本实用新型专利技术公开了一种氯硅烷杂质检测的前处理装置，属于多晶硅生产技术领域，包括加热装置，加热装置上设有用于放置氯硅烷的盛放装置，盛放装置上方设有石英罩，石英罩与出气管相连，出气管与氢氟酸吸收装置相连。氯硅烷放置在盛放装置，加热装置对盛放装置进行加热使得氯硅烷挥发，盛放装置中只余下杂质，挥发的氯硅烷在氢氟酸吸收装置内吸收，放置污染空气；待氯硅烷挥发完毕后即可得到氯硅烷中的杂质，将该杂质单独除去即可检测。本装置具有提升了检测结果、避免闪爆，且对环境无害。且对环境无害。且对环境无害。
【技术实现步骤摘要】
一种氯硅烷杂质检测的前处理装置
[0001]本技术涉及多晶硅生产
，具体涉及一种氯硅烷杂质检测的前处理装置。
技术介绍
[0002]在多晶硅生产中，氯硅烷是制备多晶硅的重要原料，而氯硅烷中杂质含量的高低是影响多晶硅产品质量的主要因素。其中，氯硅烷中的硼磷杂质是影响多晶硅产品质量的主要因素，硼磷杂质需要通过检测以确定其准确浓度，进而指导生产工艺，在生产过程中除去硼磷杂质。
[0003]目前，氯硅烷中杂质含量的检测方法是先将氯硅烷水解，加酸溶解水解物，使试样中的B、P转化为硼酸或磷酸，消解后检测B、P 的含量。由于氯硅烷是一种能与含活泼氢的化合物进行激烈反应在空气中迅速挥发的化学品，在样品前处理过程中B、P极易随氯硅烷挥发，导致检测结果不准确，测试稳定性差。
[0004]公开号为CN111024483A，公开日为2020.04.17的中国专利公开了一种氯硅烷前处理系统，其特征在于，其包括燃烧部和吸收部，所述燃烧部具有密闭的燃烧室，且燃烧室的出气口通过管路与吸收部连通，所述燃烧室内设置有用于盛放氯硅烷的取样器以及用于对所述取样器内的所述氯硅烷进行加热燃烧的电加热装置。该前处理系统主要存在以下几个问题：氯硅烷化学性质活泼，沸点低，进行燃烧有发生闪爆的风险：氯硅烷燃烧后对其燃烧产物进行吸收，吸收是否充分受影响因素较多，同时操作过程中易出现失误而造成结果偏差。
技术实现思路
[0005]本技术旨在解决现有技术中存在的问题，提供一种氯硅烷杂质检测的前处理装置，氯硅烷放置在盛放装置，加热装置对盛放装置进行加热使得氯硅烷挥发，盛放装置中只余下杂质，挥发的氯硅烷在氢氟酸吸收装置内吸收，放置污染空气；待氯硅烷挥发完毕后即可得到氯硅烷中的杂质，将该杂质单独除去即可检测。本装置具有提升了检测结果、避免闪爆，且对环境无害。
[0006]本技术的目的是通过以下技术方案实现的：
[0007]一种氯硅烷杂质检测的前处理装置，包括加热装置，所述加热装置上设置有用于放置氯硅烷的盛放装置，所述盛放装置上方设置有石英罩，所述石英罩与出气管相连，所述出气管与氢氟酸吸收装置相连。
[0008]优选的，所述氢氟酸吸收装置通过连接管与尾气吸收装置相连。
[0009]优选的，所述尾气吸收装置上还设置有放空管。
[0010]优选的，所述石英罩上还设置有进气管，所述进气管与惰性气体气瓶相连。
[0011]优选的，所述进气管上设置有进气阀。
[0012]优选的，所述盛放装置采用烧杯或敞口烧瓶。
[0013]优选的，所述加热装置采用电加热器.
[0014]本技术方案的有益效果如下：
[0015]一、本技术提供的一种氯硅烷杂质检测的前处理装置，氯硅烷放置在盛放装置，加热装置对盛放装置进行加热使得氯硅烷挥发，盛放装置中只余下杂质，挥发的氯硅烷在氢氟酸吸收装置内吸收，放置污染空气；待氯硅烷挥发完毕后即可得到氯硅烷中的杂质，将该杂质单独除去即可检测。本装置具有提升了检测结果、避免闪爆，且对环境无害。
[0016]二、本技术提供的一种氯硅烷杂质检测的前处理装置，氢氟酸吸收装置产生的酸性气体被尾气吸收装置中的碱液吸收，进一步减少大气污染。
[0017]三、本技术提供的一种氯硅烷杂质检测的前处理装置，惰性气体气瓶装置对石英罩内进行置换，避免环境杂质的引入，提高检测准确性。
附图说明
[0018]图1为本技术的结构示意图；
[0019]图2为本技术另一实施例的结构示意图；
[0020]其中：1、加热装置；2、盛放装置；3、石英罩；4、出气管；5、氢氟酸吸收装置；6、连接管；7、尾气吸收装置；8、放空管；9、进气管；10、惰性气体气瓶；11、进气阀。
具体实施方式
[0021]下面结合实施例对本技术作进一步地详细说明，但本技术的实施方式不限于此。
[0022]需要说明的是，当部件被称为“装设于”、“固定于”或“设置于”另一个部件上，它可以直接在另一个部件上或者可能同时存在居中部件。当一个部件被称为是“连接于”另一个部件，它可以是直接连接到另一个部件或者可能同时存在居中部件。
[0023]还需要说明的是，本技术实施例中的左、右、上、下等方位用语，仅是互为相对概念或是以产品的正常使用状态为参考的，而不应该认为是具有限制性的。
[0024]实施例1
[0025]如图1所示，一种氯硅烷杂质检测的前处理装置，包括加热装置1，所述加热装置1上设置有用于放置氯硅烷的盛放装置2，所述盛放装置2上方设置有石英罩3，所述石英罩3与出气管4相连，所述出气管4与氢氟酸吸收装置5相连。氯硅烷放置在盛放装置2，加热装置1对盛放装置进行加热使得氯硅烷挥发，盛放装置2中只余下杂质，挥发的氯硅烷在氢氟酸吸收装置5内吸收，放置污染空气。本装置具有提升了检测结果、避免闪爆，且对环境无害。
[0026]实施例2
[0027]如图2所示，本实施例与实施例1的不同点在于：所述氢氟酸吸收装置5通过连接管6与尾气吸收装置7相连。
[0028]其中，所述尾气吸收装置7上还设置有放空管8。氢氟酸吸收装置5产生的酸性气体被尾气吸收装置7中的碱液吸收，进一步减少大气污染。
[0029]其中，所述石英罩3上还设置有进气管9，所述进气管9与惰性气体气瓶10相连。
[0030]其中，所述进气管9上设置有进气阀11。惰性气体气瓶10装置对石英罩3内进行置换，避免环境杂质的引入，提高检测准确性。
[0031]其中，所述盛放装置2采用烧杯（如：PTFE烧杯）或敞口烧瓶。
[0032]其中，所述加热装置1采用电加热器（如：莱伯泰科EH20S加热器）。
[0033]本装置的使用方法如下：
[0034]步骤一、向氢氟酸吸收装置5、尾气吸收装置7、惰性气体气瓶10中分别加入氢氟酸、碱液（如氢氧化钠、氢氧化钾等碱液）和惰性气体（如氩气、氮气等惰性气体）；
[0035]步骤二、将氯硅烷加盛放装置中；
[0036]步骤三、打开进气阀11，惰性气体通过进气管9进入石英罩3中，几分钟后，开启加热装置1；
[0037]步骤四、挥发的氯硅烷通过出气管4进入氢氟酸吸收装置5中（氯硅烷中的杂质被残留在盛放装置2中，待挥发完成后将盛放装置2取出就可以将杂质单独拿去检测），氯硅烷与水反应生产二氧化硅、氯化氢和氢气，二氧化硅与氢氟酸反应的到四氟化硅；
[0038]步骤五、氯化氢、氢气和四氟化硅通过连接管6进入尾气吸收装置7中，氯化氢和四氟化硅被碱液吸收，其余的气体通过排空管排出本装置。
[0039]本装置中涉及到的反应有：SiHCl3+ 2H2O =SiO2+ 3HCl + H2↑
[0040]SiO2+4HF=SiF4+2H2O
[0041]HCl+NaOH=NaCl+H2O
[0042]SiF4+6NaOH
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种氯硅烷杂质检测的前处理装置，其特征在于：包括加热装置（1），所述加热装置（1）上设置有用于放置氯硅烷的盛放装置（2），所述盛放装置（2）上方设置有石英罩（3），所述石英罩（3）与出气管（4）相连，所述出气管（4）与氢氟酸吸收装置（5）相连。2.根据权利要求1所述的一种氯硅烷杂质检测的前处理装置，其特征在于：所述氢氟酸吸收装置（5）通过连接管（6）与尾气吸收装置（7）相连。3.根据权利要求2所述的一种氯硅烷杂质检测的前处理装置，其特征在于：所述尾气吸收装置（7）上还设置有放空管（...
【专利技术属性】
技术研发人员：武红元，李日红，侯海波，李向东，袁中华，何鹏，
申请(专利权)人：内蒙古通威高纯晶硅有限公司，
类型：新型
国别省市：
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