半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

提供一种包括提高了性能的电感器的半导体装置以及半导体装置的制造方法。包括：电路部，其形成于半导体基板上；第一绝缘膜，其以覆盖包括电路部的上部在内的半导体基板上的区域的至少一部分的方式形成；重布线，其形成于第一绝缘膜上；线圈，其利用重布线而形成于第一绝缘膜上，并且与电路部连接；第一软磁性体膜，其形成于在线圈的下部设置的第一绝缘膜的开口部；以及第二软磁性体膜，其以覆盖线圈的至少一部分的方式形成于第一软磁性体膜上。至少一部分的方式形成于第一软磁性体膜上。至少一部分的方式形成于第一软磁性体膜上。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]作为半导体装置的封装的一个方式，已知有WL
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CSP(Wafer Level
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Chip Size Package：晶圆级芯片尺寸封装)。WL
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CSP是被称为CSP(Chip Size Package：芯片尺寸封装)的超小型集成电路的一种。CSP基本上是BGA(Ball Grid Array：球栅阵列)的一个方式，是大幅地减小BGA的尺寸从而缩小为与要安装的半导体芯片大致相同的尺寸的封装。对于此，对于WL
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CSP，在制造工艺中，在晶圆级的阶段，在电路表面的焊盘形成重布线层，留下重布线上的连接部，例如用树脂将表面密封，之后单片化为各个芯片。根据WL
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CSP，具有在将半导体集成电路安装于印制电路板等基板的情况下能够大幅地削减其所占面积等的效果。
[0003]作为公开了与BGA相关联的技术的文献，例如已知有专利文献1。专利文本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：电路部，其形成于半导体基板上；第一绝缘膜，其以覆盖包括所述电路部的上部在内的所述半导体基板上的区域的至少一部分的方式形成；重布线，其形成于所述第一绝缘膜上；线圈，其利用所述重布线而形成于所述第一绝缘膜上，并且与所述电路部连接；第一软磁性体膜，其形成于在所述线圈的下部设置的所述第一绝缘膜的开口部；以及第二软磁性体膜，其以覆盖所述线圈的至少一部分的方式形成于所述第一软磁性体膜上。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一绝缘膜以包围所述第一软磁性体膜的方式形成，所述半导体装置还包括形成于所述第一绝缘膜的上部并且包围所述第二软磁性体膜的第二绝缘膜。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一软磁性体膜与所述第二软磁性体膜被一体化，所述线圈被埋设于进行了一体化的所述第一软磁性体膜和所述第二软磁性体膜中。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述线圈经由设置于所述第一软磁性体膜的通孔而与所述电路部连接。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，还包括与外部连接的端子，该端子设置于所述第一绝缘膜上，并且经由形成于所述第一绝缘膜的通孔而与所述电路部连...

【专利技术属性】
技术研发人员：进藤正典，
申请(专利权)人：拉碧斯半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：