太阳能电池的制备方法及太阳能电池技术

本申请提供太阳能电池的制备方法及太阳能电池。太阳能电池的制备方法，包括：提供P型硅基底；第一次制绒；在P型硅基底的背面或者背面和正面依次形成隧穿氧化层、N+掺杂多晶硅层及氧化硅保护层，以获得第一中间电池片；去除氧化硅保护层位于预设N+掺杂区域的部分之外的其他部分，以获得第二中间电池片；对第二中间电池片碱抛光处理后获得第三中间电池片；第二次制绒；在第四中间电池片的正面和背面形成钝化减反层。对第四中间电池片金属化处理以形成金属电极，获得太阳能电池。本申请第一方面提供的太阳能电池同时实现P+掺杂区域和N+掺杂区域最佳钝化效果，进一步提高太阳能电池效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池的制备方法及太阳能电池


[0001]本申请涉及太阳能电池
，尤其涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池。

技术介绍

[0002]目前，IBC电池(Interdigitatedback contact，叉指式背接触电池)因具备多项优点，例如电池正面无遮光、无金属接触复合等而逐渐受到青睐。但是目前制备IBC电池工艺复杂，制备成本高昂，不利于大型商业化生产，且如何进一步提升IBC太阳能电池的光电转换效率，也是人们亟需解决的问题。
[0003]因此，亟需一种新的太阳能电池的制备方法及太阳能电池。

技术实现思路

[0004]本申请第一方面提供一种太阳能电池的制备方法，包括：
[0005]提供P型硅基底，预设P+掺杂区域和预设N+掺杂区域在P型硅基底背侧交替间隔分布；
[0006]第一次制绒，对P型硅基底制绒处理，以使P型硅基底的正面和背面均形成第一绒面结构；
[0007]在P型硅基底的背面或者背面和正面依次形成隧穿氧化层、N+掺杂多晶硅层及氧化硅保护层，以获得第一中间电池片；
[0008]去除氧化硅保护层位于预设N+掺杂区域的部分之外的其他部分，以获得第二中间电池片；
[0009]对第二中间电池片碱抛光处理后获得第三中间电池片，第三中间电池片的正面和第三中间电池片的背面处于预设P+掺杂区域的部分均为光滑表面；
[0010]第二次制绒，对第三中间电池片制绒处理后获得第四中间电池片，第四中间电池片的正面和第四中间电池片的背面处于预设P+掺杂区域的部分均形成第二绒面结构，第四中间电池片的背面处于预设N+掺杂区域的部分仍保留第一绒面结构；
[0011]在第四中间电池片的正面和背面形成钝化减反层；
[0012]对第四中间电池片金属化处理以形成金属电极，获得太阳能电池。
[0013]本申请第一方面提供的太阳能电池的制备方法，巧妙地利用设置在N+掺杂多晶硅层之上的氧化硅保护层作为太阳能电池制备过程中的自身掩膜层，使得预设N+掺杂区域在碱抛光处理过程中不受影响保留第一制绒中形成的第一绒面结构，第二次制绒在不影响第一绒面结构的情况下在预设P+掺杂区域处形成第二绒面结构。预设P+掺杂区域和预设N+掺杂区域因形成不同的绒面结构二具有两种不同的表面状态，钝化减反层在预设P+掺杂区域和预设N+掺杂区域上生长速率不同，从而实现了通过控制预设P+掺杂区域和预设N+掺杂区域的表面状态来控制钝化减反层在P+掺杂区域部分的厚度和钝化减反层在N+掺杂区域的厚度。IBC电池中由于P+掺杂区域和N+掺杂区域两者的自身结构不同导致所需的钝化减反
层最佳厚度也不同，钝化减反层达到最佳厚度时可具有最佳钝化效果和实现最小金属复合，使得太阳能电池的效率得以提升。综上，本申请第一方面提供了一种P+掺杂区域和N+掺杂区域表面形貌可以自由调整的太阳能电池的制备方法，P+掺杂区域和N+掺杂区域表面形貌的自由调整进而使得各掺杂区域所对应钝化减反层的部分的厚度可以被自由设计并有效控制，同时实现P+掺杂区域和N+掺杂区域的最佳钝化条件，以提高电池效率。
[0014]本申请第二方面提供一种太阳能电池，太阳能电池由本申请第一方面提供的太阳能电池的制备方法制备而成，P+掺杂区域和N+掺杂区域在太阳能电池背侧交替间隔分布，
[0015]太阳能电池处于P+掺杂区域的部分具有第二绒面结构，太阳能电池处于N+掺杂区域的部分具有第一绒面结构，太阳能电池背面的钝化减反层包括厚度不相等的第一部分和第二部分，其中，第一部分处于P+掺杂区域，第二部分处于N+掺杂区域。
[0016]本申请第二方面提供的太阳能电池中，钝化减反层的第一部分的厚度适配于P+掺杂区域的结构，使得钝化减反层的第一部分在P+掺杂区域中能达到最佳钝化效果，实现在P+掺杂区域中最小的金属复合；钝化减反层的第二部分的厚度适配于N+掺杂区域的结构，使得钝化减反层的第二部分在N+掺杂区域中能达到最佳钝化效果，实现在N+掺杂区域中最小的金属复合。本申请第二方面的太阳能电池，电池效率得以提高。
附图说明
[0017]图1为本申请第一方面提供的太阳能电池的制备方法一实施例的流程示意图；
[0018]图2为本申请第一方面的实施例1中P型硅基底的结构示意图；
[0019]图3为本申请第一方面的实施例1中完成步骤S20后P型硅基底的结构示意图；
[0020]图4为本申请第一方面的实施例1中完成步骤S30后第一中间电池片的结构示意图；
[0021]图5为本申请第一方面的实施例1中完成步骤S41后的第一中间电池片的结构示意图；
[0022]图6为本申请第一方面的实施例1中完成步骤S42后得到的第二中间电池片的结构示意图；
[0023]图7为本申请第一方面的实施例1中完成步骤S50后得到第三中间电池片的结构示意图；
[0024]图8为本申请第一方面的实施例1中完成步骤S60后得到第四中间电池片的结构示意图；
[0025]图9为本申请第一方面的实施例1中完成步骤S70后的第四中间电池片的结构示意图；
[0026]图10为本申请第一方面的实施例1中完成步骤S81后的第四中间电池片的结构示意图；
[0027]图11为本申请第一方面的实施例1中完成步骤S82后制得的太阳能电池结构示意图；
[0028]图12为本申请第一方面的实施例2中完成步骤S30后第一中间电池片的结构示意图；
[0029]图13为本申请第一方面的实施例2中完成步骤S41后的第一中间电池片的结构示
意图；
[0030]图14为本申请第一方面的实施例1中完成步骤S42后得到的第二中间电池片的结构示意图。
[0031]附图标记说明：
[0032]1‑
P型硅基底；2
‑
隧穿氧化层；3
‑
N+掺杂多晶硅层；4
‑
背面钝化减反层；41
‑
槽口；5
‑
正面钝化减反层；6
‑
金属正电极；7
‑
P+重掺杂区域；8
‑
金属负电极；9
‑
氧化硅保护层。
[0033]A
‑
P+掺杂区域；A1
‑
第二绒面结构；A2
‑
预设P+掺杂区域；B
‑
N+掺杂区域；B1
‑
第一绒面结构；B2
‑
预设N+掺杂区域。
具体实施方式
[0034]下面将结合附图对本申请的技术方案进行详细说明。
[0035]目前，IBC电池(Interdigitatedback contact，叉指式背接触电池)因具备多项优点，例如电池正面无遮光、无金属接触复合等而逐渐受到青睐。但是目前制备IBC电池得制备工艺中利用新增的掩膜板来形成交替间隔排布的P+掺杂区域和N+掺杂区域，但是制作过程中必须用到多张掩膜板，增加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：提供P型硅基底，预设P+掺杂区域和预设N+掺杂区域在所述P型硅基底背侧交替间隔分布；第一次制绒，对所述P型硅基底制绒处理，以使所述P型硅基底的正面和背面均形成第一绒面结构；在所述P型硅基底的背面或者背面和正面依次形成隧穿氧化层、N+掺杂多晶硅层及氧化硅保护层，以获得第一中间电池片；去除所述氧化硅保护层位于所述预设N+掺杂区域的部分之外的其他部分，以获得第二中间电池片；对所述第二中间电池片碱抛光处理后获得第三中间电池片，所述第三中间电池片的正面和所述第三中间电池片的背面处于所述预设P+掺杂区域的部分均为光滑表面；第二次制绒，对所述第三中间电池片制绒处理后获得第四中间电池片，所述第四中间电池片的正面和所述第四中间电池片的背面处于所述预设P+掺杂区域的部分均形成第二绒面结构，所述第四中间电池片的背面处于所述预设N+掺杂区域的部分仍保留所述第一绒面结构；在所述第四中间电池片的正面和背面形成钝化减反层；对所述第四中间电池片金属化处理以形成金属电极，获得太阳能电池。2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述氧化硅保护层含磷或不含磷。3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述去除所述氧化硅保护层位于所述预设N+掺杂区域的部分之外的其他部分，以获得第二中间电池片的步骤包括：图案化去除所述第一中间电池片的背面上所述氧化硅保护层位于所述预设P+掺杂区域的部分；对所述第一中间电池片的正面进行单面刻蚀，以去除所述第一中间电池片的正面上的所述氧化硅保护层。4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述对所述第四中间电池片金属化处理以形成金属电极，获得太阳能电池的步骤包括：对所述第四中间电池片的所述预设P+掺杂区域开槽处理，形成开槽区域；印刷金属浆料至所述开槽区域和所述预设N+掺杂区域，再烧结完成所述金属化处理，形成所述金属电极。5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述P型硅基底的背面依次形成隧穿氧化层、N+掺杂多晶硅层及氧化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄卓，陈斌，刘娟，
申请(专利权)人：晶澳扬州太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：