三维沟槽硅电极探测器制造技术

本实用新型专利技术公开了三维沟槽硅电极探测器，由数个探测单元拼接而成，探测单元包括二氧化硅保护层，二氧化硅保护层上设有外围电极，二氧化硅保护层上和外围电极内设置有硅基体和中心电极，所述硅基体包括基体部分和嵌套部分，嵌套部分内嵌在外围电极内且位于基体部分上，所述中心电极与外围电极之间、嵌套部分与外围电极之间均填充隔离体，所述外围电极、中心电极和隔离体顶部均设有电极接触铝层，其中外围电极和中心电极两个电极接触铝层上均设有电极接触端口。本实用新型专利技术解决了现有探测器对光的吸收系数小，吸收光谱窄，不能充分吸收和利用太阳能的问题。和利用太阳能的问题。和利用太阳能的问题。

【技术实现步骤摘要】
三维沟槽硅电极探测器


[0001]本技术属于光电探测器
，涉及一种三维沟槽硅电极探测器。

技术介绍

[0002]目前，硅基光电探测器的应用存在以下问题，一方面，硅基光电探测器的性能受限于硅材料的光电特性，无法集成高密度光源、低损耗高速光电调制器等问题；另一方面，硅基光电探测器对光的吸收系数小，吸收光谱窄，绝大部分红外波长的光无法吸收，大大限制了硅基光电探测器的广泛应用。
[0003]二维光催化材料具有丰富的表面活性位点、独特的几何结构、可调的电子结构和良好的光催化活性，在光电探测领域具有潜在的利用价值。鉴于此，本技术运用ZnO/C2N异质结作为光探测器的光吸收材料对新型探测器展开了研究，并对ZnO/C2N异质结施加应变以实现太阳能的有效利用。

技术实现思路

[0004]为实现上述目的，本技术提供一种三维沟槽硅电极探测器，解决了现有探测器对光的吸收系数小，吸收光谱窄，不能充分吸收和利用太阳能的问题。
[0005]本技术所采用的技术方案是，三维沟槽硅电极探测器，由数个探测单元拼接而成，所述探测单元包括横截面为四边形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.三维沟槽硅电极探测器，其特征在于，由数个探测单元拼接而成，所述探测单元包括横截面为四边形的二氧化硅保护层(5)，二氧化硅保护层(5)上设有中空的直四棱柱状的外围电极(1)，二氧化硅保护层(5)上和外围电极(1)内设置有硅基体和中心电极(2)，所述硅基体包括基体部分(6)和嵌套部分(3)，基体部分(6)的横截面尺寸与二氧化硅保护层(5)的横截面相同，所述嵌套部分(3)内嵌在外围电极(1)内且位于基体部分(6)上，所述中心电极(2)与外围电极(1)之间、嵌套部分(3)与外围电极(1)之间均填充隔离体(7)，所述外围电极(1)、中心电极(2)和隔离体(7)顶部均设有电极接触铝层(4)，其中外围电极(1)和中心电极(2)两个电极接触铝层(4)上均设有电极接触端口。2.根据权利要求1所述的三维沟槽硅电极探测器，其特征在于，所述探测器的高度为300
‑
500μm；二氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐勇，卢以丹，刘美萍，刘文富，李景富，李福荣，
申请(专利权)人：黄淮学院，
类型：新型
国别省市：