【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种增加低温时加热元件使用寿命的方法，更具体的是钼硅化物型和钼钨硅化物型加热元件的使用寿命，包括此基础材料的不同合金。具有这种性质的元件由申请人以多种形式加工而成。当这类元件在相对低温下工作时，例如温度在400-550℃左右时，没有保护性的二氧化硅氧化层，所谓的玻璃皮(skin)形成，正如在高温下使用此类加热元件的情况。此外，此类元件会遭受所谓的有害攻击(pestattack)，意味着在元件表面形成一MoO3和SiO2的非保护层。此混合物是多孔并且易分解的，导致此类元件使用寿命的显著缩短。然而在许多应用中，此类加热元件仍然是最好的选择。这方面的一个例子可以在电路(electronic circuits)生产中的LPCVD(低压化学气相沉积)腔的加热中找到。一种改善此类加热元件低温性质的途径是在大约1500℃或更高的温度下预氧化此类元件，以形成SiO2氧化层。此氧化层会减慢有害物(pest)的形成。有害物形成是由于MoSi2和O2形成了MoO3和SiO2。此氧化物混合物是相对多孔的，进而对连续的氧化不会起保护作用。然而，对于抵御有害物的形成，此类...
【技术保护点】
一种增加加热元件寿命的方法，此类元件主要包含钼硅化物和此类基础材料的合金，当所述元件在低温工作时，例如温度范围４００－６００℃，其特征在于此类加热元件材料包含Ｍｏ（Ｓｉ↓［１－ｘ］Ａｌ↓［ｘ］）↓［２］，其中所述材料含足够的铝以基本上阻止有害物形成。
【技术特征摘要】
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