采用快速热处理提升异质结型光催化剂构建和性能的方法技术

本发明专利技术公开了采用快速热处理提升异质结型光催化剂构建和性能的方法，涉及半导体功能材料结构和性能改善技术领域，其技术方案要点是：具体包括以下步骤：S1：将不同导带底和价带顶位置的半导体粉体按一定摩尔比例分别称重取样；S2：将称重后的粉体进行研磨并混合；S3：将混合后的浆料进行烘干脱水，得到充分混合的粉体；S4：将充分混合后的粉体进行快速热处理，得到快速热处理后的半导体异质结粉体；其中，升温速率≥200℃/S，最高温度保温时间≥10min；S5：将半导体异质结粉体放置在污染物溶液中，通过高压汞灯照射进行光催化降解，获得提高的光催化降解数据。该方法通过采取快速热处理的方式，可以使非纳米尺寸的异质结型光催化剂表现出良好的光催化性。化剂表现出良好的光催化性。化剂表现出良好的光催化性。

【技术实现步骤摘要】
采用快速热处理提升异质结型光催化剂构建和性能的方法


[0001]本专利技术涉及半导体功能材料结构和性能改善
，更具体地说，它涉及采用快速热处理提升异质结型光催化剂构建和性能的方法。

技术介绍

[0002]异质结是材料复合的一种方式，多用于半导体材料的复合和性能改善。通过这种方式将不同禁带宽度、不同导带底和价带顶位置的半导体材料组合在一起，可以通过能带结构的不同达到电荷分离、降低有效禁带宽度的效果，从而提高半导体材料的特定性能指标。
[0003]半导体异质结型光催化剂是提高光催化活性的有效方法。光催化反应是当光照射在半导体上，当入射光的能量大于半导体的禁带宽度时，价带上的电子就会被激发跃迁至导带，同时价带上会产生相应的空穴，从而产生了电子
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空穴对。这种电子
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空穴对并不会稳定存在，而是会再次复合。但若半导体表面有吸附污染物的存在，那么电子和空穴就不会复合，而是会和污染物发生还原及氧化反应，从而达到将污染物降解的效果。
[0004]半导体异质结是将两种半导体复合在一起，造成禁带宽度、导带底本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.采用快速热处理提升异质结型光催化剂构建和性能的方法，其特征是：具体包括以下步骤：S1：将不同导带底和价带顶位置的半导体粉体按一定摩尔比例分别称重取样；S2：将称重后的粉体进行研磨并混合；S3：将混合后的浆料进行烘干脱水，得到充分混合的粉体；S4：将充分混合后的粉体进行快速热处理，得到快速热处理后的半导体异质结粉体；其中，升温速率≥200℃/S，最高温度保温时间≥10min；S5：将半导体异质结粉体放置在污染物溶液中，通过高压汞灯照射进行光催化降解，获...

【专利技术属性】
技术研发人员：邴丽娜，沈振江，吴伟，赵志斌，
申请(专利权)人：海南师范大学，
类型：发明
国别省市：