一种CVD法石墨烯反应炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种CVD法石墨烯反应炉，属于石墨烯技术领域。该反应炉包括炉本体，炉本体内设有生长基底，炉本体一端设有第一漏斗型连接部，第一漏斗型连接部远离炉本体的一端连接进气管；第一漏斗型连接部的较小端设有截面为形状为半球壳的气体分布器，气体分布器上密布有排气孔，距离气体分布器的中心越远，排气孔的孔径越大；距离第一漏斗型连接部的侧壁越近，排气孔中心线和与该排气孔最接近的第一漏斗型连接部的侧壁之间的夹角越小。本实用新型专利技术通过设置第一漏斗型连接部、气体分布器和排气孔，并限定排气孔的设置方式，使得最终进入炉本体内的气体更加均匀、分散，使得最终制得的石墨烯的效果更好。得的石墨烯的效果更好。得的石墨烯的效果更好。

【技术实现步骤摘要】
一种CVD法石墨烯反应炉


[0001]本技术属于石墨烯
，具体涉及一种CVD法石墨烯反应炉。

技术介绍

[0002]CVD是指高温下的气相反应，采用CVD法制备石墨烯时，其基本过程如下所示：通过将碳氢化合物等含碳气体通入带有基片的沉积炉中，通过高温将含碳气体分解为碳原子使其沉积于基片的表面，进而形成石墨烯，随后通过多种方法将石墨烯薄膜从基片上分离以得到高纯度石墨烯。
[0003]而现有的反应炉，比如中国专利CN206428001U公开了一种生长石墨烯的装置，其通过设置匀气室和匀气筛来使得进入反应腔内的气流相对更加均匀，同时设置相应的挡板以减小进入匀气室的气流对基片产生扰动。但是，其设置的挡板使得完全分散至两侧，导致进入中部的新鲜气流较少；在不设置挡板时，导致气流大多进入中部，对气流的分散效果相对较差。

技术实现思路

[0004]为解决上述至少一种问题，本技术提供了一种CVD法石墨烯反应炉，其分散性更好，最终能够制得更加均一的石墨烯。
[0005]本技术的技术方案是：一种CVD法石墨烯反应炉，包括炉本体，所述炉本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CVD法石墨烯反应炉，其特征在于，包括炉本体，所述炉本体内设有生长基底，所述炉本体一端设有第一漏斗型连接部，所述第一漏斗型连接部远离所述炉本体的一端连接进气管；所述第一漏斗型连接部的较小端设有截面为形状为半球壳的气体分布器，所述气体分布器上密布有排气孔，距离所述气体分布器的中心越远，所述排气孔的孔径越大；距离所述第一漏斗型连接部的侧壁越近，所述排气孔中心线和与该排气孔最接近的第一漏斗型连接部的侧壁之间的夹角越小。2.根据权利要求1所述的CVD法石墨烯反应炉，其特征在于，所述气体分...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢刚，付丽，白杨，
申请(专利权)人：西南石油大学，
类型：新型
国别省市：