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本发明公开了一种清洗半导体等离子蚀刻装置气体分压喷淋器表面及气孔内多种沉积物的工艺,包括密封防水保护;对陶瓷板与本体之间粘连层的粘连程度检测;对气孔进行冲洗;通过CDA对气孔进行吹扫;使用混合溶液A对气孔进行冲洗;用无尘布蘸取混合溶液B对陶...该专利属于富乐德科技发展(大连)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过富乐德科技发展(大连)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种清洗半导体等离子蚀刻装置气体分压喷淋器表面及气孔内多种沉积物的工艺,包括密封防水保护;对陶瓷板与本体之间粘连层的粘连程度检测;对气孔进行冲洗;通过CDA对气孔进行吹扫;使用混合溶液A对气孔进行冲洗;用无尘布蘸取混合溶液B对陶...