一种半导体基板清洗系统及方法技术方案

本发明专利技术提供了一种半导体基板清洗系统及方法，所述半导体基板清洗系统包括清洗室、循环模块与纳米气泡供给模块，所述清洗室分别连接所述循环模块与纳米气泡供给模块；所述清洗室内盛装有清洗液，待清洗基板浸没于所述清洗液中，所述循环模块用于控制所述清洗液进行原位循环，所述纳米气泡供给模块用于向所述清洗室内注入纳米气泡。本发明专利技术采用清洗液浸泡与纳米气泡的联合清洗方法，有效去除半导体基板表面的颗粒物、表面氧化物和其他难溶沉积物，增强清洗效果，有利于降低能耗与生产成本。有利于降低能耗与生产成本。有利于降低能耗与生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体基板清洗系统及方法


[0001]本专利技术属于半导体清洗
，涉及一种半导体基板清洗系统及方法。

技术介绍

[0002]目前，AMOLED(Active
‑
matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)面板量产的主要方法是真空蒸镀，而真空蒸镀必须用到掩膜版蒸镀技术。在制备过程中采用遮罩将RGB三种光色分子或金属材料分别附着于狭小的区域中，以形成有机发光层。掩膜版经过多次蒸镀后，其表面容易出现有机材料、灰尘等污染物的沉积，需要进行及时清洗处理，以防止掩膜版因物质附着发生精度变化。
[0003]现有清洗方法通常采用溶剂去除掩膜版表面沉积的膜层，膜层存在离子化或分解的过程，需增加去离子水漂洗过程，以置换表面药液或残留的颗粒物，同时辅以超声波及泵浦循环功能，增强漂洗能力。然而，在上述清洗过程中，水槽内超声波组件的用量颇多，使用寿命约40pcs，且超声波设备价格昂贵，提高了加工成本。

技术实现思路

[0004]针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种半导体基板清洗系统及方法，采用清洗液浸泡与纳米气泡的联合清洗方法，有效去除半导体基板表面的颗粒物、表面氧化物和其他难溶沉积物，增强清洗效果，有利于降低能耗与生产成本。
[0005]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0006]第一方面，本专利技术提供了一种半导体基板清洗系统，所述半导体基板清洗系统包括清洗室、循环模块与纳米气泡供给模块，所述清洗室分别连接所述循环模块与纳米气泡供给模块；
[0007]所述清洗室内盛装有清洗液，待清洗基板浸没于所述清洗液中，所述循环模块用于控制所述清洗液进行原位循环，所述纳米气泡供给模块用于向所述清洗室内注入纳米气泡。
[0008]本专利技术提供的半导体基板清洗系统，将待清洗基板浸泡在清洗液内，利用清洗液溶解基板表面的附着物，采用循环模块使得清洗液进行原位循环，以提高清洗液的利用率，同时注入高密度纳米气泡搅动清洗室内的清洗液，提高附着物的溶解能力，增强清洗效果。
[0009]本专利技术中向清洗室内注入的纳米气泡带负电荷，容易吸引带正电荷的颗粒、胶状物等，以将附着物带离基板的表面。清洗液中的纳米气泡四周存有气液界面，使得纳米气泡受到溶液的表面张力的作用，对于具有球形界面的纳米气泡，表面张力能压缩内部的气体，从而使气体溶解到水中。产生高密度纳米气泡时，在水中发生爆裂，进而脱除掩膜版表面的异物，同时纳米气泡在破裂瞬间，由于气液界面消失的剧烈变化，激发产生大量氢氧自由基，形成碱性物质，能够溶解附着物。此外，本专利技术借助高密度的纳米气泡群扰动清洗室内的溶液，增强了清洗效果。
[0010]作为本专利技术一个优选技术方案，所述清洗室设置有盖板，所述盖板用于密封所述
清洗室。
[0011]优选地，所述清洗室的底部还设置有排液管道。
[0012]优选地，所述清洗室的顶部还设置有排风管道。
[0013]优选地，所述清洗液包括碱性溶液。
[0014]作为本专利技术一个优选技术方案，所述循环模块包括储液槽与循环管道，所述储液槽与所述清洗室相互连通，所述循环管道的进口端连接所述储液槽，所述循环管道的出口端连接所述清洗室的底部，所述清洗液由所述清洗室流入所述储液槽内，经过所述循环管道，并由所述清洗室的底部回流至所述清洗室内。
[0015]本专利技术中清洗室的上部设置有溢流口，储液槽通过溢流口与清洗室的上部连通，向清洗室内注入纳米气泡进行清洗时，清洗液在纳米气泡的搅动作用下，以及随着附着物的增加，容易由清洗室溢流至储液槽内。同时，吸附有悬浮颗粒物的纳米气泡收到浮力的影响，在液面上升时，随着清洗液一同进入到储液槽内。储液槽内的清洗液和部分纳米气泡经过循环管道由清洗室的底部，再回流至清洗室内，实现清洗液的循环流动，同时能够将部分脱出的附着物带离清洗室。
[0016]作为本专利技术一个优选技术方案，所述清洗室内腔的底部设置有若干导流管，所述导流管连通所述循环管道，所述导流管上分布有至少两个出液孔，所述出液孔的开口端朝向待清洗基板，所述循环管道内的清洗液流入所述导流管内，并由所述出液孔喷出。
[0017]本专利技术中清洗室的底部均匀铺设有导流管，储液槽内的清洗液由循环管道分配至各导流管内，并由出液孔喷出，有利于促进清洗室内纳米气泡的扰动，使得纳米气泡充分接触基板的表面，增强清洗效果。
[0018]优选地，所述循环模块包括设置于所述循环管道上的过滤组件。
[0019]优选地，所述过滤组件包括壳体，所述壳体内由下至上依次设置有滤网、颗粒层与超滤膜层，所述清洗液依次经过所述滤网、颗粒层与超滤膜层后流出所述壳体，并流入所述清洗室的底部。
[0020]本专利技术中溢流至储液槽内的清洗液中夹带有脱出的部分颗粒物和难溶物质等附着物，将其由壳体的底部依次经过滤网、颗粒层与超滤膜层，以除去悬浮颗粒物、附着物和杂质等，防止其回流至清洗室内影响清洗效果。
[0021]优选地，所述循环模块还包括设置于所述循环管道上的驱动组件，所述驱动组件用于驱动所述清洗液流动。
[0022]作为本专利技术一个优选技术方案，所述清洗系统还包括温控模块，所述温控模块用于控制所述清洗液的温度。
[0023]优选地，所述温控模块包括循环连接的热交换机构与制冷机构，所述热交换机构设置于所述清洗室内，所述制冷机构设置于所述清洗室的外部，所述制冷机构用于提供冷却介质，所述冷却介质进入所述热交换机构内，并与所述清洗液进行换热。
[0024]本专利技术中的冷却介质包括水。当清洗室内清洗液的温度高于设定值时，开启制冷机构，使得冷却介质进入热交换机构内，与清洗液进行换热，以降低清洗室内的温度，当清洗液的温度降低至低于设定值时，则关闭制冷机构，停止热交换。
[0025]本专利技术对于热交换机构与制冷机构不作具体限定，本领域技术人员可根据实际调整适用于清洗室内的热交换机构与制冷机构。为了帮助本领域技术人员更好地了解本专利技术
的整体技术方案及工作过程，本专利技术示例性地提供了如下制冷机构和热交换机构的具体结构与工作原理：
[0026]制冷机构为制冷机，制冷机的进水口与出水口分别连通热交换机构的两端，使得冷却介质在制冷机构与热交换机构之间循环流动。
[0027]热交换机构包括设置于清洗室内腔壁的冷却盘管，冷却盘管的进口端与出口端分别连通制冷机的出水口与进水口，制冷机构提供的冷却介质在冷却盘管内流通，并与清洗液发生热交换，降低清洗液的温度，其中，冷却盘管可以为毛细管，排布均匀，提高冷却效果。
[0028]作为本专利技术一个优选技术方案，所述纳米气泡供给模块包括纳米气泡发生装置、进液管道、进气管道与供给管道，所述进液管道用于向所述纳米气泡发生装置中提供清洗液，所述进气管道用于向所述纳米气泡发生装置中提供气体，所述清洗液与所述气体在所述纳米气泡发生装置内形成纳米气泡。
[0029]所述纳米气泡发生装置通过所述供给管道连接所述清洗室本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体基板清洗系统，其特征在于，所述半导体基板清洗系统包括清洗室、循环模块与纳米气泡供给模块，所述清洗室分别连接所述循环模块与纳米气泡供给模块；所述清洗室内盛装有清洗液，待清洗基板浸没于所述清洗液中，所述循环模块用于控制所述清洗液进行原位循环，所述纳米气泡供给模块用于向所述清洗室内注入纳米气泡。2.根据权利要求1所述的半导体基板清洗系统，其特征在于，所述清洗室设置有盖板，所述盖板用于密封所述清洗室；优选地，所述清洗室的底部还设置有排液管道；优选地，所述清洗室的顶部还设置有排风管道；优选地，所述清洗液包括碱性溶液。3.根据权利要求1或2所述的半导体基板清洗系统，其特征在于，所述循环模块包括储液槽与循环管道，所述储液槽与所述清洗室相互连通，所述循环管道的进口端连接所述储液槽，所述循环管道的出口端连接所述清洗室的底部，所述清洗液由所述清洗室流入所述储液槽内，经过所述循环管道，并由所述清洗室的底部回流至所述清洗室内。4.根据权利要求3所述的半导体基板清洗系统，其特征在于，所述清洗室内腔的底部设置有若干导流管，所述导流管连通所述循环管道，所述导流管上分布有至少两个出液孔，所述出液孔的开口端朝向待清洗基板，所述循环管道内的清洗液流入所述导流管内，并由所述出液孔喷出；优选地，所述循环模块包括设置于所述循环管道上的过滤组件；优选地，所述过滤组件包括壳体，所述壳体内由下至上依次设置有滤网、颗粒层与超滤膜层，所述清洗液依次经过所述滤网、颗粒层与超滤膜层后流出所述壳体，并流入所述清洗室的底部；优选地，所述循环模块还包括设置于所述循环管道上的驱动组件，所述驱动组件用于驱动所述清洗液流动。5.根据权利要求1
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4任一项所述的半导体基板清洗系统，其特征在于，所述清洗系统还包括温控模块，所述温控模块用于控制所述清洗液的温度；优选地，所述温控模块包括循环连接的热交换机构与制冷机构，所述热交...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈宗豪，施利君，宋金林，
申请(专利权)人：苏州晶洲装备科技有限公司，
类型：发明
国别省市：