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本申请提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法及装置，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构的性能差、良率低的技术问题，该半导体结构包括基底、介质层和绝缘膜，介质层设置于基底上，介质层内间隔设置有多个导电结构，且相邻导电结构之间的介质层内设...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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