本发明专利技术属于半导体技术领域，具体的说是一种MOSFET制备的热氧化生长工艺及装置，包括氧化舱体，所述氧化舱体顶面安装有观察窗，所述氧化舱体内部设置有安装架，所述安装架与MOSFET的尺寸相适配，所述安装架外部安装有翻转组件，所述翻转组件用以带动安装架进行翻面，所述安装架外部安装有夹持组件，所述夹持组件用以对MOSFET限位防止其在翻转的过程中掉落；通过启动翻转组件，使其运行带动安装架进行转动，使得MOSFET原料的另一面正对热氧组件的排气端，从而使得MOSFET原料得以双面均匀与氧气接触，从而便于氧化工作的进行与氧化反应的均匀性，提高产品生产质量，而在翻转的过程中，通过夹持组件的设置可以有效的避免MOSFET原料发生掉落的情况。MOSFET原料发生掉落的情况。MOSFET原料发生掉落的情况。
【技术实现步骤摘要】
一种MOSFET制备的热氧化生长工艺及装置
[0001]本专利技术属于半导体
，具体的说是一种MOSFET制备的热氧化生长工艺及装置。
技术介绍
[0002]MOSFET即金属
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氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是由金属
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氧化物
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半导体结构形成的MOS电容，当MOS电容两端外加电压时，氧化物
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半导体界面附近的半导体能带发生弯曲，MOSFET的应用范围十分广泛。
[0003]在MOSFET制备的过程中，需要对其原料进行氧化，使得原料表面生成一层二氧化硅薄膜，而二氧化硅薄膜的制备方法有热氧化、化学气相淀积、物理法淀积和阳极氧化法等，其中热氧化法是最常用的氧化方法。
[0004]目前再对MOSFET原料进行热氧化加工时，MOSFET原料往往置于安装架上，其往往仅有一面可自由与氧气接触，这就导致会MOSFET原料在氧化生长的过程中可能会出现两面二氧化硅薄膜不均匀的情况，影响产品质量。
[0005]为此，本专利技术提供一种MOSFET制备的热氧化生长工艺及装置。
技术实现思路
[0006]为了弥补现有技术的不足，解决
技术介绍
中所提出的至少一个技术问题。
[0007]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：本专利技术所述的一种MOSFET制备的热氧化生长装置，包括氧化舱体，所述氧化舱体顶面安装有观察窗，所述氧化舱体内部设置有安装架，所述安装架与MOSFET的尺寸相适配，所述安装架外部安装有翻转组件，所述翻转组件用以带动安装架进行翻面，所述安装架外部安装有夹持组件，所述夹持组件用以对MOSFET限位防止其在翻转的过程中掉落，所述氧化舱体内部安装有热氧组件，所述热氧组件用以向氧化舱体内部充入氧气与加热升温；工作时，首先需要员工将待加工的MOSFET原料安装在安装架的内部，随后封闭氧化舱体启动热氧组件，从而对氧化舱体的内部进行升温、供氧，从而使得MOSFET原料发生氧化反应，在一段时间后，启动翻转组件，使其运行带动安装架进行转动，使得MOSFET原料的另一面正对热氧组件的排气端，从而使得MOSFET原料得以双面均匀与氧气接触，从而便于氧化工作的进行与氧化反应的均匀性，提高产品生产质量，而在翻转的过程中，通过夹持组件的设置可以有效的避免MOSFET原料发生掉落的情况。
[0008]优选的，所述翻转组件包括转动轴，所述转动轴与安装架固定连接，所述转动轴外部转动连接有滑动板，所述滑动板远离安装架的一侧固定有一对平移块，一对所述平移块内部均通过螺纹连接有传动螺杆，所述传动螺杆的一端安装有伺服电机，所述传动螺杆的另一端与氧化舱体转动连接，所述转动轴远离安装架的一端固定有翻转齿轮，所述翻转齿轮外部设置有限位导轨，所述限位导轨内部安装有翻转齿板，所述翻转齿板的尺寸与翻转齿轮周长的一半相适配；工作时，首先需要启动传动螺杆一端的伺服电机，使其带动传动螺
杆进行转动，在传动螺杆转动的过程中会带动平移块进行滑动，平移块滑动从而带动滑动板运动，滑动板运动进而带动安装架、转动轴一同运动，在此过程中转动轴会同时带动翻转齿轮运动，当翻转齿轮运动至与翻转齿板相啮合时，此时的翻转齿轮便会在翻转齿板的作用下发生转动，进而带动安装架与转动轴一同运行，由于翻转齿板的尺寸与翻转齿轮周长的一半相适配，从而此时的安装架会翻转一百八十度，进而刚好完成翻面操作，如此便达到了可自动或手动控制完成翻面作业，提高MOSFET原料的氧化效果。
[0009]优选的，所述翻转齿轮远离转动轴的一侧开设有限位槽，所述限位槽内部安装有限位杆，所述限位杆与限位导轨规定连接，所述限位杆分段设置且与翻转齿板的安装位置相适配；工作时，在平移块滑动带动安装架进行运动的过程中，可能会出现不稳定的情况，由此通过翻转齿轮表面限位槽与限位杆的设置，使得翻转齿轮在运动的过程中会一直被限位杆所限制，不会发生转动，从而有效的保证了安装架的平稳性，防止在运输的过程中MOSFET原料掉落，提高设备稳定性。
[0010]优选的，所述安装架内部安装有限位条，所述限位条的中心轴线与安装架的中心轴线相适配；工作时，在安装MOSFET原料的过程中，通过限位条可以有效的对MOSFET原料进行初步限位，辅助安装，提高安装效率。
[0011]优选的，所述热氧组件包括电热板，所述电热板内部贯通连接有多个排气嘴，所述排气嘴远离氧化舱体的一端与氧气泵连通；工作时，在需要对氧化舱体内部进行升温与充入氧气时，电热板运行从而对氧化舱体内部进行升温，而排气嘴同步向氧化舱体内部充入氧气，同时通过电热板与排气嘴的结合设置，可以使得充入的氧气在初始阶段便可被加热，加热后的氧气填布氧化舱体的内部，起到快速升温的效果，同时也便于氧化反应的进行。
[0012]优选的，所述夹持组件包括导动杆，所述导动杆靠近安装架的一侧转动连接有滑动块，所述滑动块外部滑动连接有限位架，所述限位架与安装架固定连接，所述滑动块顶面且位于靠近安装架的一侧固定连接有一对支撑板，所述滑动块与安装架之间固定连接有一对弹性片，所述导动杆远离滑动块的一端转动连接有导向球，所述滑动板的外表面开设有V型槽，且槽的边缘处均进行倒角处理；工作时，在安装架翻转的过程中，其会同时带动导动杆及其表面的导向球一同翻转，而导向球在翻转的过程中会沿着滑动板表面的V型槽进行滑动，并在V型槽的作用下导向球会推动导动杆带动滑动块运动，滑动块运动从而推挤弹性片使其弯曲后沿着限位架进行滑动，滑动块运动从而带动支撑板运动，这时的支撑板便会向着安装架中心的方向运动，从而自安装架的两边伸出，对安装架内部的MOSFET原料进行支撑，从而有效的防止了在翻转的过程中MOSFET原料出现掉落的情况，提高氧化生长的稳定性。
[0013]优选的，所述支撑板靠近安装架的一侧开设有倒角，所述支撑板远离滑动块的一侧设置有清洁垫，所述清洁垫与安装架固定连接；工作时，在支撑板运动与MOSFET原料接触时，其表面的倒角可以有效的进行导向，防止将MOSFET原料表面刮花，同时清洁垫的设置也可有效的在支撑板与MOSFET原料接触前对其进行清理。
[0014]优选的，所述清洁垫内部开设有多个通气孔，所述安装架内部开设有多个通孔并与通气孔一一对应；工作时，通过通气孔的设置，使得氧气得以通过通孔、通气孔流向MOSFET原料的边角处，从而使得MOSFET原料的边角处同样可以与氧气充分接触。
[0015]一种MOSFET制备的热氧化生长工艺，该工艺采用上述任意一项所述一种MOSFET制
备的热氧化生长装置，该工艺包括以下步骤：
[0016]S1、将待加工的MOSFET原料安装在安装架的内部，随后关闭氧化舱体；
[0017]S2、启动电热板使其运行开始加热，同时通过排气嘴向氧化舱体内部注入氧气，进行氧化反应；
[0018]S3、一段时间后，启动翻转组件，使其运行带动安装架翻转，使得MOSFET原料的另一面正对热氧组件。
[0019]优选的，S中翻转组件的运行过程如下：本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MOSFET制备的热氧化生长装置，其特征在于：包括氧化舱体(1)，所述氧化舱体(1)顶面安装有观察窗(2)，所述氧化舱体(1)内部设置有安装架(3)，所述安装架(3)与MOSFET的尺寸相适配，所述安装架(3)外部安装有翻转组件，所述翻转组件用以带动安装架(3)进行翻面，所述安装架(3)外部安装有夹持组件，所述夹持组件用以对MOSFET限位防止其在翻转的过程中掉落，所述氧化舱体(1)内部安装有热氧组件，所述热氧组件用以向氧化舱体(1)内部充入氧气与加热升温。2.根据权利要求1所述的一种MOSFET制备的热氧化生长装置，其特征在于：所述翻转组件包括转动轴(4)，所述转动轴(4)与安装架(3)固定连接，所述转动轴(4)外部转动连接有滑动板(5)，所述滑动板(5)远离安装架(3)的一侧固定有一对平移块(6)，一对所述平移块(6)内部均通过螺纹连接有传动螺杆(7)，所述传动螺杆(7)的一端安装有伺服电机，所述传动螺杆(7)的另一端与氧化舱体(1)转动连接，所述转动轴(4)远离安装架(3)的一端固定有翻转齿轮(8)，所述翻转齿轮(8)外部设置有限位导轨(10)，所述限位导轨(10)内部安装有翻转齿板(9)，所述翻转齿板(9)的尺寸与翻转齿轮(8)周长的一半相适配。3.根据权利要求2所述的一种MOSFET制备的热氧化生长装置，其特征在于：所述翻转齿轮(8)远离转动轴(4)的一侧开设有限位槽，所述限位槽内部安装有限位杆(11)，所述限位杆(11)与限位导轨(10)规定连接，所述限位杆(11)分段设置且与翻转齿板(9)的安装位置相适配。4.根据权利要求1所述的一种MOSFET制备的热氧化生长装置，其特征在于：所述安装架(3)内部安装有限位条(12)，所述限位条(12)的中心轴线与安装架(3)的中心轴线相适配。5.根据权利要求1所述的一种MOSFET制备的热氧化生长装置，其特征在于：所述热氧组件包括电热板(13)，所述电热板(13)内部贯通连接有多个排气嘴(14)，所述排气嘴(14)远离氧化舱体(1)的一端与氧气泵连通。6.根据权利要求1所述的一种MOSFET制备的热氧化生长装置，其特征在于：所述夹持组件包括导动...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏华秋，夏华忠，黄传伟，
申请(专利权)人：江苏东海半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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