转移基板制造技术

本公开实施例提供一种转移基板，用于拾取电子元件，包括：基板本体，沿第一方向上，所述基板本体第一面设置有多个凸起，所述第一方向垂直于所述基板本体所在的平面；第一自清洁层，所述第一自清洁层用于清洁所述转移基板，所述第一自清洁层与所述凸起位于所述基板本体的同侧，在所述第一方向上，所述第一自清洁层与所述凸起不交叠。通过在基板本体第一面设置第一自清洁层，第一自清洁层相比高分子材料不容易吸附微粒，即使微粒落在第一自清洁层上，也相对容易去除。这样，转移基板对Micro LED等电子元件进行转移过程中，可以减少微粒对Micro LED等电子元件的转移过程进行影响，从而降低微粒对Micro LED良率的影响，减少对转移基板的清洗次数。转移基板的清洗次数。转移基板的清洗次数。

【技术实现步骤摘要】
转移基板


[0001]本公开涉及显示
，尤其涉及转移基板。

技术介绍

[0002]微型发光二极管(Micro Light
‑
Emitting Diode,MicroLED)是将传统发光二极管(Light Emitting Diode，LED)结构进行微小化和矩阵化，并采用集成电路工艺制成待转基板，通过将MicroLED通过巨量转移技术转移至待转基板上，来实现每一个像素点定址控制和单独驱动的显示技术。
[0003]由于MicroLED显示产品在亮度、寿命、对比度、响应时间、能耗、可视角度以及分辨率等性能指标上都优于液晶显示产品和有机发光二极管显示产品，加上其具有自发光、结构简单、体积小以及节能的优点，被视为下一代显示技术，并得到了广泛的关注。
[0004]在Micro
‑
LED显示技术中，在对Micro
‑
LED进行巨量转移过程中，如何提高Micro
‑
LED良率一直是一个重大挑战。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本公开第一方面提供了一种转移基板，用于拾取电子元件，转移基板包括：基板本体，沿第一方向上，基板本体第一面设置有多个凸起，第一方向垂直于基板本体所在的平面；第一自清洁层，第一自清洁层用于清洁转移基板，第一自清洁层与凸起位于基板本体的同侧，在第一方向上，第一自清洁层与凸起不交叠。
[0006]本公开通过在基板本体第一面设置第一自清洁层，第一自清洁层具有自清洁能力，可以对落在第一自清洁层中的微粒等物质进行清除。这样，转移基板对Micro LED等电子元件进行转移过程中，可以减少微粒对Micro LED等电子元件的转移过程进行负面影响，降低微粒对Micro LED良率的干扰，间接地减少了对转移基板的清洗次数，延长转移基板的使用寿命。
【附图说明】
[0007]为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0008]图1为相关技术中一种采用光致发光技术的量子点显示面板的截面示意图；
[0009]图2本公开一个实施例提供的转移基板的俯视图；
[0010]图3为图2提供的转移基板沿A
‑
A
’
方向的剖视图；
[0011]图4为本公开另一个实施例提供的图2中转移基板沿A
‑
A
’
方向的剖视图；
[0012]图5为本公开另一个实施例提供转移基板的结构示意图；
[0013]图6为本公开另一个实施例提供转移基板的结构示意图；
[0014]图7为本公开另一个实施例提供转移基板的结构示意图；
[0015]图8本公开另一个实施例提供的转移基板的俯视图；
[0016]图9为图8提供的转移基板沿B
‑
B
’
方向的剖视图；
[0017]图10为本公开另一个实施例中转移基板的剖视图。
【具体实施方式】
[0018]为了更好的理解本公开的技术方案，下面结合附图对本公开实施例进行详细描述。
[0019]应当明确，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本公开保护的范围。
[0020]在本公开实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本公开。在本公开实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
[0021]应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0022]参见图1，为相关技术中提供的一种转移基板100
’
的示例图。
[0023]相关技术中转移基板100
’
用于从生长基板上拾取发光二极管(Light
‑
Emitting Diode,LED)，可以理解，该发光二极管可以为现有技术中各种类型的发光二极管。进一步地，在拾取发光二极管后，将拾取到的发光二极管转移到目标基板。目标基板可以包括驱动基板。驱动基板包括用于驱动发光二极管发光的薄膜晶体管和用于与发光二极管键合的焊盘，相关技术均为现有技术，在此不再赘述。
[0024]继续参见图1，转移基板100
’
包括基板本体102
’
，位于转移基板102
’
一侧的凸起104，该凸起104用于拾取发光二极管。
[0025]申请人发现，相关技术中基板本体102
’
一般为聚二甲基硅氧烷等高分子材料，非常容易吸附微粒(particle)等污染物质，而微粒等污染物质非常容易对转移后的发光二极管的良率产生负面影响。为了解决该技术问题，现有技术中一般会增加转移基板的清洗次数，但是这会使得转移基板的使用寿命变短。
[0026]为了解决上述技术问题，本公开提供了一种新的转移基板，下面参见附图2
‑
附图3，对本公开提供的转移基板100进行详细的解释和说明。
[0027]参见图2，具体为本公开一个实施例提供的转移基板的俯视图，图3为图2提供的转移基板100沿A
‑
A
’
方向的剖视图。
[0028]转移基板100包括基板本体102，沿第一方向，基板本体102的第一面设置有多个凸起104，该第一方向垂直于基板本体102所在的平面。需要说明的是，附图中基板本体102上的凸起数量仅是示例性地，并不构成对本公开方案的实质性限定，本领域技术人员可以根据需要，灵活地设置凸起的数量。
[0029]如图3所示，沿第一方向上，基板本体102的第一面108设置有多个凸起104，该凸起104用于拾取电子元件。可以理解，基板本体102的第一面108具体为基板本体102设置凸起104的一侧表面。进一步地，该电子元件可以包括Micro LED，也可以包括迷你型发光二极管
(Mini Light
‑
Emitting Diode,Mini LED)，本公开对发光二极管的类型不作具体限定。
[0030]转移基板100还包括第一自清洁层106，该第一自清洁层106用于清洁转移基板100。第一自清洁层106与凸起104位于基板本体102的同侧，沿第一方向上，第一自清洁层106与凸起104不交叠。
[0031]专利技术人发现，本公开通过在基板本体第一面设置第一自清洁层，第一自清洁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种转移基板，用于拾取电子元件，其特征在于，包括：基板本体，沿第一方向上，所述基板本体第一面设置有多个凸起，所述第一方向垂直于所述基板本体所在的平面；第一自清洁层，所述第一自清洁层用于清洁所述转移基板，所述第一自清洁层与所述凸起位于所述基板本体的同侧，在所述第一方向上，所述第一自清洁层与所述凸起不交叠。2.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，沿第二方向上，所述第一自清洁层部分覆盖所述凸起的侧边，所述第二方向与所述第一方向相交。3.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述第一自清洁层远离所述基板本体的一侧至少部分区域与水的接触角大于150
°
。4.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述第一自清洁层包括光催化半导体涂层。5.根据权利要求4所述的转移基板，其特征在于，在第一状态下下，所述第一自清洁层与水的接触角至少为70
°
；在第二状态条件下，所述第一自清洁层与水的接触角小于5
°
；其中，所述第一状态和所述第二状态的紫外光强度不同。6.根据权利要求4所述的转移基板，其特征在于，所述光催化半导体涂层包括ZnO、TiO2、WO3、SnO2、Fe2O3、ZnS、SrTiO3中的至少一个。7.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述基板本体还包括至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：安菲菲，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：