【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的设备和方法
[0001]本文描述的本专利技术构思的实施例涉及基板处理设备。
技术介绍
[0002]为了制造半导体元件,通过对基板进行诸如光刻过程、蚀刻过程、灰化过程、离子注入过程和薄膜沉积过程的各种过程在基板诸如晶片上形成期望的图案。在各个过程中使用各种处理液和处理气体,并且在过程期间生成颗粒和过程副产物。为了从基板去除基板上的薄膜、颗粒和过程副产物,在每个过程之前和之后对基板执行液体处理过程。在一般的液体处理过程中,利用化学品和冲洗液处理并且然后干燥基板。在液体处理过程中,可以剥离基板上的SiN。
[0003]另外,使用诸如化学品和/或冲洗液的处理液的基板处理方法可以划分成分批地处理多个基板的分批式处理方法和逐个处理基板的单一式处理方法。
[0004]在用于共同处理多个基板的分批式处理方法中,通过将多个基板以竖直姿势共同浸渍在储存有化学品或冲洗液的处理槽中来执行基板处理。因此,基板处理的量产性优异,并且每个基板之间的处理质量是均匀的。然而,在分批式处理方法中,具有在顶表面上形成的图案的多个基板以竖直姿势浸渍。因此,如果在基板上形成的图案具有高纵横比,则在诸如提升基板的过程期间,在在基板上形成的图案处可能会出现图案倾斜现象。另外,如果在多个基板暴露于空气的状态下没有在短时间段内快速地执行干燥处理,则可能在暴露于空气的多个基板中的一些中生成水印。
[0005]另一方面,在逐个处理基板的单一式处理方法的情况下,执行基板处理以将化学品或冲洗液供应到以水平姿势旋转的单个基板。此外,在单一 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理设备,包括:处理槽,所述处理槽具有用于容纳处理液的容纳空间;支撑构件,所述支撑构件被配置为在所述容纳空间处以竖直姿势支撑至少一个基板;以及姿势改变机器人,所述姿势改变机器人被配置为将浸渍在所述处理液中的所述基板的姿势从所述竖直姿势改变为水平姿势,并且其中所述姿势改变机器人包括:主体,所述主体被配置为在其上保持所述基板;以及液体供应构件,所述液体供应构件被配置为将润湿液供应到放置在所述主体上的所述基板。2.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中所述液体供应构件包括:至少一个第一喷嘴,每个第一喷嘴将所述润湿液供应到放置在所述主体上的所述基板的第一区域;以及至少一个第二喷嘴,每个第二喷嘴将所述润湿液供应到放置在所述主体上的所述基板的第二区域,所述第二区域是与所述第一区域不同的区域。3.根据权利要求2所述的基板处理设备,其中从所述第一喷嘴供应的所述润湿液的喷射距离与从所述第二喷嘴供应的所述润湿液的喷射距离不同。4.根据权利要求3所述的基板处理设备,其中所述第一区域与所述第一喷嘴之间的距离短于所述第二区域与所述第二喷嘴之间的距离,所述第一区域和所述第二区域是所述基板的边缘区域,并且从所述第一喷嘴供应的所述润湿液的所述喷射距离短于从所述第二喷嘴供应的所述润湿液的所述喷射距离。5.根据权利要求4所述的基板处理设备,其中所述第一喷嘴的喷孔的直径大于所述第二喷嘴的喷孔的直径。6.根据权利要求5所述的基板处理设备,其中每单位时间传送到所述第一喷嘴的所述润湿液的供应流量与每单位时间传送到所述第二喷嘴的所述润湿液的供应流量相同。7.根据权利要求2至6中任一项所述的基板处理设备,其中所述主体包括:支撑主体,所述基板放置在所述支撑主体上;以及夹持主体,所述卡盘主体被配置为夹持放置在所述支撑主体上的所述基板。8.根据权利要求7所述的基板处理设备,其中所述液体供应构件安装在所述支撑主体上。9.根据权利要求7所述的基板处理设备,其中所述姿势改变机器人包括:关节部分;以及手部,所述手部联接到所述关节部分并且包括所述支撑主体和所述夹持主体,并且其中所述手部还包括紧固主体,所述紧固主体被配置为将所述夹持主体和所述支撑主体联接到所述关节部分。10.根据权利要求9所述的基板处理设备,其中所述液体供应构件安装在所述紧固主体上。11.根据权利要求10所述的基板处理的设备,其中所述液体供应构件是形成有所述第
一喷嘴和所述第二喷嘴的供应管道。12.根据权利要求9所述的基板处理设备,其中所述液体供应构件紧固到所述关节部分上,并且被配置为将所述润湿液供应到放置在所述支撑主体上的所述基板的中心区域。13.一种基板处理设备,包括:第一过程处理单元,所述第一过程处理单元被配置为以分批式方式处理基板;以及第二过程处理单元,所述第二过程处理单元被配置为以单一式方式处理所述基板,并且其中所述第一过程处理单元包括:姿势改变处理槽,所述姿势改变处理槽被配置为具有用于容纳液体的容纳空间;支撑构件,所述支撑构件被配置为在所述容纳空间处以竖直姿势支撑至少一个基板;以及姿势改变机...
【专利技术属性】
技术研发人员:崔峻荣,朴贵秀,张瑛珍,林俊铉,
申请(专利权)人:细美事有限公司,
类型:发明
国别省市:
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