谐振器和电子元器件制造技术

本申请公开了一种谐振器和电子元器件，属于通信技术领域。所述谐振器包括基底和谐振层，所述谐振层位于所述基底的第一表面；所述基底的第一表面和第二表面中的至少一个表面包括斜面，所述第一表面和所述第二表面的位置相对；所述斜面被配置为使入射至所述斜面的声波向靠近所述谐振器侧部的方向反射。采用本申请，斜面与其它表面都不平行，那么斜面与其它表面之间的声波经过多次传输以后会反射至谐振器的侧部而发生泄漏，进而能够有效抑制这些声波产生的寄生振动模式。而一旦寄生振动模式得到有效抑制，便能减弱寄生振动模式对有效振动模式产生的干扰，从而，能够缓解甚至避免谐振器的频率跳变。振器的频率跳变。振器的频率跳变。

【技术实现步骤摘要】
谐振器和电子元器件


[0001]本申请涉及通信
，特别涉及一种谐振器和电子元器件。

技术介绍

[0002]谐振器是一种用于产生谐振频率的元件，广泛应用于涉及到频率的电子元器件，例如，应用到时钟振荡器和滤波器等电子元器件。
[0003]谐振器的工作原理是，其压电层在驱动电压的作用下会发生机械振动，而在机械振动下又会向外输出电信号。例如，压电层在机械振动中，振动频率和固有频率(也称谐振频率)相差较远的机械振动逐渐被衰减掉，振动频率和固有频率接近的机械振动逐渐被保留下来，最终由这部分机械振动向外输出频率较稳定的电信号。
[0004]但是谐振器在工作中，会发生频率跳变的情况，而导致谐振器向外输出的电信号的频率的稳定性较差。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种谐振器和电子元器件，能够缓解相关技术中谐振器的频率跳变的问题，所述技术方案如下：
[0006]一方面，提供了一种谐振器，所述谐振器包括基底和谐振层，所述谐振层位于所述基底的第一表面；
[0007]所述基底的第一表面和第二表面中的至少一个表面包括斜面，所述第一表面和所述第二表面的位置相对；
[0008]所述斜面被配置为使入射至所述斜面的声波向靠近所述谐振器侧部的方向反射。
[0009]例如，基底的第一表面包括斜面，或者，基底的第二表面包括斜面，或者，基底的第一表面和第二表面均包括斜面。
[0010]本申请所示的方案，基底的第一表面和第二表面中的至少一个表面包括斜面，斜面与其它表面都不平行，例如，斜面和压电层不平行，斜面和电极层也不平行，那么斜面与其它表面之间的声波经过多次传输以后会反射至谐振器的侧部而发生泄漏，进而能够有效抑制这些声波产生的寄生振动模式。而一旦寄生振动模式得到有效抑制，便能减弱寄生振动模式对有效振动模式产生的干扰，从而，能够缓解甚至避免谐振器的频率跳变。
[0011]在一种可能的实现方式中，所述基底的第一表面和第二表面中的至少一个表面，在对应所述谐振层的位置为斜面。
[0012]例如，基底的第二表面为斜面，那么，斜面的具有高度差的两边分别位于基底的位置相对的两侧。或者，基底的第二表面在对应谐振层的位置处为斜面，而在其他位置处为平面，例如，基底的第二表面的面积比较大，可以在谐振层的正下方为斜面，而其他位置为平面，平面是与谐振层的上表面平行的面，那么，斜面的具有高度差的两边分别位于谐振层的第一侧面所在平面和谐振层的第二侧面所在平面，谐振层的第一侧面和第二侧面的位置相对。
[0013]其中，基底的第一表面为斜面，或者，第二表面为斜面，或者第一表面和第二表面均为斜面的情况，便于加工，能够提高谐振器的加工效率。
[0014]在一种可能的实现方式中，所述基底的第一表面和第二表面中的至少一个表面，在对应所述谐振层的位置包括第一斜面和第二斜面；
[0015]所述第一斜面的第一边和所述第二斜面的第一边相交于第一交线，且所述第一交线靠近所述谐振层，第一斜面的第二边和第二斜面的第二边均远离所述谐振层，所述第二边为与所述第一交线的位置相对的边。
[0016]本申请所示的方案，入射至第一斜面的声波逐渐反射至第一斜面的第二边的位置处而衰减，入射至第二斜面的声波逐渐反射至第二斜面的第二边的位置处而衰减，从而可以达到抑制这些声波产生的寄生振动模式的效果。
[0017]在一种可能的实现方式中，所述基底的第一表面和第二表面中的至少一个表面，在对应所述谐振层的位置包括第三斜面和第一平面；
[0018]所述第三斜面的第三边和所述第一平面的第三边相交于第二交线，且所述第二交线靠近所述谐振层，所述第三斜面的第四边远离所述谐振层，所述第四边为与所述第二交线的位置相对的边。
[0019]本申请所示的方案，入射至第三斜面的声波能够向靠近第三斜面的第四边处反射而发生泄漏被衰减掉，从而能够抑制这些声波产生的寄生振动模式。
[0020]在一种可能的实现方式中，所述谐振层包括压电层和两个电极层，所述压电层位于所述两个电极层之间。
[0021]本申请所示的方案，压电层也可以称为压电薄膜，电极层也可以称为金属电极，由于两个电极层一个位于压电层的上方，另一个位于压电层的下方，所以两个电极层也可以称为上电极和下电极。
[0022]这样，基底、其中一个电极层、压电层和另一个电极层依次叠加排布。
[0023]在一种可能的实现方式中，基底的第一表面和第二表面中的至少一个表面，在对应谐振层的位置可以包括斜面和弧面。
[0024]例如，基底的第一表面或者第二表面均包括斜面和弧面。又例如，基底的第一表面包括斜面，基底的第二表面包括弧面。又例如，基底的第一表面包括弧面，基底的第二表面包括斜面。
[0025]无论是斜面还是弧面，均能够促使入射的声波向靠近谐振器侧部的方向反射，以使声波发生泄漏或者扩散，而逐渐衰减。这些声波一旦得到衰减，并能够有效抑制这些声波产生的寄生振动模式，从而缓解寄生振动模式对有效振动模式产生的干扰，进而缓解谐振器在工作中出现频率跳变的情况。
[0026]另一方面，提供了一种谐振器，所述谐振器包括基底和谐振层，所述谐振层位于所述基底的第一表面；
[0027]所述基底的第一表面和第二表面中的至少一个表面包括弧面，所述第一表面和所述第二表面的位置相对；
[0028]所述弧面被配置为使入射至所述弧面的声波向靠近所述谐振器侧部的方向反射。
[0029]本申请所示的方案，该谐振器的基底的第一表面和第二表面中的至少一个表面包括弧面，弧面与其它表面都不平行，例如，弧面和压电层不平行，弧面和电极层也不平行，那
么弧面与其它表面之间的声波经过多次传输以后会反射至谐振器侧部而发生泄漏，进而能够有效抑制这些声波产生的寄生振动模式。而一旦寄生振动模式得到有效抑制，便能减弱寄生振动模式对有效振动模式产生的干扰，从而，能够缓解甚至避免谐振器的频率跳变。
[0030]在一种可能的实现方式中，所述基底的第一表面和第二表面中的至少一个表面，在对应所述谐振层的位置为弧面。
[0031]本申请所示的方案，弧面的中心位置凸向谐振层，弧面的远离中心的边缘远离谐振层，使得入射至弧面的声波向谐振器的侧部反射而发生泄漏。
[0032]在一种可能的实现方式中，所述基底的第一表面和第二表面中的至少一个表面，在对应所述谐振层的位置包括弧面和第二平面；
[0033]所述弧面的第五边和所述第二平面的第五边相交于第三交线，所述第三交线靠近所述谐振层，所述弧面的第六边远离所述谐振层，所述第六边为与所述第三交线的位置相对的边。
[0034]例如，基底的第二表面在谐振层的正下方位置包括弧面和第二平面，弧面和第二平面相交于第三交线，第三交线靠近谐振层且和谐振层平行，而弧面的与第三交线位置相对的边远离谐振层且与谐振层平行。
[0035]这样，入射至弧面的声波向弧面的远离谐振器中心的位置反射而发生泄漏被衰减掉，从而能够抑制这些声波产本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种谐振器，其特征在于，所述谐振器包括基底(1)和谐振层(2)，所述谐振层(2)位于所述基底(1)的第一表面；所述基底(1)的第一表面和第二表面中的至少一个表面包括斜面(11)，所述第一表面和所述第二表面的位置相对；所述斜面(11)被配置为使入射至所述斜面(11)的声波向靠近所述谐振器侧部的方向反射。2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述基底(1)的第一表面和第二表面中的至少一个表面，在对应所述谐振层(2)的位置为斜面(11)。3.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述基底(1)的第一表面和第二表面中的至少一个表面，在对应所述谐振层(2)的位置包括第一斜面(11a)和第二斜面(11b)；所述第一斜面(11a)的第一边和所述第二斜面(11b)的第一边相交于第一交线(111)，且所述第一交线(111)靠近所述谐振层(2)，第一斜面(11a)的第二边(112)和第二斜面(11b)的第二边(112)均远离所述谐振层(2)，所述第二边(112)为与所述第一交线(111)的位置相对的边。4.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述基底(1)的第一表面和第二表面中的至少一个表面，在对应所述谐振层(2)的位置包括第三斜面(11c)和第一平面(12)；所述第三斜面(11c)的第三边和所述第一平面(12)的第三边相交于第二交线(11
‑
12)，且所述第二交线(11
‑
12)靠近所述谐振层(2)，所述第三斜面(11c)的第四边(113)远离所述谐振层(2)，所述第四边(113)为...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾晓意，伍伟，郭凯洲，李浩，王锦辉，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：