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本发明提供一种半导体器件金属互连结构及其形成方法，所述方法包括：提供衬底，衬底上形成有第一介质层，在第一介质层内形成第一导电结构；回刻部分第一导电结构；在第一导电结构上形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成第二介质层并进行化学机械抛光；在第二介...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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