磁集成元件和多相交错LLC谐振转换器制造技术

本实用新型专利技术公开一种磁集成元件和多相交错LLC谐振转换器，其中，磁集成元件包括第一磁芯组件、第二磁芯组件和N个绕组线圈，其中，第一磁芯组件包含第一盖板、第二盖板和N个依次排列的磁柱，第一盖板和第二盖板分别设置在N个磁柱的两端，N个磁柱垂直于第一盖板和第二盖板，N为大于等于3的正整数；N个绕组线圈分别绕设于N个磁柱上，每个绕组线圈包含原边绕组和副边绕组；第二磁芯组件包含至少一个第三盖板，第三盖板与N个磁柱平行设置；第一磁芯组件用于导通N个绕组线圈间的互磁通，第二磁芯组件用于导通N个绕组线圈间的漏磁通。本实用新型专利技术技术方案能够减小LLC电路中各相电路的电流的峰值差异，以降低损耗，提升电路的可靠性。提升电路的可靠性。提升电路的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
磁集成元件和多相交错LLC谐振转换器


[0001]本技术涉及谐振转换器
，特别涉及一种磁集成元件和多相交错LLC谐振转换器。

技术介绍

[0002]多相交错LLC谐振转换器具有转换效率高、电磁干扰小、开关应力小等诸多优点，因而在通信电源和服务器电源等领域被广泛应用。多相交错LLC谐振转换器中设有LLC电路，LLC电路中的每一相电路需要设置一个变压器，也即，需要设置多个变压器，为了减小体积，出现了将多个变压器集合形成一体的磁集成元件。
[0003]现有的磁集成元件由于每个磁柱到第二磁芯组件的距离不相等，导致每个磁柱与第二磁芯组件之间耦合不均匀，从而造成各相支路出现不均流的情况，会影响到器件的正常工作。例如：三相的磁集成元件包括第一磁导件、第二磁导件、两个第二磁芯组件以及多个绕组，第一磁导件与第二磁导件拼接形成三个依次排列的磁柱，两个第二磁芯组件分别连接第一磁导件、第二磁导件，一个第二磁芯组件、三个磁柱、另一个第二磁芯组件依次排列，每一磁柱绕设有原边绕组和副边绕组，以形成各相电路的变压器。这种磁集成元件，每个磁柱的绕组会分别与第二磁芯组件产生漏磁通，由于三个磁柱各自到第二磁芯组件的距离差异较大，导致每个磁柱与第二磁芯组件之间的漏磁通差异较大，造成每个磁柱的主磁通差异较大，会导致三相电路中，各相支路出现不均流的情况(各相电流的峰值差异较大)，会影响到器件的正常工作。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的是提供一种磁集成元件和多相交错LLC谐振转换器，旨在减小LLC电路中各相电路的电流的峰值差异，以保障器件的正常工作。
[0005]为实现上述目的，本技术提出的磁集成元件，包括：第一磁芯组件、第二磁芯组件和N个绕组线圈，其中，所述第一磁芯组件包含第一盖板、第二盖板和N个依次排列的磁柱，所述第一盖板和所述第二盖板分别设置在所述N个磁柱的两端，所述N个磁柱垂直于所述第一盖板和所述第二盖板，所述N为大于等于3的正整数；
[0006]所述N个绕组线圈分别绕设于所述N个磁柱上，每个所述绕组线圈包含原边绕组和副边绕组；
[0007]所述第二磁芯组件包含至少一个第三盖板，所述第三盖板与所述N个磁柱平行设置；所述第一磁芯组件用于导通所述N个绕组线圈间的互磁通，所述第二磁芯组件用于导通所述N个绕组线圈间的漏磁通。
[0008]可选地，所述第二磁芯组件具有若干第一气隙，所述第一气隙用于调节漏磁通的大小。
[0009]可选地，所述第二磁芯组件包括两个所述第三盖板，所述两个第三盖板在所述N个磁柱的同一侧相向设置，一所述第三盖板的一侧边垂直连接于所述第一盖板的一侧边，另
一第三盖板的一侧边垂直连接于所述第二盖板的一侧边，所述两个第三盖板于所述磁集成元件的宽度方向上的投影覆盖所述N个磁柱；
[0010]其中，两所述第三盖板沿所述磁柱的轴线方向并排设置，两所述第三盖板之间具有所述第一气隙。
[0011]可选地，所述第二磁芯组件具有背对设置的两侧边，两所述侧边分别与所述第一盖板的顶边和所述第二盖板的顶边间隔设置，以形成两个所述第一气隙。
[0012]可选地，每个所述绕组线圈包含原边绕组和副边绕组，所述原边绕组包含两部分，至少所述副边绕组与所述原边绕组沿所述磁柱的轴线方向排列，相邻两部分所述原边绕组夹设有一所述副边绕组；
[0013]或，所述副边绕组包含两部分，所述原边绕组与所述副边绕组沿所述磁柱的轴线方向排列，相邻两部分所述副边绕组夹设有一所述原边绕组。
[0014]可选地，所述磁柱具有至少两个磁柱段，所述磁柱段用于绕制所述原边绕组或所述副边绕组，相邻的两个所述磁柱段间具有第二气隙。
[0015]可选地，所述第二磁芯组件上所有的第一气隙的间距之和大于所述磁柱上所有的第二气隙的间距之和。
[0016]可选地，所述磁柱包括第一磁柱段和第二磁柱段，所述第一盖板的一表面连接N个所述第一磁柱段的一端，所述第二盖板的一表面连接N个所述第二磁柱段的一端；
[0017]其中，所述第一磁柱段背离所述第一盖板的一端与所述第二磁柱段背离所述第二盖板的一端相对设置，所述第一磁柱段与所述第二磁柱段之间具有第二气隙，所述第二气隙用于调节互磁通的大小。
[0018]可选地，所述第一盖板包括若干第一拼接块，若干所述第一拼接块沿所述磁集成元件的长度方向依次拼接，每一所述第一拼接块的表面至少连接有一所述第一磁柱段；
[0019]所述第二盖板包括若干第二拼接块，若干所述第二拼接块沿所述磁集成元件的长度方向依次拼接，每一所述第二拼接块的表面至少连接有一所述第二磁柱段。
[0020]可选地，所述第一盖板包括两个第一拼接块，每一所述第一拼接块的表面至少连接有一所述第一磁柱段和一所述第一磁柱段被过其轴线的平面分割后的半部分，两所述第一拼接块上的半部分相互拼接形成所述第一磁柱段；
[0021]所述第二盖板包括两个第二拼接块，每一所述第二拼接块的表面至少连接有一所述第二磁柱段和一所述第二磁柱段被过其轴线的平面分割后的半部分，两所述第二拼接块上的半部分相互拼接形成所述第二磁柱段。
[0022]可选地，所述第二磁芯组件包括N所述第三盖板，N所述第三盖板均设置在所述N个磁柱的一侧，N个所述第三盖板沿所述磁集成元件的长度方向依次排列；
[0023]每一所述第三盖板的朝向所述磁柱的表面对应至少一个所述磁柱。
[0024]可选地，所述原边绕组与所述副边绕组均绕设于所述磁柱，且沿所述磁柱的轴线方向依次排列；
[0025]或，所述原边绕组绕设于所述磁柱，所述副边绕组绕设在所述原边绕组的外侧；
[0026]或，所述副边绕组绕设于所述磁柱，所述原边绕组绕设在所述副边绕组的外侧。
[0027]可选地，所述第二磁芯组件的磁导率小于所述磁柱的磁导率；
[0028]和/或，所述磁柱的横截面呈跑道形。
[0029]本技术还提出一种多相交错LLC谐振转换器，包括磁集成元件，所述磁集成元件包括：第一磁芯组件、第二磁芯组件和N个绕组线圈，其中，所述第一磁芯组件包含第一盖板、第二盖板和N个依次排列的磁柱，所述第一盖板和所述第二盖板分别设置在所述N个磁柱的两端，所述N个磁柱垂直于所述第一盖板和所述第二盖板，所述N为大于等于3的正整数；
[0030]所述N个绕组线圈分别绕设于所述N个磁柱上，每个所述绕组线圈包含原边绕组和副边绕组；
[0031]所述第二磁芯组件包含至少一个第三盖板，所述第三盖板与所述N个磁柱平行设置；所述第一磁芯组件用于导通所述N个绕组线圈间的互磁通，所述第二磁芯组件用于导通所述N个绕组线圈间的漏磁通。
[0032]本技术技术方案磁集成元件包括第一磁芯组件、第二磁芯组件和N个绕组线圈，其中，第一磁芯组件包含第一盖板、第二盖板和N个依次排列的磁柱，第一盖板和第二盖板分别设置在N个磁柱的两端，N个磁柱垂直于第一盖板和第二盖板，N为大于等于3的正整数。N个绕组线圈分别绕设于N个磁柱上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁集成元件，其特征在于，包括：第一磁芯组件、第二磁芯组件和N个绕组线圈，其中，所述第一磁芯组件包含第一盖板、第二盖板和N个依次排列的磁柱，所述第一盖板和所述第二盖板分别设置在所述N个磁柱的两端，所述N个磁柱垂直于所述第一盖板和所述第二盖板，所述N为大于等于3的正整数；所述N个绕组线圈分别绕设于所述N个磁柱上，每个所述绕组线圈包含原边绕组和副边绕组；所述第二磁芯组件包含至少一个第三盖板，所述第三盖板与所述N个磁柱平行设置；所述第一磁芯组件用于导通所述N个绕组线圈间的互磁通，所述第二磁芯组件用于导通所述N个绕组线圈间的漏磁通。2.如权利要求1所述的磁集成元件，其特征在于，所述第二磁芯组件具有第一气隙，所述第一气隙用于调节漏磁通的大小。3.如权利要求2所述的磁集成元件，其特征在于，所述第二磁芯组件包括两个所述第三盖板，所述两个第三盖板在所述N个磁柱的同一侧相向设置，一所述第三盖板的一侧边垂直连接于所述第一盖板的一侧边，另一第三盖板的一侧边垂直连接于所述第二盖板的一侧边，所述两个第三盖板于所述磁集成元件的宽度方向上的投影覆盖所述N个磁柱；其中，两所述第三盖板沿所述磁柱的轴线方向并排设置，两所述第三盖板之间具有所述第一气隙。4.如权利要求2所述的磁集成元件，其特征在于，所述第二磁芯组件具有背对设置的两侧边，两所述侧边分别与所述第一盖板的顶边和所述第二盖板的顶边间隔设置，以形成两个所述第一气隙。5.如权利要求2所述的磁集成元件，其特征在于，每个所述绕组线圈包含原边绕组和副边绕组，所述原边绕组包含两部分，至少所述副边绕组与所述原边绕组沿所述磁柱的轴线方向排列，相邻两部分所述原边绕组夹设有一所述副边绕组；或，所述副边绕组包含两部分，所述原边绕组与所述副边绕组沿所述磁柱的轴线方向排列，相邻两部分所述副边绕组夹设有一所述原边绕组。6.如权利要求1所述的磁集成元件，其特征在于，所述磁柱具有至少两个磁柱段，所述磁柱段用于绕制所述原边绕组或所述副边绕组，相邻的两个所述磁柱段间具有第二气隙。7.如权利要求6所述的磁集成元件，其特征在于，所述第二磁芯组件上第一气隙的间距之和大于所述磁柱上第二气隙的间距之和。8.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：张明准，
申请(专利权)人：苏州汇川控制技术有限公司，
类型：新型
国别省市：