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带有温度继电器的钠灯触发器制造技术

技术编号:3705344 阅读:150 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种带有温度继电器的钠灯触发器,相电压从正端经变压器的初级线圈,一路通过变压器的次级线圈分别经相位电容至负端、经充电电容至二极管正极,一路经可控硅、二极管及电阻至负端,一路通过电阻及旁路电容分别经二极管、电阻至负端和经触发二极管至可控硅的控制极。其特征在触发电路的正端或负端串接一个双金属温度继电器。本实用新型专利技术适用于交流电压不低于180V,功率35-400W钠灯的启动。(*该技术在2004年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种钠灯触发器,具体地说明是一种带有温度继电器的钠灯触发器。目前市埸上销售的钠灯触发器,一般的电路均由双向可控硅、双向触发管、二极管、电阻、是容及变压器组成,结构比较简单,使用也较为方便。但存在这样一个问题,触发器启动钠灯后,触发器电路仍处接通状态,如果钠灯损坏,则触发器处于长时间工作状态,容易造成触发器电子元器件的损坏。本技术的目的在于提供一种带有温度继电器的钠灯触发器。为了实现上述目的,本技术采用如下技术方案一种带有温度继电器的钠灯触发器,包括壳体及用环氧树脂封装在壳体内的触发电路,触发电路组成是相电压从正端经变压器的初级线圈,一路通过变压器的次级线圈分别经相位电容至负端、经充电电容至二极管正极,一路经双向可控硅、二极管及限流电阻至负端,一路通过分压电阻及旁路电容分别经二极管、分压电阻至负端和经触发二极管至双向可控硅的控制极。本技术特征在于触发电路的正端或负端串接一个双金属温度继电器。本技术的积极效果在于触发器电子元器件,因受外界环境的影响,或本身由于处于长时间的工作下,其温度达到一定值时,温度继电器切断触发器外电路,保护触发器的电子元器件不受损坏。以下结合附图对本技术作详细说明。附图说明图1是本技术结构示意图;图2是本技术电路原理图。如图1-2所示。本技术由壳体1和触发电路2组成,触发电路用环氧树脂封装于壳体内。在负端B线路中串接一个微型双金属温度继电器5。触发电路是这样组成的,相电压从正端A经变压器6的初级线圈L2,一路通过变压器的次级线圈L1分别经相位电容C1、双金属温度继电器至负端,经充电电容C2至二极管VD2正极;一路经双向可控硅VD4、二极管VD2、限流电阻R3及双金属温度继电器至负端;一路通过分压电阻R2及旁路电容C3分别经二极管VD1、分压电阻R1及双金属温度继电器至负端,经触发二极管VD3至双向可控硅的控制极。双金属温度继电器的接触片由双金属材质制成,当触发器电子元器件因受外界环境的影响,或由于钠灯4损坏,使触发器处于长时间的工作下,其温度达到断开双金属调定温度时,双金属温度继电器接触片跳开,切断触发器电路,保护触发器的电子元器件不受损坏。本技术适用于交流电压不低于180V,功率35-400W钠灯的启动。权利要求一种带有温度继电器的钠灯触发器,包括壳体(1)及用环氧树脂封装在壳体内的触发电路(2),触发电路组成是相电压从正端(A)经变压器(6)的初级线圈(L2),一路通过变压器的次级线圈(L1)分别经相位电容(C1)至负端(B)、经充电电容(C2)至二极管(VD2)正极,一路经双向可控硅(VD4)、二极管(VD2)及限流电阻(R3)至负端,一路通过分压电阻(R2)及旁路电容(C3)分别经二极管(VD1)、分压电阻(R1)至负端和经触发二极管(VD3)至双向可控硅的控制极,其特征在于触发电路(2)的正端(A)或负端(B)串接一个双金属温度继电器(5)。专利摘要本技术公开了一种带有温度继电器的钠灯触发器,相电压从正端经变压器的初级线圈,一路通过变压器的次级线圈分别经相位电容至负端、经充电电容至二极管正极,一路经可控硅、二极管及电阻至负端,一路通过电阻及旁路电容分别经二极管、电阻至负端和经触发二极管至可控硅的控制极。其特征在触发电路的正端或负端串接一个双金属温度继电器。本技术适用于交流电压不低于180V,功率35—400W钠灯的启动。文档编号H05B41/30GK2185497SQ94227888公开日1994年12月14日 申请日期1994年3月22日 优先权日1994年3月22日专利技术者朱明祖, 姚春江 申请人:朱明祖, 姚春江本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带有温度继电器的钠灯触发器,包括壳体(1)及用环氧树脂封装在壳体内的触发电路(2),触发电路组成是相电压从正端(A)经变压器(6)的初级线圈(L↓[2]),一路通过变压器的次级线圈(L↓[1])分别经相位电容(C↓[1])至负端(B)、经充电电容(C↓[2])至二极管(VD↓[2])正极,一路经双向可控硅(VD↓[4])、二极管(VD↓[2])及限流电阻(R↓[3])至负端,一路通过分压电阻(R↓[2])及旁路电容(C↓[3])分别经二极管(VD↓[1])、分压电阻(R↓[1])至负端和经触发二极管(VD↓[3])至双向可控硅的控制极,其特征在于触发电路(2)的正端(A)或负端(B)串接一个双金属温度继电器(5)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:朱明祖姚春江
申请(专利权)人:朱明祖姚春江
类型:实用新型
国别省市:31[中国|上海]

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