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本公开实施例公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：半导体层；第一二极管，位于所述半导体层中；所述第一二极管包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区之上；隔离结构，位于所述半导体层中，位于所述第一二极管的一...
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