光电器件的后处理方法、光电器件及显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种光电器件的后处理方法，包括如下步骤：提供光电器件，所述光电器件包括至少一载流子功能层；将所述光电器件通电，对所述光电器件进行预烧，其中，预烧的电压低于所述光电器件的启亮电压，和/或预烧的电流低于所述光电器件的启亮电流。本申请的光电器件的后处理方法通过对光电器件在低于其启亮电压的电压下进行预烧或低于其启亮电流的电流下预烧，可以有效地改善光电器件的载流子功能层的能势差异，改善载流子功能层的界面，进而提高所述载流子功能层的载流子注入平衡，降低漏电流，提高光电器件的寿命。另，本申请还公开了一种光电器件及包括所述光电器件的显示装置。装置。装置。

【技术实现步骤摘要】
光电器件的后处理方法、光电器件及显示装置


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种光电器件的后处理方法、经所述光电器件的后处理方法处理得到的光电器件、及包括所述光电器件的显示装置。

技术介绍

[0002]光电器件是指根据光电效应制作的器件，其在新能源、传感、通信、显示、照明等领域具有广泛的应用，如太阳能电池、光电探测器、有机电致发光器件(OLED或量子点电致发光器件(QLED)
[0003]传统的光电器件的结构主要包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。在电场的作用下，光电器件的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。
[0004]目前，使用各种工艺制备的光电器件，尤其是旋涂工艺制备的载流子功能层中包含金属氧化物颗粒的光电器件，其载流子功能层易存在浓度梯度差异及载流子功能层表面不平整的情况。载流子功能层内的浓度梯度差异会导致载流子功能层的阻值不均匀及能势差异，影响电子或空穴的注入，而使得载流子注入不平衡，导致光电器件的发光效率低、亮度低、寿命短。载流子功能层的表面不平整，会导致发光层表面不平整，使光电器件发光不均匀，导致光电器件的发光效率低、亮度低、寿命短。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本申请提供一种光电器件的后处理方法，旨在改善现有的光电器件寿命短的问题。
[0006]本申请实施例是这样实现的，一种光电器件的后处理方法，包括如下步骤：
[0007]提供光电器件，所述光电器件包括层叠设置的阳极、发光层及阴极，所述光电器件还包括至少一载流子功能层，所述至少一载流子功能层位于所述阳极与所述发光层之间、和/或所述发光层与所述阴极之间；以及
[0008]将所述光电器件通电，对所述光电器件进行预烧，其中，所述预烧的电压低于所述光电器件的启亮电压，和/或所述预烧的电流低于所述光电器件的启亮电流。
[0009]可选的，在本申请的一些实施例中，对所述光电器件进行预烧为：对所述光电器件进行恒电压预烧或恒电流预烧。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述预烧的电压的范围为0.1
‑
1.5V；或者
[0011]所述预烧的电流的范围为0.1μA
‑
0.4mA。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述预烧的时间范围为8
‑
30h。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，对所述光电器件进行预烧在无光的环境中进行，所述无光的环境的温度为25
±
5℃，湿度为50
‑
70％。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，将所述光电器件通电之前还包括：对所述光电
器件进行热烘。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，所述热烘的温度为60
‑
120℃，热烘的时间为40
‑
80mins。
[0016]可选的，在本申请的一些实施例中，所述载流子功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层及电子传输层中的至少一种。
[0017]相应的，本申请实施例还提供一种光电器件，包括层叠设置的阳极、发光层及阴极，所述光电器件还包括至少一载流子功能层，所述至少一载流子功能层位于所述阳极与所述发光层之间、和/或所述发光层与所述阴极之间，所述光电器件经过所述光电器件的后处理方法处理过。
[0018]可选的，在本申请的一些实施例中，所述发光层为有机发光层或量子点发光层，所述有机发光层的材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPA荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料及发红色光的DBP荧光材料中的至少一种，所述量子点发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述量子点选自但II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种；和/或
[0019]所述载流子功能层包括空穴注入层，所述空穴注入层的材料选自MoO3、WO3、NiO、CuO、V2O5、CrO3、CuS、2,3,6,7,10,11
‑
六氰基
‑
1,4,5,8,9,12
‑
六氮杂苯并菲(HAT
‑
CN)、聚(3,4
‑
亚乙二氧基噻吩)
‑
聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)及PEDOT:PSS掺有s
‑
MoO3的衍生物中的至少一种；和/或
[0020]所述载流子功能层包括空穴传输层，所述空穴传输材料选自MoO3、WO3、NiO、CuO、V2O5、CrO3、CuS、聚[双(4
‑
苯基)(2,4,6
‑
三甲基苯基)胺]、2,2',7,7'
‑
四[N,N
‑
二(4
‑
甲氧基苯基)氨基]‑
9,9'
‑
螺二芴、4,4'
‑
环己基二[N,N
‑
二(4
‑
甲基苯基)苯胺]、N,N
′‑
双(1
‑
奈基)
‑
N,N
′‑
二苯基
‑
1,1
′‑
二苯基
‑
4,4
′‑
二胺、4,4'
‑
双(N
‑
咔唑)
‑
1,1'
‑
联苯、聚[(9,9
‑
二辛基芴基
‑
2,7
‑
二基)
‑
co
‑
(4,4'
‑
(N
‑
(对丁基苯基))二苯胺)]、聚(9
‑
乙烯基咔唑)、聚三苯胺及PEODT:PSS中的至少一种；和/或
[0021]所述载流子功能层包括电子注入层，所述电子注入层的材料选自Li2O、LiBO2、Cs2CO3、K2SiO3、LiF、NaF及KF中的至少一种；和/或
[0022]所述载流子功能层包括电子传输层，所述电子传输层的材料选自ZnO、TiO2、ZrO2、HfO2、Ca、Ba、CsF、LiF、CsCO3、8
‑
羟基喹啉铝(Alq3)及石墨烯中的至少一种。
[0023]相应的，本申请实施例还提供一种包括所述光电器件的显示装置。
[0024]本申请的光电器件的后处理方法通过对光电器件在低于其启亮电压的电压下进行预烧或低于其启亮电流的电流下预烧，可以有效地改善光电器件的载流子功能层的能势差异，改善界面，进而提高所述载流子功能层的载本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电器件的后处理方法，其特征在于，包括如下步骤：提供光电器件，所述光电器件包括层叠设置的阳极、发光层及阴极，所述光电器件还包括至少一载流子功能层，所述至少一载流子功能层位于所述阳极与所述发光层之间、和/或所述发光层与所述阴极之间；以及将所述光电器件通电，对所述光电器件进行预烧，其中，所述预烧的电压低于所述光电器件的启亮电压，和/或所述预烧的电流低于所述光电器件的启亮电流。2.如权利要求1所述的光电器件的后处理方法，其特征在于：对所述光电器件进行预烧为：对所述光电器件进行恒电压预烧或恒电流预烧。3.如权利要求1或2所述的光电器件的后处理方法，其特征在于：所述预烧的电压的范围为0.1
‑
1.5V；和/或所述预烧的电流的范围为0.1μA
‑
0.4mA。4.如权利要求1所述的光电器件的后处理方法，其特征在于：所述预烧的时间范围为8
‑
30h。5.如权利要求1所述的光电器件的后处理方法，其特征在于：对所述光电器件进行预烧在无光的环境中进行，所述无光的环境的温度为25
±
5℃，湿度为50
‑
70％。6.如权利要求1所述的光电器件的后处理方法，其特征在于：将所述光电器件通电之前还包括：对所述光电器件进行热烘。7.如权利要求6所述的光电器件的后处理方法，其特征在于：所述热烘的温度为60
‑
120℃，热烘的时间为40
‑
80mins。8.如权利要求1所述的光电器件的后处理方法，其特征在于：所述载流子功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层及电子传输层中的至少一种。9.一种光电器件，包括层叠设置的阳极、发光层及阴极，所述光电器件还包括至少一载流子功能层，所述至少一载流子功能层位于所述阳极与所述发光层之间、和/或所述发光层与所述阴极之间，其特征在于：所述光电器件经过权利要求1
‑
8任意一项所述的光电器件的后处理方法处理过。10.如权利要求9所述的光电器件，其特征在于：所述发光层为有机发光层或量子点发光层，所述有机发光层的材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPA荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料及发红色光的DBP荧光材料中的至少一种，所述量子点发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述量子点选自但II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种；和/或所述载流子功能层包括空穴注入层，所述空穴注入层的材料选自MoO3、...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺晓光，芦子哲，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：