半导体结构、半导体结构的制备方法及装置制造方法及图纸

本申请提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法及装置，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构的性能差、良率低的技术问题，该半导体结构包括基底、介质层和绝缘膜，介质层设置于基底上，介质层内间隔设置有多个导电结构，且相邻导电结构之间的介质层内设置有沟槽，沟槽暴露基底；绝缘膜填充沟槽，其中，绝缘膜中掺杂有均匀分布的超微气泡，超微气泡的介电常数小于绝缘膜的介电常数。本申请能够降低相邻的导电结构之间的寄生电容的电容值，从而提升半导体结构的性能，进而提高半导体结构的良率。良率。良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构、半导体结构的制备方法及装置


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构、半导体结构的制备方法及装置。

技术介绍

[0002]在半导体结构的制备过程中，导电结构是半导体结构中不可或缺的结构，例如，动态随机存储器((Dynamic Random Access Memory，简称DRAM))，所形成的动态随机存储器通常包括核心存储区和外围电路区，其中，核心存储区用于设置多个存储单元，用于对数据信息进行存储，核心存储区和外围电路区通常包括栅极结构等导电结构，导电结构用于与存储单元电连接，以使得存储单元完成对数据信息的存储或者读取。
[0003]相关技术中，半导体结构包括基底和设置于基底上的介质层，介质层中包括多个间隔设置的导电结构以及用于隔离各个导电结构的绝缘膜，随着半导体结构向小型化、集成化的方向发展，使得位于同一个介质层中的相邻导电结构之间的间距也随之减小，以减小半导体结构的整体尺寸。
[0004]然而，相邻导电结构之间会产生寄生电容，而该寄生电容会影响半导体结构的性能，导致半导体结构的良率低的技术问题本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；介质层，所述介质层设置于所述基底上，所述介质层内间隔设置有多个导电结构，且相邻所述导电结构之间的介质层内设置有沟槽，所述沟槽暴露所述基底；绝缘膜，所述绝缘膜填充所述沟槽，其中，所述绝缘膜中掺杂有均匀分布的超微气泡，所述超微气泡的介电常数小于所述绝缘膜的介电常数。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述超微气泡的介电常数为1.01～1。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述超微气泡包括氩气、氮气、氦气、干燥空气中的至少一种。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述超微气泡的径向尺寸为10nm～50nm。5.根据权利要求1
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3中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘膜为二氧化硅膜或硼磷硅玻璃膜中的一者。6.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基底；在所述基底上形成介质层，所述介质层内设置有间隔设置的多个导电结构，且相邻所述导电结构之间的介质层中形成有暴露所述基底的沟槽；向所述介质层的表面提供前驱体，并采用旋涂电介质工艺将所述介质层表面的所述前驱体旋涂形成绝缘膜，所述绝缘膜位于所述介质层的表面上并填充所述沟槽；其中，所述前驱体中掺杂有超微气泡，所述超微气泡的介电常数小于所述前驱体的介电常数。7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述向所述介质层的表面提供绝缘膜的前驱体之前包括：向所述前驱体中通入超微气体；采用超声波使所述前驱体中的所述超微气体发生振荡以产生多个超微气泡，并均匀分布于所述前驱体中；对掺杂有所述超微气泡的所述前驱体进行过滤，以使得过滤后的所述前驱体中掺杂的所述超微气泡的尺寸大小一致。8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述向所述前驱体中通入超微气体之前还包括：向所述前驱体提供驱动气体，以向所述前驱体提供流动气压；去除所述前驱体中的气泡。9.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，可选择性的调控所述超声波的振荡功率、振荡时间或所述超微气体的流量中的至少一者，以调控所述前驱体中产生的所述超微气泡的数量、尺寸大小以及分布。10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述超声波的振荡功...

【专利技术属性】
技术研发人员：李蒙，吴天成，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：