带冲击缓冲功能的电场发光器件及用于其中的密封构件制造技术

技术编号:3698780 阅读:152 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种可以缓冲来自外部的冲击、寿命长的EL器件。在EL器件(100)中,发光元件形成基片(18)通过在透明玻璃基片(10)上形成第1电极(12),进而在第1电极(12)上形成发光元件层(16),并进而在发光元件层(16)上形成第2电极(14)而构成。密封构件(40)从第2电极(14)一侧以覆盖的方式遮罩发光元件形成基片(18)的上方,在第2电极(14)和密封构件(40)的间隙(30)中配置柱状或球状或片状的冲击缓冲构件(20)。在该冲击缓冲构件(20)由硬质材料形成时,最好配置在EL器件的非发光区域上。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在电场发光器件,特别是涉及电场发光器件的密封部分的构造。
技术介绍
电场发光元件(例如场致发光元件,以下称称为“EL元件”)一般是指单一的元件,而另一方面,电场发光器件(例如场致发光器件,以下称为“EL器件”)是指,包含上述EL元件在内,在一个基片上形成有一个以上的EL元件的器件。此外,EL元件因供给发光层的物质为无机化合物或者有机化合物而大不相同,前者称为无机EL元件,后者称为有机EL元件。图6示出了以往的EL器件的结构的一个例子。如图6所示,在EL器件200中,例如在由玻璃基片构成的基片10的发光区域中,形成了多个第1电极12,在该第1电极12上,形成了由无机化合物或有机化合物构成的发光元件层16,而在发光元件层16之上又形成了单一的第2电极14。这样,发光元件形成基片18由上述基片10、第1电极12、发光元件层16和第2电极14构成。其中,第1电极12是例如由透明导电材料ITO(铟锡氧化物)构成的电极(阳极),第2电极是金属电极(阴极)。密封容器型的密封构件42以从第2电极14一侧覆盖发光元件形成基片18的上方的形式进行遮罩,并且在第2电极14和密封构件42之间留有空隙30,密封构件42的端部由树脂等粘结到发光元件形成基片18上。在此,为了防止发光元件因吸湿而退化,在减压状态下向上述间隙30内封入了氮气等惰性气体或硅油。此外,在上述EL器件200的发光元件层16中,从第1电极12注入空穴,从第2电极14注入电子。该被注入的空穴和电子因在发光元件层16内移动引起的冲撞、重新结合而消灭,借助重新结合产生的能量使发光分子处于激活状态而进行发光。
技术实现思路
图6所示的以往的EL元件以及EL器件200由于在第2电极14和密封构件42之间具有间隙30,在受到外部的机械振动或冲击时,密封构件42向第2电极14弯曲,有可能使密封构件42碰撞第2电极14,从而给第2电极14和其下层的发光元件层16带来损伤。另外,在调整为最终产品时,有时要用例如5个气压进行加压。在这种情况下,有可能使密封构件42凹陷,从而也有可能给有机EL元件带来损伤。而一旦有机EL元件受到损伤,就会使产生黑点或加速老化等导致显示质量降低和装置寿命缩短等弊端发生。本专利技术是为解决上述问题而提出的,其目的在于,提供一种可以保持稳定的发光特性并能实现使用寿命长的电场发光器件。为达到上述目的,本专利技术的带有冲击缓冲功能的电场发光器件以及电场发光器件用的带有冲击缓冲功能的密封构件具有以下特征(1)一种带有冲击缓冲功能的电场发光器件,包括具有在基片上形成的第1电极和夹持发光层形成在上述第1电极上的第2电极的发光元件形成基片,覆盖上述发光元件形成基片的元件形成面一侧的密封构件,和配置在上述发光元件形成基片与密封构件的间隙中的冲击缓冲构件。通过在发光元件形成基片与密封构件的间隙中配置冲击缓冲构件,即使有外部的振动或冲击施加到密封构件上,也会因上述冲击缓冲构件而使振动和冲击得到缓冲,能够抑制对发光元件形成基片一侧带来的损伤。据此,可以提供具有稳定性且寿命长的EL器件。(2)一种上述(1)所述的带有冲击缓冲功能的电场发光器件,上述冲击缓冲构件突出设置或固定在上述密封构件上与上述发光元件形成基片的相向面一侧上。上述冲击缓冲构件属于软质物质的话,可以在发光元件形成基片的上方全面上形成冲击缓冲构件,但如果是硬质物质的话,最好避开发光元件形成基片的发光区域,而将冲击缓冲构件配置在非发光区域上。由于硬质冲击缓冲构件虽然可以分散外部施加的力,但不能完全缓冲冲击等,所以最好不要配置在发光区域上。因此,特别是对硬质冲击缓冲构件,为了能够配置在偏离发光区域的区域上,最好固定或突出设置在密封构件上与上述发光元件形成基片的相向面一侧上。(3)一种电场发光器件用的带有冲击缓冲功能的密封构件,是用于覆盖具有在基片上形成的第1电极和夹持发光层形成在上述第全文摘要本专利技术提供一种可以缓冲来自外部的冲击、寿命长的EL器件。在EL器件(100)中,发光元件形成基片(18)通过在透明玻璃基片(10)上形成第1电极(12),进而在第1电极(12)上形成发光元件层(16),并进而在发光元件层(16)上形成第2电极(14)而构成。密封构件(40)从第2电极(14)一侧以覆盖的方式遮罩发光元件形成基片(18)的上方,在第2电极(14)和密封构件(40)的间隙(30)中配置柱状或球状或片状的冲击缓冲构件(20)。在该冲击缓冲构件(20)由硬质材料形成时,最好配置在EL器件的非发光区域上。文档编号H05B33/04GK1382007SQ02104978公开日2002年11月27日 申请日期2002年3月29日 优先权日2001年3月30日专利技术者山田努, 西川龙司 申请人:三洋电机株式会社 本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种带有冲击缓冲功能的电场发光器件,其特征在于,包括:具有在基片上形成的第1电极和夹持发光层形成在上述第1电极上的第2电极的发光元件形成基片,覆盖上述发光元件形成基片的元件形成面一侧的密封构件,配置在上述发光元件形成基片与密封构 件的间隙中的冲击缓冲构件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:山田努西川龙司
申请(专利权)人:三洋电机株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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