一种清洗半导体等离子蚀刻装置气体分压喷淋器表面及气孔内多种沉积物的工艺制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种清洗半导体等离子蚀刻装置气体分压喷淋器表面及气孔内多种沉积物的工艺，包括密封防水保护；对陶瓷板与本体之间粘连层的粘连程度检测；对气孔进行冲洗；通过CDA对气孔进行吹扫；使用混合溶液A对气孔进行冲洗；用无尘布蘸取混合溶液B对陶瓷面进行擦拭；打磨；用无尘布蘸取混合溶液C对气体分压喷淋器正面的陶瓷面进行擦拭；通过CDA对气孔进行吹扫；烘干；密封防水保护；对陶瓷板与本体之间粘连层的粘连程度洗后检测；进行超声清洗；吹扫；最终烘干。本工艺使气体分压喷淋器表面以及气孔内绝对洁净，保证反应气体通路的绝对洁净，大大降低了杂质污染到反应气体的可能性，使清洗后的部件能够达到设备腔体内微环境使用要求。使用要求。使用要求。

【技术实现步骤摘要】
一种清洗半导体等离子蚀刻装置气体分压喷淋器表面及气孔内多种沉积物的工艺


[0001]本专利技术涉及半导体精密设备关键部件清洗翻新
，具体涉及一种清洗半导体等离子蚀刻装置气体分压喷淋器表面及气孔内多种沉积物的工艺。

技术介绍

[0002]半导体等离子干法刻蚀(Plasma Dry ETCH)，是目前半导体刻蚀领域较为主流的刻蚀方式，其原理是暴露在电子区域的具有腐蚀性气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，形成了等离子，电离气体原子通过电场加速轰击芯片表面，使芯片表面原子或分子与等离子气氛中的活性原子接触并发生反应，形成气态生成物而离开晶面造成蚀刻；气体分压喷淋器是在蚀刻反应腔内，为等离子体提供多种气源的部件，并且会根据被刻蚀芯片的需要调节中心区域及外圈喷淋气体的压力，该部件结构复杂，是刻蚀芯片的核心部件。
[0003]气体分压喷淋器在芯片刻蚀过程会处理多种腐蚀性气体(如cl、B)以及在腔体中等离子体轰击芯片时产生硅、氧化硅及多晶硅残膜沉积，如果残膜沉积过多会有掉落的风险，从而影响腔体内的环境，因此工作一段时间需本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种清洗半导体等离子蚀刻装置气体分压喷淋器表面及气孔内多种沉积物的工艺，其特征在于，包括：步骤一：将气体分压喷淋器背面及侧面用胶带进行密封防水保护；步骤二：将保护好的气体分压喷淋器放入到超声波断层扫描仪中进行陶瓷板与本体之间粘连层的粘连程度检测；步骤三：检测结束后，将气体分压喷淋器背面及侧面的胶带去掉，并对背面及侧面进行IPA擦拭；步骤四：安装气体分压喷淋器的气孔冲洗治具，使气体分压喷淋器正面带出气孔的陶瓷面向上，并接通纯水及高纯氮气管路；步骤五：打开纯水及高纯氮气开关，对气体分压喷淋器气孔进行冲洗；步骤六：冲洗完成后，关闭并断开纯水及氮气开关，通过CDA对气孔进行吹扫，去除残余纯水；步骤七：配置混合溶液A；步骤八：使用混合溶液A并通过耐酸碱泵对气体分压喷淋器气孔进行冲洗，冲洗时间为25
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35min，流量为200～300L/h；步骤九：冲洗完毕后，关闭并断开耐酸碱泵，打开纯水及高纯氮气开关，对气体分压喷淋器气孔进行冲洗；步骤十：配置混合溶液B；步骤十一：关闭纯水开关，保持高纯氮气持续吹扫气孔；步骤十二：用无尘布蘸取混合溶液B对气体分压喷淋器正面的陶瓷面进行擦拭；步骤十三：擦拭结束后将纯水开关打开，并保持高纯氮气持续吹扫气孔；步骤十四：冲洗结束后关闭纯水开关，并保持高纯氮气持续吹扫气孔，用金刚石打磨片对陶瓷表面进行打磨；步骤十五：配置混合溶液C；步骤十六：用无尘布蘸取混合溶液C对气体分压喷淋器正面的陶瓷面进行擦拭，擦拭过程中保持高纯氮气持续吹扫气孔；步骤十七：擦拭结束后将纯水开关打开，并保持高纯氮气持续吹扫气孔；步骤十八：冲洗结束后，关闭并断开纯水及氮气开关，通过CDA对气孔进行吹扫，去除残余纯水；步骤十九：将气体分压喷淋器从气孔冲洗治具上拆解下来，通过CDA吹干表面残余水分；步骤二十：将气体分压喷淋器放入无尘烘箱中进行烘干；步骤二十一：烘干结束后将气体分压喷淋器背面及侧面用胶带进行密封防水保护；步骤二十二：将保护好的气体分压喷淋器放入到超声波断层扫描仪中进行陶瓷板与本体之间粘连层的粘连程度洗后检测；步骤二十三：检测结束后，将气体分压喷淋器背面及侧面的胶带去掉，并对背面及侧面进行IPA擦拭；步骤二十四：将气体分压喷淋器放入到超声波清洗机中进行超声清洗；步骤二十五：超声清洗结束以后，用高纯氮气枪对气体分压喷淋器整体进行吹扫，去除
残余水分；步骤二十六：对气体分压喷淋器进行最终烘干。2.根据权利要求1所述一种清洗半导体等离子蚀刻装置气体分压喷淋器表面及气孔内多种沉积物的工艺，其特征在于，步...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱光宇，贺贤汉，王松朋，李泓波，
申请(专利权)人：富乐德科技发展大连有限公司，
类型：发明
国别省市：