一种用于低氮高纯碳化硅粉料合成的坩埚制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于低氮高纯碳化硅粉料合成的坩埚，涉及碳化硅合成技术领域；具体是包括大坩埚和布置在大坩埚内的多个小坩埚，大坩埚的坩埚盖设置有多个第一贯穿孔道，所述大坩埚的坩埚壁上设置有多个第二贯穿孔道，多个小坩埚彼此相间隔，小坩埚的外周设有透气空间，所述原料粉体设置在小坩埚内；本实用新型专利技术可有效降低粉料合成过程中的氮浓度，提升粉料纯度；有效避免混合原料在粉料合成过程中逸出坩埚，提升粉料的反应效率。提升粉料的反应效率。提升粉料的反应效率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于低氮高纯碳化硅粉料合成的坩埚


[0001]本技术涉及电子工业和半导体材料
，具体涉及碳化硅合成
，尤其涉及一种用于低氮高纯碳化硅粉料合成的坩埚。

技术介绍

[0002]高纯半绝缘碳化硅单晶衬底是电子元器件的关键材料，要生长高电阻率电学性质优良的高纯半绝缘单晶衬底，必须控制衬底中施主杂质氮含量在较低的水平。从根本上来说，必须降低生长单晶用高纯碳化硅粉料中的氮含量。目前普遍采用自蔓延法以高纯石墨粉及高纯硅粉为原料进行高纯碳化硅粉料的合成，然而，由于高纯石墨粉及高纯硅粉粒度均较小，在微米级别，因此，粉体表面会吸附氮，此外，粉体堆积也较为密集且混合原料置于密闭性较好的石墨坩埚中进行粉料合成，使得原料中混入的氮在合成过程中较难逸出石墨坩埚，从而不可避免的掺入到合成的碳化硅粉料晶格中，导致碳化硅粉料中氮含量高，达不到高纯半绝缘碳化硅单晶生长使用要求。

技术实现思路

[0003]本技术克服了现有技术的不足，提出一种用于低氮高纯碳化硅粉料合成的坩埚，以降低粉料合成过程中的氮浓度，提升粉料纯度。
[0004]为了达到上述目本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于低氮高纯碳化硅粉料合成的坩埚，其特征在于，包括大坩埚和布置在大坩埚内的多个小坩埚，大坩埚的坩埚盖设置有多个第一贯穿孔道，所述大坩埚的坩埚壁上设置有多个第二贯穿孔道，多个小坩埚彼此相间隔，小坩埚的外周设有透气空间，所述碳化硅粉料设置在小坩埚内。2.根据权利要求1所述的一种用于低氮高纯碳化硅粉料合成的坩埚，其特征在于，所述小坩埚的侧壁与大坩埚的内壁间隔设置，小坩埚的底部与大坩埚底部间隔设置。3.根据权利要求1所述的一种用于低氮高纯碳化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：马康夫，魏汝省，赵丽霞，李斌，张继光，张辰宇，李刚，方芃博，陈琪，许正，靳霄曦，
申请(专利权)人：山西烁科晶体有限公司，
类型：新型
国别省市：