高质量二维层状MPX3纳米片及其制备和应用制造技术

本发明专利技术提供一种高质量二维层状MPX3纳米片及其制备和应用，其中，MPX3纳米片为In

【技术实现步骤摘要】
高质量二维层状MPX3纳米片及其制备和应用


[0001]本专利技术涉及纳米材料
，涉及一种高质量二维层状MPX3纳米片及其制备和应用，尤其涉及一种高质量二维层状In
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P2Se6纳米片及其制备和其在光催化析氢及高值化学品N
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苄烯丁胺的合成中的应用。

技术介绍

[0002]近年来，二维金属硫代磷酸盐化物(MPX3)因其独特的光学、电学和磁学性质备受关注，其高的载流子迁移率和有效的光吸收能力使其在催化、清洁能源存储与转化及光电器件等领域得到广泛的应用。在众多MPX3如NiPS3，Sn2P2S6，Pd3P2S8和In
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P2Se6等中，In
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P2Se6具有的直接带隙特征、合适的带隙宽度以及化学稳定性而表现优异的光电性能，使其成为光催化领域的理想材料。
[0003]目前，制备In
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P2Se6晶体的合成方法仍然停留传统的化学气相运输法(CVT)，即铟、磷和硒的单质混合物与输运剂(碘)一起在密封的安瓿中高温加热10天左右用来生长In本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二维层状In
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P2Se6纳米片的制备方法，其特征在于，红磷和硒的混合蒸气与In2S3纳米片进行化学气相反应得到所述二维层状In
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P2Se6纳米片。2.根据权利要求1所述的二维层状In
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P2Se6纳米片的制备方法，其特征在于，通过空间限域化学气相沉积使红磷和硒的混合蒸气与In2S3纳米片进行化学气相反应，所述In2S3纳米片完全转化为所述In
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P2Se6纳米片；空间限域化学气相沉积是指在压力为180～240Pa的反应体系中持续通入流量为80～120sccm的惰性气体将红磷和硒的混合蒸气引导至In2S3纳米片所在位置并进行反应。3.根据权利要求2所述的二维层状In
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P2Se6纳米片的制备方法，其特征在于，空间限域化学气相沉积在带有石英套管的双温区管式炉中进行；其中，石英套管由一石英管A和一石英管a构成，石英管A的内径大于石英管a的外径，石英管A和石英管a均为一端封口且一端开口的石英管，石英管a套入石英管A的内部，石英管A和一石英管a的封口端在不同侧；红磷和硒的混合蒸气由红磷和硒的混合粉末形成，红磷和硒的混合粉末置于石英管a的封口端，并保证混合粉末位于双温区管式炉的上游温区的中央；负载有In2S3纳米片的碳布置于石英管A的封口端，并保证In2S3纳米片位于双温区管式炉的下游温区的中央。4.根据权利要求3所述的二维层状In
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P2Se6纳米片的制备方法，其特征在于，In2S3纳米片的制备方法为：先将无水氯化铟溶于极性有机溶剂中得到氯化铟溶液，再将硫代乙酰胺溶在氯化铟溶液中得到反应前驱体溶液，然后在反应前驱体溶液中放置碳布进行溶剂热反应，反应完成后得到负载于碳布上的In2S3纳米片。5.根据权利要求3所述的二维层状In
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P2Se6纳米片的制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：王枫梅，王振兴，吴兵兰，
申请(专利权)人：国家纳米科学中心，
类型：发明
国别省市：