一种用于化学气相沉积的气体控制柜制造技术

本发明专利技术涉及一种用于化学气相沉积的气体控制柜，包括第一控制柜以及第二控制柜，第一控制柜与第二控制柜相邻设置且第一控制柜的内部空间与第二控制柜的内部空间互相隔绝，第一控制柜用于控制气体流入，第二控制柜用于控制输送液体。本发明专利技术能够使得气体控制柜中的液体源材料管路与气体输入管路互不影响。体源材料管路与气体输入管路互不影响。体源材料管路与气体输入管路互不影响。

【技术实现步骤摘要】
一种用于化学气相沉积的气体控制柜


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种用于化学气相沉积的气体控制柜。

技术介绍

[0002]化学气相沉积中的反应物以气相的形式参与反应，液体源材料都会在气体控制柜里使用气化阀由液态加热转换成气态，并通过氦气的载流流入反应腔室。为了防止正硅酸乙酯等气体的冷却还原，反应腔室的气体管路都需要包装上加热带来维持温度，温度升高会影响到气体控制柜中的其他气体管路的升温，造成通入反应腔室的气体不能精准控制。部分现有技术采用将液体源材料管路远离气体管路排布，但这远不能达到两者互不影响的结果。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种用于化学气相沉积的气体控制柜，以使得气体控制柜中的液体源材料管路与气体输入管路互不影响。
[0004]本专利技术的目的是采用以下的技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种用于化学气相沉积的气体控制柜，包括第一控制柜以及第二控制柜，所述第一控制柜与所述第二控制柜相邻设置且所述第一控制柜的内部空间与所述第二控制柜的内部空间互相隔绝，所述第一控制柜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于化学气相沉积的气体控制柜，其特征在于，包括第一控制柜以及第二控制柜，所述第一控制柜与所述第二控制柜相邻设置，所述第一控制柜的内部空间与所述第二控制柜的内部空间互相隔绝，所述第一控制柜用于控制气体流入，所述第二控制柜用于控制输送液体。2.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积的气体控制柜，其特征在于，所述第一控制柜包括第一面板，所述第二控制柜包括第二面板，所述第一面板上集成有气体输入系统，所述第二面板上集成有液体输送系统。3.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积的气体控制柜，其特征在于，所述气体控制柜还包括第一盖板以及第二盖板，所述第一盖板盖合于所述第一控制柜，所述第二盖板盖合于所述第二控制柜。4.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积的气体控制柜，其特征在于，所述气体控制柜...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡宇航，金補哲，黄中山，刘洋，
申请(专利权)人：盛吉盛半导体技术上海有限公司，
类型：发明
国别省市：