控制感光二极管的光电荷量的方法及其影像感测装置制造方法及图纸

一种可控制主动像素中感光二极管的光电荷量的方法及其影像感测装置，所述方法包括：在一感光二极管曝光且该感光二极管的一端接地时，提供一大于接地电位的参考电压于一转换晶体管的栅极，以控制所述感光二极管所能储存的光电荷量。本发明专利技术避免了影像滞留与光晕现象，并且简单精准，成本低廉。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供一种控制主动像素的方法，尤指一种控制感光二极管所能储存的光电荷量的方法及其影像感测装置。
技术介绍
请参阅图1，图1为先前主动像素8的电路图。主动像素8包含一钳制型感光二极管(pinned photodiode)10、一转换(transfer)晶体管12、一重置(reset)晶体管14、一源极随耦器(source follower)16以及一列选择开关(row selector)晶体管18。钳制型感光二极管10用来接收光线；转换晶体管12用来控制储存于钳制型感光二极管10中的电荷转移；重置晶体管14用来重置钳制型感光二极管10；源极随耦器16的源极的电位会随着源极随耦器16的栅极所接收的电荷(charge)改变；列选择开关晶体管18用来控制光信号或重置信号的储存。主动像素8从撷取光线至储存光信号的运作如下。首先执行重置的动作，开启重置晶体管14与转换晶体管12，在晶体管12、14的栅极处施于一高电位(电路操作的最高电压Vdd)，以对钳制型感光二极管10进行重置。接着进入曝光模式，也就是撷取影像，此时关闭转换晶体管12与重置晶体管14，先前技术中关闭转换晶体管12是在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制感光二极管的光电荷量的影像感测装置，其特征在于包括：一感光二极管，用来接收光线；一第一晶体管，其源极连接于所述感光二极管，该第一晶体管用来控制该所述感光二极管内光电荷的转移；一参考电压控制单元，连接于所述第一 晶体管的栅极，该参考电压控制单元接收多个控制信号，根据所述多个控制信号提供一参考电压于所述第一晶体管的栅极以控制所述感光二极管所能储存的光电荷量；一第二晶体管，其源极连接于所述第一晶体管的输出端，漏极连接于一电压源，所述第二晶体管用 来重置所述感光二极管；一第三晶体管，其漏极连接于所述电压源，栅极连接于所述第二晶体管的源...

【技术特征摘要】
1.一种控制感光二极管的光电荷量的影像感测装置，其特征在于包括一感光二极管，用来接收光线；一第一晶体管，其源极连接于所述感光二极管，该第一晶体管用来控制该所述感光二极管内光电荷的转移；一参考电压控制单元，连接于所述第一晶体管的栅极，该参考电压控制单元接收多个控制信号，根据所述多个控制信号提供一参考电压于所述第一晶体管的栅极以控制所述感光二极管所能储存的光电荷量；一第二晶体管，其源极连接于所述第一晶体管的输出端，漏极连接于一电压源，所述第二晶体管用来重置所述感光二极管；一第三晶体管，其漏极连接于所述电压源，栅极连接于所述第二晶体管的源极；以及一第四晶体管，其漏极连接于所述第三晶体管的源极，源极连接于一字符线，所述第四晶体管用来选择是否输出信号。2.根据权利要求1所述的影像感测装置，其特征在于所述参考电压控制单元提供于所述第一晶体管的栅极的参考电压介于零伏与所述电压源之间。3.根据权利要求1所述的影像感测装置，其特征在于所述参考电压控制单元提供所述参考电压于第一晶体管的栅极时，所述感光二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏明俊，黄建章，谢志成，
申请(专利权)人：原相科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]