晶圆缺陷的确定及加工方法、装置、晶圆制造方法及图纸

本公开提供了一种晶圆缺陷的确定方法及装置、晶圆加工方法及装置、晶圆，所述晶圆缺陷的确定方法包括：至少获取多个晶圆中各晶圆的缺陷图形的分布信息；基于所述分布信息确定各晶圆中缺陷图形与该晶圆圆心之间的距离；基于各晶圆中缺陷图形与该晶圆圆心之间的距离，确定缺陷图形对应的缺陷原因。本公开实施例通过对晶圆造成的缺陷进行分析确定，这样在晶圆加工过程中，可以尽量克服加工导致的晶圆缺陷，从而提升晶圆的产品良率。从而提升晶圆的产品良率。从而提升晶圆的产品良率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆缺陷的确定及加工方法、装置、晶圆


[0001]本公开涉及晶圆缺陷确定及加工技术，尤其涉及一种晶圆缺陷的确定方法及装置、晶圆加工方法及装置、晶圆。

技术介绍

[0002]晶圆加工过程中，会涉及到多个工艺，在不同的加工工艺中，会导致不同的晶圆缺陷。例如，CMP制程中，晶圆的P
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N结在光子的照射下产生电子流动，使得Cu原子从P掺杂的连线转移到N掺杂的一端，实现了这个P/N结回路的导通，导致晶圆的光助铜腐蚀。这种缺陷可以通过在抛光和清洗时减少光的照射得到改善。目前，针对晶圆的缺陷无较好的识别方式，导致很多缺陷不能避免，晶圆良率较低。

技术实现思路

[0003]本公开提供了一种晶圆缺陷的确定方法及装置、晶圆加工方法及装置、晶圆，以至少解决现有技术中存在的以上技术问题。
[0004]根据本公开的第一方面，提供了一种晶圆缺陷的确定方法，包括：
[0005]至少获取多个晶圆中各晶圆的缺陷图形的分布信息；
[0006]至少获取多个晶圆中各晶圆的缺陷图形的分布信息；
[0007]基于所述分布信本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆缺陷的确定方法，其特征在于，所述方法包括：至少获取多个晶圆中各晶圆的缺陷图形的分布信息；基于所述分布信息确定各晶圆中缺陷图形与该晶圆圆心之间的距离；基于各晶圆中缺陷图形与该晶圆圆心之间的距离，确定缺陷图形对应的缺陷原因。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定缺陷图形对应的缺陷原因，包括：统计各晶圆中缺陷图形与该晶圆圆心之间的距离相当的缺陷图形数量，在距离相当的缺陷图形数量超出第一设定阈值时，确定该缺陷图形为光污染导致。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定缺陷图形对应的缺陷原因，包括：统计各晶圆中缺陷图形与该晶圆圆心之间的距离相当的缺陷图形数量；在第一距离相当的缺陷图形数量超出第二设定阈值时，确定晶圆中缺陷图形为第一光污染导致；在第二距离相当的缺陷图形数量超出第三设定阈值时，确定晶圆中缺陷图形为第二光污染导致；其中，所述第一距离和所述第二距离不同，所述第一光污染的光源与所述第二光污染的光源不同。4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：根据光污染的缺陷图形与该晶圆圆心之间的距离，确定光污染的光源的位置。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定缺陷图形对应的缺陷原因，包括：基于各晶圆中缺陷图形与该晶圆圆心之间的距离，确定晶圆的缺陷图形位于晶圆的位置；确定该位置处的晶圆的缺陷图形为多个且该多个缺陷图形的分布位置相似，确定为加工机台对晶圆造成的物理缺陷。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定缺陷图形对应的缺陷原因，包括：统计各晶圆中缺陷图形与该晶圆圆心之间的距离相当的缺陷图形数量，在距离相当的缺陷图形数量低于第四设定阈值时，确定晶圆中缺陷图形为水源污染导致。7.一种晶圆加工方法，其特征在于，所述方法包括：在利用超声波震动清洗单元对待加工晶圆进行金属腐蚀或氧化的过程中，使所述待加工晶圆进行旋转。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述使所述待加工晶圆进行旋转，包括：所述待加工晶圆的转速为大于或大于等于0.2R/S。9.一种晶圆缺陷的确定装置，其特征在于，所述装置包括：获取单元，用于至...

【专利技术属性】
技术研发人员：佘桃慈，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：