多层陶瓷电容器的制备方法以及多层陶瓷电容器技术

本发明专利技术涉及一种多层陶瓷电容器的制备方法以及多层陶瓷电容器。本发明专利技术的一种多层陶瓷电容器的制备方法以及多层陶瓷电容，通过设置容量调整电极层，并根据试切割的多层陶瓷电容器先行样品完成端电极制备后获得的容值，来确定是否调整切割机参数改变切割位置，从而可以在容值低于预定阈值时，将容量调整电极层接入多层陶瓷电容器的容量电路中，以弥补多层陶瓷电容器在印刷和叠层工序中所造成的容量损失，克服了设计层数少、容值精度要求高的微型高频电容因容值不合格废品率高的问题，提高了产品的合格率。的合格率。的合格率。

【技术实现步骤摘要】
多层陶瓷电容器的制备方法以及多层陶瓷电容器


[0001]本专利技术涉及多层陶瓷电容器的制造工艺，特别是涉及一种多层陶瓷电容器的制备方法以5及多层陶瓷电容。

技术介绍

[0002]如今，片式多层陶瓷电容器(Multi
‑
layer Ceramic Chip Capacitors，MLCC)等陶瓷元器件在网络、5G通信、家电、汽车电子、消费电子等领域发挥着重要作用。
[0003]多层陶瓷电容器的制造工艺，是将印制好内电极的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起0来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层(外电极)。随着多层
[0004]陶瓷电容器向小尺寸发展，内电极面积越来越小，印刷工艺产生的些许误差导致偏离设计面积的问题更严重，两个内电极叠层的些许错位也会严重影响内电极之间的正对面积，这往往导致设计层数少、容值精度要求高的微型高频电容因容值不合格而废品率高。

技术实现思路

[0005]5基于此，本专利技术的目的在于，提供一种多层陶瓷电容器的制备方法以及多层陶瓷电容，
[0006]通过设置容量调整电极层，并根据试切割的多层陶瓷电容器先行样品完成端电极制备后获得的容值，来确定是否调整切割机参数改变切割位置，从而可以在容值低于预定阈值时，将容量调整电极层接入多层陶瓷电容器的容量电路中，以弥补多层陶瓷电容器在印刷和叠层工序中所造成的容量损失。
[0007]0本专利技术是通过如下方案实现的：
[0008]第一方面，本专利技术提供一种多层陶瓷电容器的制备方法，包括以下步骤：
[0009]S1：提供多个第一陶瓷膜片、多个第二陶瓷膜片和至少一个第三陶瓷膜片，其中，所述第一陶瓷膜片上印刷有第一容量电极层，所述第二陶瓷膜片上印刷有第二容量电极层，所述
[0010]第三陶瓷膜片上印刷有容量调整电极层；
[0011]5S2：将多个所述第一陶瓷膜片和多个所述第二陶瓷膜片交替层叠得到层叠基板；
[0012]S3：在所述层叠基板的上方和/或下方层叠一个所述第三陶瓷膜片并压合后，得到层叠体；
[0013][0014]S4：将其中一个所述层叠体在内电极长度方向按第一切割线纵向、内电极宽度方向上横向进行全部或部分切割后排胶、烧结，得到多个陶瓷主体样品；
[0015]S5：将多个所述陶瓷主体样品倒角研磨；
[0016]S6：将多个研磨后的所述陶瓷主体样品从研磨媒介及陶瓷碎屑中分选出，分别在每个所述研磨后的陶瓷主体样品的左右两端附上两个外电极，得到多个多层陶瓷电容器样
品，其中，所述容量调整电极层不与所述外电极接触；
[0017]S7：测量所述多层陶瓷电容器样品的容值，判断所述多层陶瓷电容器样品的容值是否低于预定阈值，如果是，将其他所述层叠体调整切割机参数改变纵向切割位置按第二切割线进行切割后排胶、烧结，其中，改变切割位置后使得所述多层陶瓷电容器的容量调整电极层的一边暴露于陶瓷体的一端，以便与其中一个所述外电极接触。
[0018]进一步地，步骤S7中，测量所述多层陶瓷电容器样品的容值，判断所述多层陶瓷电容器样品的容值是否低于预定阈值，包括以下步骤：
[0019]分别测量每个所述多层陶瓷电容器样品的容值，并获取多个所述多层陶瓷电容器样品的容值的平均值；
[0020]判断该平均值是否低于预定阈值。
[0021]进一步地，所述第一切割线与所述容量调整电极层形成错位，步骤S7中，通过调整切割机参数改变切割位置后按第二切割线切割所述容量调整电极层。
[0022]进一步地，所述容量调整电极层与相邻的所述第一容量电极层或者相邻的所述第二容量电极层之间具有第一正对面积，所述第一容量电极层与所述第二容量电极层之间具有第二正对面积，且所述第一正对面积小于所述第二正对面积。
[0023]进一步地，所述容量调整电极层、所述第一容量电极层和所述第二容量电极层在长度方向上部分正对。
[0024]第二方面，本专利技术提供一种多层陶瓷电容器，包括陶瓷主体和分别设置于所述陶瓷主体左右两端的两个外电极，所述陶瓷主体包括容量形成层和层叠于所述容量形成层上方和/或下方的容量调整层，其中，所述容量形成层包括多个交替层叠的第一陶瓷膜片和第二陶瓷膜片，所述容量调整层包括第三陶瓷膜片，且所述第一陶瓷膜片上印刷有第一容量电极层，所述第二陶瓷膜片上印刷有第二容量电极层，所述第三陶瓷膜片上印刷有容量调整电极层；
[0025]所述第一容量电极层与其中一个所述外电极连接，所述第二容量电极层与另一个所述外电极连接，所述容量调整电极层与其中一个所述外电极连接或断开，当连接时，所述第一容量电极层与相邻的所述第一容量电极层或相邻的所述第二容量电极层形成容量。
[0026]进一步地，所述容量调整电极层与相邻的所述第一容量电极层或者相邻的所述第二容量电极层之间具有第一正对面积，所述第一容量电极层与所述第二容量电极层之间具有第二正对面积，且所述第一正对面积小于所述第二正对面积。
[0027]进一步地，所述容量调整电极层、所述第一容量电极层和所述第二容量电极层在长度方向上部分正对。
[0028]进一步地，所述第一容量电极层、所述第二容量电极层和所述容量调整电极层的厚度为1～6微米。
[0029]进一步地，所述第一陶瓷膜片、所述第二陶瓷膜片和所述第三陶瓷膜片的厚度为1～300微米。
[0030]本专利技术实施例所述的一种多层陶瓷电容器的制备方法，通过在多个所述第一陶瓷膜片和多个所述第二陶瓷膜片交替层叠得到的层叠基板上方或下方层叠一个第三陶瓷膜片，并在切割先行样品时，不将第三陶瓷膜片所印刷的容量调整电极层纳入多层陶瓷电容器样品的容量中，并测量先行切割后所制得的多层陶瓷电容器样品的容量，如果检测到容
量低于预定阈值，则表明第一陶瓷膜片和第二陶瓷膜片所分别印刷的第一容量电极层和第二容量电极层之间的正对面积与预设值出现了偏差，本专利技术通过设置容量调整电极层并改变在长度方向上的切割位置，使得改变切割位置后的其它产品切割后，将第三陶瓷膜片所印刷的容量调整电极层纳入多层陶瓷电容器的容量中，增大了多层陶瓷电容器的容量，克服了设计层数少、容值精度要求高的微型高频电容因容值不合格废品率高的问题，提高了产品的合格率。
[0031]为了更好地理解和实施，下面结合附图详细说明本专利技术。
附图说明
[0032]图1为本专利技术实施例的一种多层陶瓷电容器的制备方法的流程图；
[0033]图2为本专利技术实施例的层叠基板在内电极长度方向上的示意图；
[0034]图3为本专利技术实施例的层叠基板在内电极宽度方向上的示意图；
[0035]图4为本专利技术实施例的层叠体在内电极长度方向上的示意图；
[0036]图5为本专利技术实施例按内电极长度方向第一切割线51进行切割的示意图；
[0037]图6为本专利技术实施例按内电极长度方向第二切割线52进行切割的示意图；
[0038]图7为本专利技术实施例的一种多层陶瓷电容器的结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多层陶瓷电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供多个第一陶瓷膜片、多个第二陶瓷膜片和至少一个第三陶瓷膜片，其中，所述第一陶瓷膜片上印刷有第一容量电极层，所述第二陶瓷膜片上印刷有第二容量电极层，所述第三陶瓷膜片上印刷有容量调整电极层；S2：将多个所述第一陶瓷膜片和多个所述第二陶瓷膜片交替层叠得到层叠基板；S3：在所述层叠基板的上方和/或下方层叠一个所述第三陶瓷膜片并压合后，得到层叠体；S4：将其中一个所述层叠体在内电极长度方向按第一切割线纵向、内电极宽度方向上横向进行全部或部分切割后排胶、烧结，得到多个陶瓷主体样品；S5：将多个所述陶瓷主体样品倒角研磨；S6：将多个研磨后的所述陶瓷主体样品从研磨媒介及陶瓷碎屑中分选出，分别在每个所述研磨后的陶瓷主体样品的左右两端附上两个外电极，得到多个多层陶瓷电容器样品，其中，所述容量调整电极层不与所述外电极接触；S7：测量所述多层陶瓷电容器样品的容值，判断所述多层陶瓷电容器样品的容值是否低于预定阈值，如果是，将其他所述层叠体调整切割机参数改变纵向切割位置按第二切割线进行切割后排胶、烧结，其中，改变切割位置后使得所述多层陶瓷电容器的容量调整电极层的一边暴露于陶瓷体的一端，以便与其中一个所述外电极接触。2.根据权利要求1所述的一种多层陶瓷电容器的制备方法，其特征在于，步骤S7中，测量所述多层陶瓷电容器样品的容值，判断所述多层陶瓷电容器样品的容值是否低于预定阈值，包括以下步骤：分别测量每个所述多层陶瓷电容器样品的容值，并获取多个所述多层陶瓷电容器样品的容值的平均值；判断该平均值是否低于预定阈值。3.根据权利要求1所述的一种多层陶瓷电容器的制备方法，其特征在于：所述第一切割线与所述容量调整电极层形成错位，步骤S7中，通过调整切割机参数改变切割位置后按第二切割线切割所述容量调整电极层。4.根据权利要求1所述的一种多层陶瓷电容器的制备方法，其特征在于：所述容量...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶树华，梁世洁，万玲玲，蔡楚昭，吕先举，
申请(专利权)人：深圳市微容电子元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：