用于制备硅氧烷的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于制备硅氧烷的方法，其中选自通式(I)的化合物和/或通式(II)的化合物的至少一种烷氧基有机硅化合物在阳离子硅和/或锗化合物的存在下在

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制备硅氧烷的方法


[0001]本专利技术涉及一种用于在至少一种阳离子硅和/或锗化合物存在下由通式(I)和/或(II)的烷氧基有机硅化合物(alkoxy
‑
organosilicon compound)制备硅氧烷的方法。

技术介绍

[0002]硅氧烷是在许多
中使用的工业上重要的化合物类别。因此，硅氧烷的制备是工业有机硅化学中的重要方法。举例而言，已经在工业规模上建立的一种方法是根据以下反应方程式从氯硅烷起始的水解缩合：
[0003]2R3Si
‑
Cl+H2O＝>R3Si
‑
O
‑
SiR3+2HCl
[0004]已经建立的另一种方法是含烷氧基的硅烷和硅氧烷的水解缩合，其各自是以工业规模生产的原料：
[0005]R3Si
‑
OR+H2O＝>R3Si
‑
OH+ROH；
[0006]2R3Si
‑
OH＝>R3Si
‑<br/>O
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于制备硅氧烷的方法，其中，使至少一种烷氧基有机硅化合物在至少一种阳离子硅和/或锗化合物的存在下，在
‑
40℃至250℃的温度下反应，所述至少一种烷氧基有机硅化合物选自通式(I)的化合物和/或选自通式(II)的化合物：R1R2R3Si
‑
OR
x
(I)，其中，R1、R2和R3独立地选自包括氢、卤素、未取代或取代的C1‑
C
20
烃基和未取代或取代的C1‑
C
20
烃氧基的组，其中，基团R1、R2和R3中的两个可以一起形成单环或多环、未取代或取代的C2‑
C
20
烃基，其中，在每种情况下取代是指所述烃基或所述烃氧基独立地具有以下取代中的至少一种：氢原子被卤素、
‑
CH(＝O)、
‑
C≡N、
‑
OR
z
、
‑
SR
z
、
‑
NR
z2
和
‑
PR
z2
取代，CH2基团被
‑
O
‑
、
‑
S
‑
或
‑
NR
z
‑
取代，未直接键合到Si的CH2基团被
‑
C(＝O)
‑
取代，CH3基团被
‑
CH(＝O)取代，和C原子被Si原子取代，其中，R
z
在每种情况下独立地选自包括C1‑
C6烷基和C6‑
C
14
芳基的组，并且其中，R
x
是C1‑
C
20
烃基；(SiO
4/2
)
a
(R
y
SiO
3/2
)
b
[(R
x
O)SiO
3/2
]
b'
(R
y2
SiO
2/2
)
c
[(R
x
O)R
y
SiO
2/2
]
c'
[(R
x
O)2SiO
2/2
]
c”(R
y3
SiO
1/2
)
d
[(R
x
O)R
y2
SiO
1/2
]
d'
[(R
x
O)2R
y
SiO
1/2
]
d”[(R
x
O)3SiO
1/2
]
d”'
ꢀꢀꢀꢀ
(II)，其中，R
y
与针对R1、R2或R3所限定的相同，并且其中，下标a、b、b'、c、c'、c”、d、d'、d”、d”'指示相应硅氧烷单元的数目并且独立地表示从0至100000的整数，条件是所有下标的总和具有至少2的值并且下标b'、c'、c”、d'、d”或d”'中的至少一个不等于0。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应在0℃至200℃、优选10℃至100℃的温度下发生。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，R1、R2和R3独立地选自包括氢、未取代或取代的C1‑
C
12
烃基和未取代或取代的C1‑
C
12
烃氧基的组。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，R1、R2和R3独立地选自包括甲基、乙基、乙烯基、苯基、甲氧基和乙氧基的组。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，R
x
独立地选自包括未取代或取代的C1‑
C
12
烃基、乙烯基和苯基的组。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，下标a、b、b'、c、c'、c”、d、d'、d”、d”'独立地选自0至1000范围内的整数。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述反应在至少一种羰基化合物的存在下进行。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述羰基化合物选自通式(III)的化合物：R
d
‑
(X)
n
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：埃尔克，
申请(专利权)人：瓦克化学股份公司，
类型：发明
国别省市：