电波泄漏防止装置制造方法及图纸

本发明专利技术系关于电波泄漏防止装置，用于基波和高次谐波的衰减，在第１个槽中把基波衰减掉，而在第１个槽的开口处设有的第２个槽中将高次谐波衰减掉．由于有第２个槽，所以可以加长第１个槽的电长度，故而第１个槽可做得小些，整体紧凑，造价上及设计上也都实用．（*该技术在2006年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本专利技术系关于在微波电子炉主体加热室和门的间隙处，防止电波泄漏的方法。特别是对加热使用的基波和其高次谐波两者都具有防止泄漏功能的抑制槽结构。由于磁控管的振荡效率高，结构简单，一般在电子炉等装置中用作振荡管。但是，此磁控管除了加热时所用的基波2450兆赫的微波之外，还产生与基波成整倍数的高次谐波成分的微波。近几年来，随着各种通信技术的发展，以及使用微波波段通讯方向的进展，特别是近几年来，使用2450兆赫的5次谐波一12.25千兆赫用于直接卫星广播系统的趋势兴盛以来。这就要求减少从现有的上述微波电子炉产生的高次谐波，尤其是其5次谐波对于直接卫星广播系统(DBC)的危害的可能性，正在引起特别注意。就微波电子炉所用的门来说，为防止电波在其闭合时，从加热室门的间隙处向外泄漏，在与加热室四周相对应的门的外部周边处，设有抑制槽。但是该抑制槽主要对2450兆赫的基波有大的效果，而对于前面所说的高次谐波(第4次到第5次谐波)几乎没有什么效果。因此，以防止这种高次谐波泄漏为目的，而设置第二个和第三个抑制槽的结构，也已有所考虑。(例如，实用性公布昭和48-4121号，实用性公布昭和52-7850号，特许公布昭和52-3126号)但是，这种过去的结构，由于独立地设置各个抑制槽，其结构复杂庞大，造价上和设计上的实用性也不足。因此本专利技术的目的，是以实现无论是对基波还是对高次谐波，都能取得满意效果，而且抑制槽的结构简单小巧，其造价上和设计上也较为实用。为了达到上述目的的本专利技术，具有开口部分的被高频照射的加热室，开闭上述加热室开口的门，以及上述开口的周边部分或在朝向该周边部分的门的一侧设置了电波泄漏防止装置的第一个槽，在第一个槽的开口部分，设有其深度和宽度分别为上述第一槽的一半以下的第二个槽。而根据上述的技术方法，其作用如下。第一个槽把基波衰减掉，第二个槽把高次谐波衰减掉，此外，因为第二个槽被设置在第一个槽的开口处，因而第一个槽的爬电长度变长，就有可能把第一个槽作的比较小。据此，就可得到造价上和设计上也合乎实用的简单的小型结构。由于此专利技术把高次谐波用的抑制槽，以隆起的方式设置在基波(2450兆赫)用的抑制槽的内侧开口处，因此比起只有基波用抑制槽的情况，是更加紧凑而简单的结构，因此就可以提供对基波及高次谐波两者都具有高屏蔽性能的电波泄漏防止装置。尤其是，把密封板的周边作成 字形状而构成高次谐波抑制槽，被一个具有 字形截面的外框把高次谐波抑制槽围住，并把 字形外框用点焊固定在前述的密封板的周边上而构成基波抑制槽，这样与只有基波抑制槽的原来情况比其部件结构几乎没有什么变化，且能使它既紧凑又便宜。另外，槽盖内侧的边缘部分设有帽沿形状的突起部分，使该突起部分被嵌入高次谐波抑制槽内，由此不影响基波抑制槽的作用的前提下就可调整高次谐波抑制槽的频率特性，并可得到其最佳状况。这样，不仅设计上容易进行调整，而且能根据使用微波电子炉国家的规定和所用磁控管的品种，以及加热室的设计，仅适当变动抑制槽盖，就能得到高次谐波抑制的最佳点。图1为作为本专利技术的微波电子炉用电波泄漏防止装置的一个实施例的微波电子炉的整体侧视图。图2为本专利技术一个实施例中，电子炉用电波泄漏防止装置的主要部分的截面图。图3为图2的第2个槽的放大截面图。图4为其密封板的主要部分侧视图。图5为说明本专利技术的原理图。图5(a)为其截面概念图;(b)为脊形波导管截面概略图;(c)为脊形波导管的等效电路。图6为本专利技术的其它实施例中的微波电子炉用电波泄漏防止装置主要部分截面图。图7为其壁面体的主要部分侧视图，图8为作为本专利技术的微波电子炉用电波泄漏防止装置与过去的装置的屏蔽效果的实验结果。图9为表示壁面体的其它实施例的主要部分斜视图。图10、图11、图12、图13，为密封板的其它实施例的主要部分侧视图，图14为第二个槽C2部分的其它实施例的放大截面图。图1为使用本专利技术的电磁波泄漏防止装置一个实施例的微波电子炉整体侧视图，图1中，被主体5围住的加热室1的开口的周边部分8有一个可自由开关的开闭其前面开口的门2。本专利技术的图2、图3、图4为图1所示电子炉的主要部分的截面图;门2关闭时加热室1开口周边部分8相接触的密封板4点焊固定，并与一个开口侧朝向前述开口周边部分8的 字形截面的外框3组成骨架，而外框3构成基波用抑制槽第1个槽C1。而前述密封板4的外部边沿的一端，也形成一个其开口侧朝向前述开口周边部分8的 字形截面的第2个槽C2，其深度d，宽度w都为第1个槽C1的深度D，宽度w的一半以下，也就是说第2个槽C2是在离开形成第1个槽C1的外框3(第1个槽C1)的内侧内壁3b的距离为G处而构成的，因而从第1个槽C1的开口部分到作为短路面功能的第1个槽C1的内侧内壁3b为止的爬电长度L的传输路径，从开口侧看其构成的形状，由于第2个槽C2的外壁所形成的凸出部分，使其高度S1一度变窄之后又增高到S2，而达到第1个槽C1的内侧内壁3b。此外，槽C1，C2的开口部分是由用树脂等绝缘材料所作的其用槽盖9一起盖住的，同时槽盖9还设有嵌入第2个槽C2内的帽沿状的凸出部分9a。就以上结构来说，第2槽C2是对于以高次谐波为中心的高频电波的泄漏起抑制作用;第1个槽C1则对基波为中心的频率具有抑制作用。在此把第2个槽C2置于第1个槽C1的开口部分，这种结构不仅对高次谐波有抑制作用，而且还可以提高第1个槽C1的作用，此外还有使第1个槽C1小型化的作用。现就这二个作用加以说明。过去没有设置密封高次谐波槽的结构中，从其开口处，特别是密封板边缘处，幅射出许多高次振荡的电波，由于其传播形态不定，因而抑制作用不稳定，但在上述实施例的情况下，从第1个槽C1的外侧内壁3a和第2个槽C2的外侧外壁4a形成从第1个槽C1的开口处相对槽内平行的传输路径，因此抑制了高次振荡的发生，从而提高了抑制效果和稳定性。其次对第1个槽C1的小型化效果，用图5加以说明。图5(a)为本专利技术的一个实际例子图2的概念图。如前所述，在第1个槽C1内所形成的传输路径，由于第2个槽C2的外壁形成的凸出部分，使其高度S1一度变窄，就在该部分形成容抗15。而第1个槽C1中所形成的传输路径的爬电长度L，则是由包括该容抗15在内来决定的，它比起没有第2个槽C2的时候要长一些。对此还可以用解析的办法求得其效果;如图5(b)所示的脊形波导管10与具有高宽尺寸为a的相同的方形波导管相比，它有非常低的截止频率，从这样的比较来考虑的话是可以理解的。图5(c)为对应于图5(b)所示的脊形波导管10的等效电路，也可以认为与图5(a)的第1个槽C1具有同样的等效电路。这就是在图2中，由于第2个槽C2是在密封板4的外边沿处构成的，它意味着用较小的宽度w就能实现同样的爬电长度L;从而说明设置高次谐波用的第2个槽C2就使得基波用的抑制槽第1个槽C1与小型化联系在一起。如上说明的那样，采用与对基波(2450兆赫)通过有抑制作用的结构几乎相同的结构，不仅可以实现具有高次谐波用的第2个槽C2的门的设置，而且还可以实现第1个槽C1的小型化，并提高其性能。此外，密封板4的最外端4b，为第2槽C2的外侧壁的顶端，该位置距构成第1槽C1的短路点的内侧内壁3b的爬电长度相当于基波波长的1/4，因而成为基波电流为零、而电场为最本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有开口部分的被高频照射的加热室，和开闭该加热室的前述开口部分的门，在前述加热室的开口部分的周边部分和朝向该周边部分的上述的门的任何一侧设有电波泄漏防止装置的第１个槽，在该装置中，第１个槽的开口部分设有在深度和宽度上各为前述第１个槽的一半以下的电波泄漏防止装置第２个槽。

【技术特征摘要】
JP 1985-3-27 62513/851.具有开口部分的被高频照射的加热室，和开闭该加热室的前述开口部分的门，在前述加热室的开口部分的周边部分和朝向该周边部分的上述的门的任何一侧设有电波泄漏防止装置的第1个槽，在该装置中，第1个槽的开口部分设有在深度和宽度上各为前述第1个槽的一半以下的电波泄漏防止装置第2个槽。2.权利要求1中所述的电波泄漏防止装置，设有其帽沿状突出部分被嵌入第2个槽中的槽盖，并把第1个槽和第2个槽同时覆盖住。3.装置具有开口部分的被高频照射的加热室，以及开闭该加热室的前述开口部分的门，并具有在前述加热室的开口部分的周边部分和面对该周边部分的门的任何一侧设有电波泄漏防止装置的槽，并在该槽被以一定间隔的断...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口公明，新田昌弘，井上和幸，濑光男，户田喜博，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]