一种显示器件功能层的制备方法及量子点发光二极管的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种显示器件功能层的制备方法及量子点发光二极管的制备方法，涉及显示技术领域。该显示器件功能层的制备方法包括：在量子点发光层上，利用交替技术沉积膜层，得到显示器件功能层；其中，交替技术包括喷雾热解后进行扫描退火，扫描退火选自电子束扫描、激光扫描中的一种或多种。本发明专利技术提供的显示器件功能层的制备方法能够有效改善基于量子点发光层的显示器件功能层的粗糙度问题。发光层的显示器件功能层的粗糙度问题。

【技术实现步骤摘要】
一种显示器件功能层的制备方法及量子点发光二极管的制备方法


[0001]本专利技术涉及显示
，具体涉及一种显示器件功能层的制备方法及量子点发光二极管的制备方法。

技术介绍

[0002]QLED(Quantum Dots Light
‑
Emitting Diode,量子点发光二极管)是一种新兴的显示器件，结构与OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode,有机发光二极管)相似，即可以包括空穴传输层、发光层、电子传输层等。对比OLED，QLED的特点在于其发光材料采用性能更加稳定的量子点，这也是QLED的技术核心所在。
[0003]早在1983年，美国贝尔实验室的科学家就对量子点进行了深入研究，数年后美国耶鲁大学的物理学家马克
·
里德正式将其命名为“量子点”。量子点是一种粒子直径不足10nm的颗粒，常见的量子点由锌、镉、硒、硫元素组成。量子点独特的量子尺寸效应、量子限域效应、宏观量子隧道效应和表面效应使其展现出出色的物理性质，尤其是光学性能。量子点还具有极其特别的性质：当量子点受到光电刺激时，就会发出有色的光线，颜色由组成量子点的材料和它的大小、形状来决定。因为它具有这种特性，所以能够改变光源发出的光线的颜色。量子点的发光波长范围非常窄，颜色又比较纯粹，还可以调节，因此基于量子点的显示器件的画面会比液晶显示器的画面更加的清晰明亮。此外，QLED的寿命长，封装工艺简单或无需封装；且由于QLED是基于无机半导体量子点的电致发光，所以理论上无机半导体量子点的稳定性高于有机小分子及聚合物；也基于量子限域效应，量子点材料的发光线宽小，因此QLED具有更好的色纯度；目前QLED的发光效率也已经基本达到商业化的需求。综上，相对于有机荧光染料，胶体法制备的量子点具有光谱可调、发光强度大、色纯度高、荧光寿命长、单光源可激发多色荧光等优势，其有望成为下一代的平板显示器，具有广阔的发展前景。
[0004]然而，在QLED的研发过程中依旧存在着很多问题。其中，在制备过程中，无论是利用实验室常用的旋涂工艺还是工业生产常用的喷墨打印工艺，量子点发光层上的功能层(例如，三层器件结构中的电子传输层(ETL))都无可避免的会出现粗糙度远大于其它功能层的情况。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种显示器件功能层的制备方法，该制备方法能够改善基于量子点发光层的显示器件功能层的粗糙度问题。
[0006]本专利技术的另一目的在于提供一种量子点发光二极管的制备方法。
[0007]本专利技术解决技术问题是采用以下技术方案来实现的：
[0008]一种显示器件功能层的制备方法，包括：
[0009]提供器件半成品，器件半成品包括量子点发光层；
[0010]在量子点发光层上，利用交替技术沉积膜层，得到显示器件功能层；
[0011]其中，交替技术包括喷雾热解后进行扫描退火，扫描退火选自电子束扫描、激光扫描中的一种或多种。
[0012]可选的，在本专利技术的一些实施例中，量子点发光层的温度为15～45℃。
[0013]可选的，在本专利技术的一些实施例中，交替技术进行次数为3～10次。
[0014]可选的，在本专利技术的一些实施例中，利用交替技术沉积膜层包括：
[0015]处理步骤：利用喷雾热解沉积膜层后，对膜层进行电子束扫描；重复处理步骤3～10次；
[0016]或者，利用交替技术沉积膜层包括：
[0017]处理步骤：利用喷雾热解沉积膜层后，对膜层进行激光扫描；重复处理步骤3～10次；
[0018]或者，利用交替技术沉积膜层包括：
[0019]处理步骤：利用喷雾热解沉积膜层后，对膜层依次进行电子束扫描、激光扫描；重复处理步骤3～10次。
[0020]可选的，在本专利技术的一些实施例中，每次沉积的沉积厚度为10～20nm。
[0021]可选的，在本专利技术的一些实施例中，扫描退火的时间为10
‑2～10
‑1秒。
[0022]可选的，在本专利技术的一些实施例中，量子点发光层的材料选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe、GaP、GaAs、InP、InAs、无机钙钛矿型半导体、有机
‑
无机杂化钙钛矿型半导体中的一种或多种；
[0023]其中，无机钙钛矿型半导体的通式为AMX3，其中A为Cs
+
，M选自于Pb
2+
、Sn
2+
、Cu
2+
、Ni
2+
、Cd
2+
、Cr
2+
、Mn
2+
、Co
2+
、Fe
2+
、Ge
2+
、Yb
2+
、Eu
2+
中的一种，X选自于Cl
‑
、Br
‑
、I
‑
中的一种；有机
‑
无机杂化钙钛矿型半导体的通式为BMX3，其中B为有机胺阳离子，M选自于Pb
2+
、Sn
2+
、Cu
2+
、Ni
2+
、Cd
2+
、Cr
2+
、Mn
2+
、Co
2+
、Fe
2+
、Ge
2+
、Yb
2+
、Eu
2+
中的一种，X选自于Cl
‑
、Br
‑
、I
‑
中的一种。
[0024]可选的，在本专利技术的一些实施例中，显示器件功能层为电荷传输层、电荷阻挡层中的一种。
[0025]可选的，在本专利技术的一些实施例中，电荷传输层为电子传输层或空穴传输层，电子传输层的材料选自ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、ZrO2、NiO、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO中的一种或多种，空穴传输层的材料选自聚(9,9
‑
二辛基芴
‑
CO
‑
N
‑
(4
‑
丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N'
‑
双(4
‑
丁基苯基)
‑
N,N'
‑
双(苯基)联苯胺)、聚(9,9
‑
二辛基芴
‑
共
‑
双
‑
N,N
‑
苯基
‑
1,4
‑
苯二胺)、4,4
’
,4
”‑
三(咔唑
‑9‑
基)三苯胺、4,4'
‑
二(9
‑
咔唑)联苯、N,本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示器件功能层的制备方法，其特征在于，包括：在量子点发光层上，利用交替技术沉积膜层，得到所述显示器件功能层；其中，所述交替技术包括喷雾热解后进行扫描退火，所述扫描退火选自电子束扫描、激光扫描中的一种或多种。2.根据权利要求1所述的显示器件功能层的制备方法，其特征在于，所述量子点发光层的温度为15～45℃。3.根据权利要求1所述的显示器件功能层的制备方法，其特征在于，所述交替技术进行次数为3～10次。4.根据权利要求3所述的显示器件功能层的制备方法，其特征在于，利用交替技术沉积膜层包括：处理步骤：利用喷雾热解沉积所述膜层后，对所述膜层进行电子束扫描；重复所述处理步骤3～10次；或者，利用交替技术沉积膜层包括：处理步骤：利用喷雾热解沉积所述膜层后，对所述膜层进行激光扫描；重复所述处理步骤3～10次；或者，利用交替技术沉积膜层包括：处理步骤：利用喷雾热解沉积所述膜层后，对所述膜层依次进行电子束扫描、激光扫描；重复所述处理步骤3～10次。5.根据权利要求3所述的显示器件功能层的制备方法，其特征在于，每次所述沉积的沉积厚度为10～20nm。6.根据权利要求1所述的显示器件功能层的制备方法，其特征在于，所述扫描退火的时间为10
‑2～10
‑1秒。7.根据权利要求1所述的显示器件功能层的制备方法，其特征在于，所述量子点发光层的材料选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe、GaP、GaAs、InP、InAs、无机钙钛矿型半导体、有机
‑
无机杂化钙钛矿型半导体中的一种或多种；其中，所述无机钙钛矿型半导体的通式为AMX3，其中A为Cs
+
，M选自于Pb
2+
、Sn
2+
、Cu
2+
、Ni
2+
、Cd
2+
、Cr
2+
、Mn
2+
、Co
2+
、Fe
2+
、Ge
2+
、Yb
2+
、Eu
2+
中的一种，X选自于Cl
‑
、Br
‑
、I
‑
中的一种；所述有机
‑
无机杂化钙钛矿型半导体的通式为BMX3，其中B为有机胺阳离子，M选自于Pb
2+
、Sn
2+
、Cu
2+
、Ni
2+
、Cd
2+
、Cr
2+
、Mn
2+
、Co
2+
、Fe
2+
、Ge
2+
、Yb
2+
、Eu
2+
中的一种，X选自于...

【专利技术属性】
技术研发人员：敖资通，张建新，严怡然，杨帆，莫新娣，洪佳婷，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：