半导体器件金属互连结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件金属互连结构及其形成方法，所述方法包括：提供衬底，衬底上形成有第一介质层，在第一介质层内形成第一导电结构；回刻部分第一导电结构；在第一导电结构上形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成第二介质层并进行化学机械抛光；在第二介质层内形成第二导电结构，第二导电结构与第一导电结构电连接。本发明专利技术能够提高金属互连结构的可靠性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件金属互连结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件金属互连结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件的后段制造过程中，需要进行金属互连结构形成工艺。随着半导体器件特征尺寸的不断缩小，金属互连线的间隔也越来越小，对不同层互连结构的对准精度也越来越高。但光刻工艺过程中，相邻互连结构肯定会存在对准偏差，随着互连线间隔的变小，会造成互连可靠性的降低，甚至器件的失效。

技术实现思路

[0003]为解决上述问题，本专利技术提供了一种半导体器件金属互连结构及其形成方法，增加了相邻互连金属结构的间距，有利于消除因为光刻工艺造成的套刻误差而产生的层间互连金属短接或可靠性降低的风险。
[0004]一方面，本专利技术提供一种半导体器件金属互连结构的形成方法，包括：
[0005]提供衬底，所述衬底上形成有第一介质层，在所述第一介质层内形成第一导电结构；
[0006]回刻部分所述第一导电结构；
[0007]在所述第一导电结构上形成刻蚀停止层；
[0008本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件金属互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有第一介质层，在所述第一介质层内形成第一导电结构；回刻部分所述第一导电结构；在所述第一导电结构上形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成第二介质层并进行化学机械抛光；在所述第二介质层内形成第二导电结构，所述第二导电结构与所述第一导电结构电连接。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一介质层内形成第一导电结构包括：在所述第一介质层内刻蚀出沟槽；在所述沟槽内形成第一扩散阻挡层；在所述沟槽内填充满金属。3.根据权利要求1所述的半导体器件金属互连结构的形成方法，其特征在于，其中在所述第二介质层内形成第二导电结构包括：采用单大马士革刻蚀工艺，在所述第二介质层内形成通孔；在所述通孔的表面形成第二扩散阻挡层；在所述通孔内填充满金属材料。4.根据权利要求1所述的半导体器件金属互连结构的形成方法，其特征在于，其中在所述第二介质层内形成第二导电结构包括：采用双大马士革刻蚀工艺，在所述第二介质层内形成沟槽和与所述沟槽对应的通孔；在所述沟槽和所述通孔的表面形成第二扩散阻挡层；在所述沟槽和所述通孔内填充满金属材料。5.根据权利要求3或4所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：高建峰，刘卫兵，李俊杰，周娜，杨涛，李俊峰，罗军，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：