固态类阴极射线发光器件制造技术

技术编号:3699117 阅读:197 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种固态类阴极射线发光器件,由透明导电玻璃ITO层1、淀积于透明导电玻璃(ITO)层1上的无机半导体加速层2、有机发光层3、无机半导体加速层2和铝电极(Al)4构成。依所选用材料其结构为ITO/SiO↓[2]/PPV/SiO↓[2]/Al。在交流电场激发下,电子经加速层获得足够的能量(大于10电子伏)后,直接碰撞有机发光层3,产生类阴极射线发光。其发光的波长范围可以包括整个可见区。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在固态介质中产生类阴极射线发光器件。
技术介绍
电场诱导下的发光已经发现了四种(一)阴极射线发光;(二)p-n结发光;(三)无机场致发光;(四)有机/聚合物场致发光。1987年潘可夫(S.Pankove)还提出了另一个电场诱导下发光的模型,认为隧穿进入发光层导带较高能级的电子可以将其位能直接转换成激发能,在常规情况下,由于电声子相互作用很强,电子很快可以降至导带底,这种情况是不可能的。在这四种发光中(一)的工作电压很高,万伏以上;(二)的发光是在低场区;只有(三)及(四)的发光是在场强相近的条件下实现的。
技术实现思路
本专利技术的固态类阴极射线发光器件,由透明导电玻璃(ITO)、淀积在透明导电玻璃上的发光层和背电极构成。所述的发光层为有机发光层和其两侧淀积的无机半导体加速层的复合层,有机发光层采用高分子发光材料聚苯乙炔PPV,无机半导体加速层采用无机宽禁带半导体材料二氧化硅SiO2。按ITO/SiO2/PPV/SiO2/Al结构,做成对称性的器件。另一种,所述的发光层为有机发光层和其一侧淀积的无机半导体加速层的复合层,有机发光层采用高分子发光材料PPV,无机半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固态类阴极射线发光器件,由透明导电玻璃ITO层(1)、淀积在透明导电玻璃ITO层(1)上的发光层和铝电极(4)构成,其特征在于:所述的发光层为有机发光层(3)和其两侧淀积的无机半导体加速层(2)的复合层,有机发光层采用高分子发光材料PPV,无机半导体加速层采用无机宽禁带半导体材料SiO↓[2];按ITO/SiO↓[2]/PPV/SiO↓[2]/Al结构,做成对称性的器件;在交流电场激发下,电子经无机半导体加速层(2)获得足够的能量后,可直接碰撞激发有机发光层(3)发光,产生类阴极射线发光。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:徐叙瑢徐征
申请(专利权)人:北方交通大学
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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