一种合成二维硒化锌纳米片的制备方法技术

技术编号:36735125 阅读:94 留言:0更新日期:2023-03-04 10:05
本发明专利技术涉及一种合成二维硒化锌纳米片的制备方法。二维半导体纳米片具有明显的物理和化学特征,使其有望替代零维和一维纳米晶,高效应用于新一代光电器件制造中。在非层状结构材料中合成出二维纳米片将有利于不同特性材料在实际生产生活中的应用。本专利以ZnSe纳米片为研究对象,采用简单易行的溶剂热方法,利用单一、无毒的溶液,在空气氛围中,将硒源与锌源溶液混合放入反应釜进行高温反应,合成ZnSe纳米片。避免了热注射方法、合成过程繁琐、抽真空、惰性气体长期保护、使用有毒的溶液等弊端,整个制备方法流程简单,原料廉价易得,显著降低成本,还会带来巨大的生态效益和经济效益。还会带来巨大的生态效益和经济效益。

【技术实现步骤摘要】
一种合成二维硒化锌纳米片的制备方法


[0001]本专利技术涉及一种合成二维硒化锌纳米片的制备方法,具体涉及通过溶剂热法在橄榄油中制备二维硒化锌纳米片。

技术介绍

[0002]二维半导体纳米片具有区别于零维和一维纳米晶明显的物理和化学特征,纳米片较大的横向尺寸,直接与工业化生产的装置设计方案和不断更新的加工技术相匹配,使其有望替代零维和一维纳米晶,高效应用于新一代光电器件制造中,所以二维半导体纳米片的独特性质和潜在应用受到广大研究者们的高度重视和关注。
[0003]目前,通过几种不同的方法可以合成二维纳米片,例如剥离层状结构材料和化学合成方法。剥离技术主要应用于本身具有层状特性结构的材料,因为他们具有平面内强键以及层间弱耦合。另一种方法是化学合成方法,例如将横向扩展、定向附着、以及软模板途径,应用于非层状结构材料。但是,在非层状结构材料中合成出二维纳米片的结构比较少见,所以探究出合适的合成方法生成各种非层状结构材料,将有利于不同特性材料在实际生产生活中的应用。
[0004]非层状结构的ZnSe是II

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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种合成二维硒化锌纳米片的制备方法,具体步骤如下:(1)制备硒(Se)的橄榄油溶液称量一定量的Sc粉末,倒入装有定量橄榄油的三颈瓶中,在固定温度下加热搅拌直至Se粉末完全溶解。(2)制备锌(Zn)源的橄榄油溶液称量一定量的Zn源粉末,倒入装有定量橄榄油的三颈瓶中,在固定温度下加热搅拌直至Zn溶液完全溶解,并保持30分钟。(3)将制备的(1)Se溶液和(2)Zn溶液分别倒入高压反应釜中,混合,置于烘箱加热至一定温度(160

240℃),反应时间为15

【专利技术属性】
技术研发人员:肖宁如曲玉宁王丽丽
申请(专利权)人:天津工业大学
类型:发明
国别省市:

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