磁传感器制造技术

磁传感器具备：芯片焊盘；信号处理IC，其与芯片焊盘的第1面相对地配置；粘合层，其配置于芯片焊盘的第1面和信号处理IC的与芯片焊盘相对的第1面之间；以及至少一个磁电转换元件，其与信号处理IC的第1端面相对地配置，检测特定方向的磁场。芯片焊盘、信号处理IC、粘合层以及至少一个磁电转换元件被模制树脂密封。在俯视时，信号处理IC的第1端面的至少一部分位于比芯片焊盘的至少一个磁电转换元件侧的第1端面靠至少一个磁电转换元件侧的位置。在芯片焊盘的第1端面侧的第1面与信号处理IC的第1端面侧的第1面之间，设有供模制树脂进入的隔离部，隔离部的厚度小于芯片焊盘的厚度。离部的厚度小于芯片焊盘的厚度。离部的厚度小于芯片焊盘的厚度。

【技术实现步骤摘要】
磁传感器


[0001]本专利技术涉及一种磁传感器。

技术介绍

[0002]在专利文献1和专利文献2中公开了一种电流传感器，其具有磁电转换元件，基于由电流产生的磁通密度来检测电流。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特许第6415148号公报
[0006]专利文献2：日本特许第5695195号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题
[0008]在具有磁电转换元件的磁传感器中，期望减小外来噪声的影响。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]本专利技术的一技术方案的磁传感器具备：芯片焊盘；信号处理IC，其与芯片焊盘的第1面相对地配置；粘合层，其配置于芯片焊盘的第1面和信号处理IC的与芯片焊盘相对的第1面之间；以及至少一个磁电转换元件，其与信号处理IC的第1端面相对地配置，至少一个磁电转换元件检测特定方向的磁场。芯片焊盘、信号处理IC、粘合层以及至少一个磁电转换元件被模制树脂密封。可以是，在俯视时，信号处理IC的第1端面的至少一部分位于比芯片焊盘的至少一个磁电转换元件侧的第1端面靠至少一个磁电转换元件侧的位置。可以是，在芯片焊盘的第1端面侧的第1面与信号处理IC的第1端面侧的第1面之间，设有供模制树脂进入的隔离部，隔离部的厚度小于芯片焊盘的厚度。
[0011]可以是，在俯视时，信号处理IC的第1端面以外的端面配置在比芯片焊盘的第1端面以外的端面靠芯片焊盘的内侧的位置。
[0012]可以是，信号处理IC的第1端面以外的端面侧的第1面经由粘合层直接与芯片焊盘的第1面粘接。
[0013]可以是，该磁传感器还具备导体，该导体配置于至少一个磁电转换元件的周围，电流流经该导体。
[0014]可以是，导体具有开口部，至少一个磁电转换元件配置在开口部内。
[0015]可以是，至少一个磁电转换元件为多个磁电转换元件。
[0016]可以是，至少一个磁电转换元件为霍尔元件。
[0017]此外，上述的
技术实现思路
并未列举出本专利技术的全部特征。另外，这些特征组的子组合也能够成为专利技术。
附图说明
[0018]图1A是作为第1实施方式的磁传感器发挥功能的半导体封装内部的结构的俯视图。
[0019]图1B是图1A的A
‑
A线剖视图。
[0020]图2是表示磁传感器的包含磁电转换元件的信号处理电路的一例的图。
[0021]图3A是在图1B的信号处理IC芯片焊盘的端面的z轴方向正侧的端边设有台阶面的例子的图。
[0022]图3B是在图1B的信号处理IC芯片焊盘的端面的z轴方向正侧的端边设有斜面的例子的图。
[0023]图4A是表示在信号处理IC芯片焊盘的端面形成了斜面的情况下的、可靠性试验的吸湿/回流试验后的信号处理IC芯片焊盘的端面的上端附近的SEM截面观察的结果的图。
[0024]图4B是表示在对引线框仅实施了蚀刻加工的情况下的、可靠性试验的吸湿/回流试验后的信号处理IC芯片焊盘的端面的上端附近的SEM截面观察的结果的图。
[0025]图5A是作为第2实施方式的磁传感器发挥功能的半导体封装内部的结构的俯视图。
[0026]图5B是图5A的A
‑
A线剖视图。
[0027]图6A是在图5B的信号处理IC芯片焊盘的端面的z轴方向正侧的端边设有台阶面的例子的图。
[0028]图6B是在图5B的信号处理IC芯片焊盘的端面的z轴方向正侧的端边设有斜面的例子的图。
[0029]附图标记说明
[0030]1、2、磁传感器；10、模制树脂；11、磁电转换元件芯片焊盘；12、芯片焊盘；13、14、引线端子；15、引线；16、一次导体；21、21a、21b、磁电转换元件；22、信号处理IC；31、31a、31b、32、芯片贴装膜；41、41a、41b、41c、41d、42、141a、141b、142、导线；51、52、端面；55、台阶面；56、斜面；57、58、隔离部；61、绝缘体膜；71a、71b、71c、71d、72a、72b、72c、72d、电极焊盘；81a、81b、81c、81d、82a、82b、82c、82d、布线；91、磁电转换部；101、第1电位；102、第2电位；105、恒流源；111、112、运算放大器；121、122、123、电阻；150、仪表放大器。
具体实施方式
[0031]以下，通过专利技术的实施方式对本专利技术进行说明，以下的实施方式并非用于限定权利要求书中的技术方案。另外，实施方式中说明的特征的组合未必全部是专利技术的解决方案所必须的。
[0032]以下，对具有磁电转换元件并输出与磁场的大小对应的信号的磁传感器进行说明。磁电转换元件是根据向元件输入的磁场的大小而转换为电压或电流并输出的元件。磁电转换元件通常其输出信号较弱，磁灵敏度的温度特性不良。因此，磁电转换元件与信号处理IC一起被模制树脂密封，构成半导体封装，该信号处理IC具备将磁电转换元件的输出信号放大并校正磁灵敏度的温度特性的信号处理电路。
[0033]例如，在专利文献1中，公开了由U字形的一次导体、配置于一次导体的开口部的磁电转换元件以及信号处理IC构成的电流传感器。磁电转换元件检测由流经一次导体的电流
产生的磁场，搭载于较大的芯片焊盘上的信号处理IC的信号处理电路将与电流的大小对应的信号放大并输出。
[0034]此外，在专利文献2中公开了由信号处理IC和一次导体构成的电流传感器，该信号处理IC除了具备信号处理电路以外还具备磁电转换元件。从芯片焊盘突出配置的磁电转换元件检测由流经一次导体的电流产生的磁场，信号处理电路将与电流的大小对应的信号放大并输出。
[0035]但是，在专利文献1所记载的电流传感器中，信号处理IC配置于芯片焊盘的内侧，连接信号处理IC和磁电转换元件的导线的长度变长，有时会受到外来的噪声的影响。特别是，由于从一次导体产生较强的电场或者较高的频率的磁场，因此，有时因静电耦合或者感应耦合而在导线引起噪声电压。
[0036]此外，在专利文献2所记载的电流传感器中，由于磁电转换元件配置于自一次导体分开的位置，因此，有时输入到磁电转换元件的电流所产生的磁场大幅度变小，灵敏度显著降低。
[0037]另外，在专利文献1和专利文献2中，未考虑到在半导体封装内产生的剥离或裂纹。
[0038]因此，本实施方式的磁传感器提供一种减小外来噪声的影响且没有剥离或裂纹的品质优异的小型且高灵敏度的磁传感器。
[0039]图1A和图1B表示作为第1实施方式的磁传感器1发挥功能的半导体封装内部的结构。图1A表示从z轴方向观察的俯视图即上表面图。图1B是图1A的A
‑
A线剖视图。如图1A和图1B所示，磁传感器1例如具备模制树脂10、磁电转换元件芯片焊盘11、信号处理IC芯片焊盘12、引线端子13、磁电转换元件21、信号处理IC 22本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁传感器，其具备：芯片焊盘；信号处理IC，其与所述芯片焊盘的第1面相对地配置；粘合层，其配置于所述芯片焊盘的所述第1面和所述信号处理IC的与所述芯片焊盘相对的第1面之间；以及至少一个磁电转换元件，其与所述信号处理IC的第1端面相对地配置，所述至少一个磁电转换元件检测特定方向的磁场，所述芯片焊盘、所述信号处理IC、所述粘合层以及所述至少一个磁电转换元件被模制树脂密封，在该磁传感器中，在俯视时，所述信号处理IC的所述第1端面的至少一部分位于比所述芯片焊盘的所述至少一个磁电转换元件侧的第1端面靠所述至少一个磁电转换元件侧的位置，在所述芯片焊盘的所述第1端面侧的所述第1面与所述信号处理IC的所述第1端面侧的所述第1面之间，设有供所述模制树脂进入的隔离部，所述隔离部的厚度小于所述芯片焊盘的厚度。2.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中健，甲斐健司，石田拓也，
申请(专利权)人：旭化成微电子株式会社，
类型：发明
国别省市：