半导体器件及其制作方法以及CMOS图像传感器技术

本公开实施例公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：半导体层；第一二极管，位于所述半导体层中；所述第一二极管包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区之上；隔离结构，位于所述半导体层中，位于所述第一二极管的一侧；浮置区，位于所述半导体层中，且位于所述隔离结构上；所述浮置区的掺杂类型与所述第一掺杂区相同；缓冲区，位于所述浮置区与所述隔离结构之间，所述缓冲区的掺杂类型与所述浮置区的掺杂类型相反；其中，所述浮置区与所述第一掺杂区电隔离。电隔离。电隔离。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制作方法以及CMOS图像传感器


[0001]本公开实施例涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件及其制作方法以及一种CMOS图像传感器。

技术介绍

[0002]随着消费电子产品的不断发展，由于CMOS图像传感器的应用，新一代图像系统的开发研制得到了极大的发展，并且随着经济规模的形成，其生产成本也得到降低。CMOS图像传感器超过CCD（电荷耦合器件）图像传感器的水平，同时能保持体积小、重量轻、功耗低、集成度高、价位低等优点，CMOS图像传感器在系统集成上有更好的应用。
[0003]目前，系统级应用对于CMOS图像传感器像素单元的需求越来越小，同时图像传感器对于图像的动态范围，信噪比需求也在不断提升，而这两个关键指标的共同影响因子是图像传感器的满阱容量，因此在小尺寸CMOS图像传感器像器件制造工艺中提升满阱容量成为现在小尺寸图像传感器性能提升的瓶颈。如何提高小尺寸图像传感器的满阱容量成为亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]根据本公开实施例的第一方面，提供一种半导体器件，包括：半导体层；第一二极管，位于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体层；第一二极管，位于所述半导体层中；所述第一二极管包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区之上；隔离结构，位于所述半导体层中，位于所述第一二极管的一侧；浮置区，位于所述半导体层中，且位于所述隔离结构上；所述浮置区的掺杂类型与所述第一掺杂区相同；缓冲区，位于所述浮置区与所述隔离结构之间，所述缓冲区的掺杂类型与所述浮置区的掺杂类型相反；其中，所述浮置区与所述第一掺杂区电隔离。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：第二二极管，位于所述半导体层中，所述第二二极管包括第三掺杂区和第四掺杂区，所述第四掺杂区位于所述第三掺杂区上；所述隔离结构位于所述第三掺杂区和所述第一掺杂区之间；所述浮置区位于所述第一掺杂区和所述第三掺杂区之间，所述缓冲区位于所述第一掺杂区和所述第三掺杂区之间；所述第三掺杂区的掺杂类型与所述第一掺杂区的掺杂类型相同，所述浮置区与所述第三掺杂区电隔离。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述浮置区的底表面高于所述第一掺杂区的顶表面，所述浮置区的底表面高于所述第三掺杂区的顶表面。4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述浮置区包括第一子区和第二子区，所述第二子区位于所述第一子区上，所述第二子区的掺杂浓度大于所述第一子区的掺杂浓度。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：介电层，位于所述半导体层上；第一控制栅，位于所述介电层之上，且至少覆盖所述第二掺杂区与所述浮置区之间的区域；第二控制栅，位于所述介电层之上，且至少覆盖所述第四掺杂区与所述浮置区之间的区域。6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述浮置区与所述第二掺杂区接触，所述浮置区与所述第四掺杂区接触。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层的掺杂类型与所述第二掺杂区的掺杂类型相同。8.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：权利要求1所述的半导体器件。9.一种半导体器...

【专利技术属性】
技术研发人员：李赟，王逸群，孙远，
申请(专利权)人：湖北江城芯片中试服务有限公司，
类型：发明
国别省市：