高可靠低成本快速读写OTP存储器及数据读写方法技术

高可靠低成本快速读写OTP存储器及数据读写方法，涉及集成电路技术，本发明专利技术的高可靠低成本快速读写OTP存储器包括由M

【技术实现步骤摘要】
高可靠低成本快速读写OTP存储器及数据读写方法


[0001]本专利技术涉及集成电路技术，特别涉及存储器技术。

技术介绍

[0002]美国专利US8780660和中国专利申请201310119745.5公开了XPM存储器技术，作为现有技术参见图1。其缺陷在于，
[0003]a1、在数据写入(prog)时，WL(WP)的电压需要经过外围电路的电平转换(level shift)高压开关电路来给选中的WL提供击穿电压Vpp(8
‑
9V,0.18um工艺下)，给没有选中的WL提供Vdd(3
‑
4V)的电压，导致其电路复杂，面积大。
[0004]a2、基于以上WL的Vpp/Vdd开关电路，CP(电荷泵)需要在变化编程地址前后关断再打开，这样会浪费时间，也浪费功耗。
[0005]a3、每个WL需要独立的poly线，导致存储器阵列面积过大。
[0006]a4、读取检测需要两个NMOS器件，以防止在读操作时的电荷串扰而出现的读数据错误。
[0007]美国专利US 10504908公开了第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.高可靠低成本快速读写OTP存储器，包括由M
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N个反熔丝存储模块构成的阵列，M和N皆为大于2的整数，其特征在于，每个反熔丝存储模块包括第一存储单元和第二存储单元，第一存储单元由第一选择MOS管、第一隔离MOS管、第一栅电容和第一检测MOS管构成，第一选择MOS管的一个有源端连接所在列的第一列线，另一个有源端接第一检测MOS管的栅端；第一检测MOS管的一个有源端接第一列线，另一个有源端接第二列线，栅端通过第一隔离MOS管连接第一栅电容的有源端；第二存储单元由第二选择MOS管、第二隔离MOS管、第二栅电容和第二检测MOS管构成，第二选择MOS管的一个有源端连接所在列的第一列线，另一个有源端接第二检测MOS管的栅端；第二检测MOS管的一个有源端接第一列线，另一个有源端接第二列线，栅端通过第二隔离MOS管连接第二栅电容的有源端；所述栅电容由一个栅板、一个有源区和二者之间的栅氧化层构成；第一栅电容的栅端和第二栅电容的栅端连接公共行线；第一选择MOS管的栅端连接所在行的第一行线；第一隔离MOS管的栅端连接所在行的第二行线；第二选择MOS管的栅端连接所在行的第三行线；第二隔离MOS管的栅端连接所在行的第四行线。2.如权利要求1所述的高可靠低成本快速读写OTP存储器，其特征在于，各条公共行线相互连接。3.高可靠低成本快速读写OTP存储器数据写入方法，其特征在于，所述高可靠低成本快速读写OTP嵌入式存储器，包括由M
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N个反熔丝存储模块构成的阵列，M和N皆为大于2的整数，每个反熔丝存储模块包括第一存储单元和第二存储单元，第一存储单元由第一选择MOS管、第一隔离MOS管、第一栅电容和第一检测MOS管构成，第一选择MOS管的一个有源端连接所在列的第一列线，另一个有源端接第一检测MOS管的栅端；第一检测MOS管的一个有源端接第一列线，另一个有源端接第二列线，栅端通过第一隔离MOS管连接第一栅电容的有源端；第二存储单元由第二选择MOS管、第二隔离MOS管、第二栅电容和第二检测MOS管构成，第二选择MOS管的一个有源端连接所在列的第一列线，另一个有源端接第二检测MOS管的栅端；第二检测MOS管的一个有源端接第一列线，另一个有源端接第二列线，栅端通过第二隔离MOS管连接第二栅电容的有源端；所述栅电容由一个栅板、一个有源区和二者之间的栅氧化层构成；第一栅电容的栅端和第二栅电容的栅端连接公共行...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭泽忠，毛军华，
申请(专利权)人：成都凯路威电子有限公司，
类型：发明
国别省市：