TSV电镀抽真空机构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种TSV电镀抽真空机构，包括真空槽、分液辅槽、液位计、真空泵和超声波发生器；真空槽连接进水管和排水管；所述的进水管和排水管上分别设置进水阀和排水阀；真空槽内设置超声波发生器；所述的真空槽通过溢流管与所述的分液辅槽连接；所述的溢流管上设置有溢流阀；所述分液辅槽内设置有液位计；所述的真空槽和所述的分液辅槽连接真空泵，通过真空泵将其抽真空。本实用新型专利技术提高工作效率，避免孔底因气泡残留导致的孔底空洞现象。避免孔底因气泡残留导致的孔底空洞现象。避免孔底因气泡残留导致的孔底空洞现象。

【技术实现步骤摘要】
TSV电镀抽真空机构


[0001]本技术涉及晶圆加工设备，具体涉及一种TSV电镀抽真空机构。

技术介绍

[0002]晶圆 (Wafer) 是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在晶圆上电镀一层导电金属，并对导电金属层进行加工以制成导电线路。
[0003]晶圆生产过程中，晶圆表面会形成沟槽，还会形成盲孔。长期生产实践证明，晶圆表面的沟槽或盲孔内易储存气泡。现在对硅晶圆直接进行电镀工艺之前首先需要对硅晶圆进行润湿，现在通常采用喷淋的方式对晶圆进行润湿，但是硅晶圆上面有几十万个孔，在喷淋过程中由于水的本身特性，水不能进入部分孔内，尤其是晶圆上的深孔水很难浸入，对硅晶圆的润湿效果差，影响了后续电镀工艺的品质。

技术实现思路

[0004]本技术要解决的技术问题是提供一种TSV电镀抽真空机构，提高工作效率，避免孔底因气泡残留导致的孔底空洞现象。
[0005]为解决上述技术问题，本技术采取如下技术方案：一种TSV电镀抽真空机构，包括真空槽、分液辅槽、液位计、真空泵和超声波发生器；
[0006]所述的真空槽连接进水管和排水管；所述的进水管和排水管上分别设置进水阀和排水阀；真空槽内设置超声波发生器；所述的真空槽通过溢流管与所述的分液辅槽连接；所述的溢流管上设置有溢流阀；所述分液辅槽内设置有液位计；所述的真空槽连接真空泵，通过真空泵将真空槽抽真空。
[0007]进一步地，所述的进水阀为气动进水阀，排水阀为气动排水阀；所述的溢流阀为启动溢流阀。
[0008]进一步地，所述的分液辅槽底部设置排水管二；所述的排水管二上设置有排水阀二。
[0009]进一步地，所述的真空泵通过抽真空管道与分液辅槽连接，真空泵通过抽真空管道和溢流管对真空槽抽真空。
[0010]进一步地，所述的进水阀、排水阀、溢流阀、液位计、真空泵和超声波发生器与可编程控制器PLC连接，由可编程控制器PLC控制。
[0011]本技术的有益效果为：
[0012]1）本技术的抽真空机构，真空泵不易进水，故障率低，增加工作效率。
[0013]2）本技术的机构能有效湿润深宽比10:1的超级TSV孔，确保后续电镀制程药液能顺利进入TSV孔底部，避免孔底因气泡残留导致的孔底空洞现象。
附图说明
[0014]下面结合附图和实施例对本技术作进一步说明。
[0015]图1是本技术的结构示意图。
具体实施方式
[0016]下面将通过具体实施方式对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0017]参考图1，为本技术的一种TSV电镀抽真空机构，包括真空槽1、分液辅槽2、液位计3、真空泵4和超声波发生器5。
[0018]本技术的真空槽1连接进水管11和排水管12；进水管11和排水管12上分别设置进水阀14和排水阀15；进水阀14为气动进水阀，排水阀15为气动排水阀。真空槽1内设置超声波发生器5。真空槽1通过溢流管13与分液辅槽2连接；溢流管13上设置有溢流阀16；溢流阀16为启动溢流阀。分液辅槽2设置于真空槽1的一侧，内设置有液位计3。分液辅槽2底部设置排水管二21；排水管二21上设置有排水阀二22，排水阀二22为手动排水阀。真空泵4通过抽真空管道与分液辅槽2和真空槽1连接，真空泵4对真空槽1和分液辅槽2抽真空。
[0019]本技术抽真空机构的工作流程如下：
[0020]1.打开进水阀、溢流阀；
[0021]2.水满后关闭进水溢流阀；
[0022]3.启动真空泵；
[0023]4.真空到达设定值时自动启动超声波、停真空泵；
[0024]5.超声波时间结束、停超声波、泄真空；
[0025]6.停止一定的时间；
[0026]7.停止时间到，重复3到6步骤（按设定次数运行）
[0027]8.打开溢流和排水阀，排空；
[0028]9.步骤完成。
[0029]本技术的进水阀14、排水阀15、溢流阀16、液位计3、真空泵4和超声波发生器与可编程控制器PLC连接，由可编程控制器PLC控制。此外，真空泵还通过抽真空管道与分液辅槽连接，真空泵通过抽真空管道和溢流管对真空槽抽真空。
[0030]本技术的抽真空机构在使用时，首先将晶圆装入治具中、放入抽真空槽体内，盖上密封盖，打开进水阀和溢流阀，注水，当槽体水位达到液位计时，PLC控制抽真空自动运行；当真空达到
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96kpa，PLC控制设备超声波自动运行。本技术的抽真空机构可有效减少TSV产品深孔低部气泡，循环2
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3次，可减少TSV深孔内残留的气体。工作1次可减少孔内19/20的气体。
[0031]以上所述，仅是本技术的较佳实施例而已，不用于限制本技术，本领域技术人员可以在本技术的实质和保护范围内，对本技术做出各种修改或等同替换，这种修改或等同替换也应视为落在本技术技术方案的保护范围内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.TSV电镀抽真空机构，其特征在于：包括真空槽（1）、分液辅槽（2）、液位计（3）、真空泵（4）和超声波发生器（5）；所述的真空槽（1）连接进水管（11）和排水管（12）；所述的进水管（11）和排水管（12）上分别设置进水阀（14）和排水阀（15）；真空槽（1）内设置超声波发生器（5）；所述的真空槽（1）通过溢流管（13）与所述的分液辅槽（2）连接；所述的溢流管（13）上设置有溢流阀（16）；所述分液辅槽（2）内设置有液位计（3）；所述的真空槽（1）和所述的分液辅槽（2）连接真空泵（4），通过真空泵（4）将其抽真空。2.根据权利要求1所述的TSV电镀抽真空机构，其特征在于：所述的进水阀（14）为气动进水...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷建华，孟路强，
申请(专利权)人：江苏矽智半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：