电极之间包含一个发光层的发光元件，其中，所述发光层包含具有通式（１）所表示的结构的有机金属配合物和能隙大于所述有机金属配合物的化合物，＊＊＊（１）式中，Ｒ↑［１］至Ｒ↑［５］各自是选自下组：氢、卤素、酰 基、烷基、烷氧基、芳基、氰基和杂环基，Ａｒ是具有吸电子基团的芳基和具有吸电子基团的杂环基中的一种，Ｍ是第９族元素和第１０族元素中的一种。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-5-20 151035/2004;JP 2004-8-3 226382/2004;J1.一种在一对电极之间包含一个发光层的发光元件，其中，所述发光层包含具有通式(1)所表示的结构的有机金属配合物和能隙大于所述有机金属配合物的化合物， 式中，R1至R5各自是选自下组氢、卤素、酰基、烷基、烷氧基、芳基、氰基和杂环基，Ar是具有吸电子基团的芳基和具有吸电子基团的杂环基中的一种，M是第9族元素和第10族元素中的一种。2.一种在一对电极之间包含一个发光层的发光元件，其中，所述发光层包含具有通式(2)所表示的结构的有机金属配合物和能隙大于所述有机金属配合物的化合物， 式中，R1至R9各自选自下组氢、卤素、酰基、烷基、烷氧基、芳基、氰基和杂环基，R6至R9中至少一种是吸电子基团，M是第9族元素和第10族元素中的一种。3.一种在一对电极之间包含一个发光层的发光元件，其中，所述发光层包含具有通式(3)所表示的结构的有机金属配合物和能隙大于所述有机金属配合物的化合物， 式中，R2至R14各自选自下组氢、卤素、酰基、烷基、烷氧基、芳基、氰基和杂环基，M是第9族元素和第10族元素中的一种。4.一种在一对电极之间包含一个发光层的发光元件，其中，所述发光层包含具有通式(4)所表示的结构的有机金属配合物和能隙大于所述有机金属配合物的化合物， 式中，R15和R16各自选自下组氢、卤素、酰基、烷基、烷氧基、芳基、氰基和杂环基，M是第9族元素和第10族元素中的一种。5.一种在一对电极之间包含一个发光层的发光元件，其中，所述发光层包含通式(5)所表示的有机金属配合物和能隙大于所述有机金属配合物的化合物， 式中，R1至R5各自选自下组氢、卤素、酰基、烷基、烷氧基、芳基、氰基和杂环基，Ar是具有吸电子基团的芳基和具有吸电子基团的杂环基中的一种，M是第9族元素和第10族元素中的一种，当M是第9族的元素时n＝2，而当M是第10组的元素时n＝1，L是阴离子配体。6.一种在一对电极之间包含一个发光层的发光元件，其中，所述发光层包含通式(6)所表示的有机金属配合物和能隙大于所述有机金属配合物的化合物， 式中，R1至R9各自选自下组氢、卤素、酰基、烷基、烷氧基、芳基、氰基和杂环基，R6至R9中至少一个是吸电子基团，M是第9族元素和第10族元素中的一种，当M是第9族的元素时n＝2，而当M是第10组的元素时n＝1，L是阴离子配体。7.一种在一对电极之间包含一个发光层的发光元件，其中，所述发光层包含通式(7)所表示的有机金属配合物和能隙大于所述有机金属配合物的化合物， 式中，R2至R14各自选自下组氢、卤素、酰基、烷基、烷氧基、芳基、氰基和杂环基，M是第9族元素和第10族元素中的一种，当M是第9族的元素时n＝2，而当M是第10组的元素时n＝1，L是阴离子配体。8.一种在一对电极之间包含一个发光层的发光元件，其中，所述发光层包含通式(8)所表示的有机金属配合物和能隙大于所述有机金属配合物的化合物， 式中，R15和R16各自选自下组氢、卤素、酰基、烷基、烷氧基、芳基、氰基、和杂环基，M是第9族元素和第10族元素中的一种，当M是第9族的元素时n＝2，而当M是第10组的元素时n＝1，L是阴离子配体。9.如权利要求1至8中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述能隙大于所述有机金属配合物的化合物是4，4’-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯和三(8-羟基喹啉合)铝中的一种。10.如权利要求5至8中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述阴离子配体L是具有β-二酮结构的阴离子配体、具有羧基的阴离子二齿配体、和具有酚羟基的阴离子二齿配体中的一种。11.如权利要求5至8中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述阴离子配体L是以下通式(9)-(15)中的任意一个所表示的配体12.如权利要求1至8中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述发光层包含所述有机金属配合物、以及比所述有机金属配合物的能隙大且电子迁移率等于或大于10-6cm2/Vs的第一化合物和比所述有机金属配合物的能隙大且空穴迁移率等于或大于10-6cm2/Vs的第二化合物中的一种。13.如权利要求1至8中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述发光层包含所述有机金属配合物、以及比所述有机金属配合物的能隙大且电子迁移率等于或大于10-6cm2/Vs的第一化合物、和比所述有机金属配合物的能隙大且空穴迁移率等于或大于10-6cm2/Vs的第二化合物。14.如权利要求12所述的发光元件，其特征在于，所述第一化合物是金属配合物，而第二化合物是芳香胺化合物。15.如权利要求13所述的发光元件，其特征在于，所述第一化合物是金属配合物，而第二化合物是芳香胺化合物。16.一种在一对电极之间包含一个发光层的发光元件，其中，所述发光层包含具有通式(1)所表示的结构的有机金属配合物和电离势大于所述有机金属配合物而电子亲和性小于所述有机金属配合物的化合物， 式中，R1至R5各自是选自下组氢、卤素、酰...

【专利技术属性】
技术研发人员：大泽信晴，安部宽子，井上英子，下垣智子，瀬尾哲史，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]