三维芯片和存储器制造技术

本申请实施例公开了一种三维芯片和存储器。三维芯片包括至少两个晶圆，至少两个晶圆之间通过导电结构三维堆叠连接。导电结构包括至少一个第一导电结构和至少一个第二导电结构，第一导电结构与第二导电结构相邻设置，第二导电结构接地；或导电结构包括至少两个第三导电结构，至少两个第三导电结构之间的距离大于预设距离。本申请实施例通过第一导电结构与第二导电结构相邻设置，并且第二导电结构接地，缩短了信号的回流路径，降低信号在第一导电结构上传输时发生的串扰，或设置至少两个第三导电结构之间的距离大于预设距离，降低了信号在第三导电结构上传输时发生的串扰，从而提高了三维芯片的使用可靠性。高了三维芯片的使用可靠性。高了三维芯片的使用可靠性。

【技术实现步骤摘要】
三维芯片和存储器


[0001]本申请实施例涉及芯片的
，尤其涉及一种三维芯片和一种存储器。

技术介绍

[0002]相关技术中，晶圆之间通常通过混合键合的方式进行三维堆叠，形成三维芯片，从而提高信号在不同晶圆之间的传输效率。
[0003]但是，通过混合键合的方式堆叠晶圆，导致信号在晶圆之间传输时容易发生串扰，降低了信号在晶圆之间传输的准确性。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题中至少之一，本申请实施例提供了一种三维芯片和一种存储器。
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种三维芯片，包括至少两个晶圆，至少两个晶圆之间通过导电结构三维堆叠连接；导电结构包括至少一个第一导电结构和至少一个第二导电结构，第一导电结构与第二导电结构相邻设置，第二导电结构接地；或导电结构包括至少两个第三导电结构，至少两个第三导电结构之间的距离大于预设距离。
[0006]在一种可行的实施方式中，导电结构还包括第四导电结构，第四导电结构设置在至少两个第三导电结构之间，第四导电结构接地。
[0007]在一种可行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维芯片，其特征在于，包括：至少两个晶圆，至少两个所述晶圆之间通过导电结构三维堆叠连接；所述导电结构包括至少一个第一导电结构和至少一个第二导电结构，所述第一导电结构与所述第二导电结构相邻设置，所述第二导电结构接地；或所述导电结构包括至少两个第三导电结构，至少两个所述第三导电结构之间的距离大于预设距离。2.根据权利要求1所述的三维芯片，其特征在于，所述导电结构还包括：第四导电结构，所述第四导电结构设置在至少两个所述第三导电结构之间，所述第四导电结构接地。3.根据权利要求1所述的三维芯片，其特征在于，所述导电结构还包括：第四导电结构，所述第四导电结构与所述第三导电结构相邻设置，所述第四导电结构接地。4.根据权利要求1所述的三维芯片，其特征在于，所述导电结构还包括：第四导电结构，所述第四导电结构围绕所述第三导电结构设置，所述第四导电结构接地。5.根据权利要求1所述的三维芯片，其特征在于，所述第一导电结构的数量为至少两个，至少两个所述第一导电结构之间的距离小于或等于所述预设距离。6.根据权利要求1所述的三维芯片，其特征在于，所述三维芯片为方形，至少两个所述第三导电结构分别设置于所述三维芯片的对角线顶点位置；或所述三维芯片为圆形，至少两个所述第三导电结构分别设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：王慧梅，周小锋，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：