【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种控制电路、直流-直流转换器(dc-dc转换器)以及能量收集系统。
技术介绍
1、以往，已知有具有串联地配置在射频-直流转换电路(rf-dc转换电路)与dc-dc转换器之间的第一开关的mppt(maximum power point tracking：最大功率点追踪)控制电路。(例如，参照专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本专利第6152919号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、在将输入源的输出电压升压时，优选能够实现mppt动作的高速化和低电压启动这两方。
3、用于解决问题的方案
4、在本专利技术的第一方式中，提供一种用于对将输入源的输出电压升压并输出的dc-dc转换器进行控制的控制电路。在上述控制电路中，上述dc-dc转换器可以具有升压用线圈。上述任一个控制电路可以具有电容器。
5、上述任一个控制电路可以具备输入端子，上述输入端子被输入上述输出电压。上述任一个控制电路可以具备第一晶体管，上述第一晶体管配置在上述输入端子与上述升压用线圈及上述电容器之间。上述任一个控制电路可以具备开关启动部，上述开关启动部将上述输出电压升压后向上述第一晶体管的控制端子施加。
6、上述任一个控制电路可以是，还具备高电压选择器电路，上述高电压选择器电路用于选择向上述第一晶体管的上述控制端子施加的电压，上述高电压选择器电路选择通过上述开关启动部进
7、在上述任一个控制电路中，上述开关启动部可以当上述升压电压上升至预先规定的电压时成为断开状态。
8、上述任一个控制电路可以还具备mppt控制电路，上述mppt控制电路用于将上述升压电压输出到上述高电压选择器电路。
9、在上述任一个控制电路中，上述第一晶体管可以是n沟道mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor：金属-氧化物半导体场效应晶体管)。上述任一个控制电路可以具有与上述第一晶体管并联地配置的作为p沟道mosfet的第二晶体管。在上述任一个控制电路中，上述第二晶体管的源极端子可以被施加上述输出电压。在上述任一个控制电路中，mppt控制电路可以在向上述高电压选择器电路输出上述升压电压的期间，向上述第二晶体管的控制端子施加比上述升压电压低的基准电压。
10、在上述任一个控制电路中，上述mppt控制电路可以进行上述输入源的测定。上述任一个控制电路可以还具备dc-dc控制部，上述dc-dc控制部基于上述测定的结果来控制上述dc-dc转换器的动作。
11、在上述任一个控制电路中，所述mppt控制电路可以在测定所述输入源的开路电压或输出阻抗的期间将所述第一晶体管控制为截止状态。在上述任一个控制电路中，所述mppt控制电路可以在所述dc-dc转换器进行升压动作的期间将所述第一晶体管和第二晶体管中的至少任一方控制为导通状态。
12、在上述任一个控制电路中，所述第一晶体管可以被连接在所述升压用线圈的一端同所述电容器的一端之间的节点与所述控制电路的所述输入端子同所述开关启动部的输入端子之间的节点之间。
13、在本专利技术的第二方式中，提供一种dc-dc转换器，上述dc-dc转换器具备上述任一个控制电路。
14、在本专利技术的第三方式中，提供一种能量收集系统，上述能量收集系统具备上述dc-dc转换器和向上述dc-dc转换器输出输出电压的输入源。
15、此外，上述的专利技术的概要并非列举了本专利技术所需要的全部特征。另外，这些特征组的子组合也能够成为专利技术。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种控制电路，用于对将输入源的输出电压升压并输出的直流-直流转换器进行控制，所述控制电路的特征在于，
2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的控制电路，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的控制电路，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的控制电路，其特征在于，
6.根据权利要求4或5所述的控制电路，其特征在于，
7.根据权利要求5所述的控制电路，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，
9.一种直流-直流转换器，其特征在于，
10.一种能量收集系统，其特征在于，具备：
【技术特征摘要】
1.一种控制电路，用于对将输入源的输出电压升压并输出的直流-直流转换器进行控制，所述控制电路的特征在于，
2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的控制电路，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的控制电路，其特征在于，
5.根据权利要求4所...
【专利技术属性】
技术研发人员：林哲平，
申请(专利权)人：旭化成微电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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