建模方法、装置、计算机可读存储介质以及处理器制造方法及图纸

本申请提供了一种建模方法、装置、计算机可读存储介质以及处理器，该方法包括：根据光酸发生剂的浓度和泊松生成器，确定酸分子的初始数量，根据碱淬灭剂的浓度和泊松生成器，确定碱分子的初始数量，根据聚合物树脂的浓度和泊松生成器，确定聚合物树脂中保护基团的初始数量；确定步骤，根据当前时刻保护基团的分子数量，确定下一时刻保护基团的分子数量，根据当前时刻酸分子的数量，确定下一时刻酸分子的数量，根据当前时刻碱分子的数量，确定下一时刻碱分子的数量；重复确定步骤多次，直到当前次的下一时刻为光刻胶烘烤的结束时刻。该方法解决了现有技术中在进行纳米级别的光刻建模时，忽视分子的随机性的技术问题。忽视分子的随机性的技术问题。忽视分子的随机性的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
建模方法、装置、计算机可读存储介质以及处理器


[0001]本申请涉及光刻
，具体而言，涉及一种建模方法、装置、计算机可读存储介质以及处理器。

技术介绍

[0002]化学放大胶(Chemically Amplified Resists,CAR)是光刻技术常用的一种光刻胶，主要成分由光酸发生剂(photoacid generator,PAG)、聚合物树脂、碱淬灭剂以及溶剂组成。当光刻胶进行曝光时，PAG将产生一种酸性产物，在随后进行的烘烤(post
‑
exposure bake,PEB)中，PAG作为催化剂催化聚合物树脂发生放大反应，聚合物树脂的保护基团发生去保护反应，生成可溶性的羟基(
‑
OH)，最终在显影中被溶剂溶解。
[0003]现有技术中关于PEB的随机模拟方法，其中，动力学方程采用分子数均值来进行计算，并没有考虑到PAG分子和碱分子初始分布的随机性，因此，缺乏对分子随机性的考虑。
[0004]在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
技术介绍
的理解，因此，
技术介绍
中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

技术实现思路

[0005]本申请的主要目的在于提供一种建模方法、装置、计算机可读存储介质以及处理器，以解决现有技术中在进行纳米级别的光刻建模时，忽视分子的随机性的问题。
[0006]根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种建模方法，包括：根据光酸发生剂的浓度和泊松生成器，确定酸分子的初始数量，根据碱淬灭剂的浓度和泊松生成器，确定碱分子的初始数量，根据聚合物树脂的浓度和泊松生成器，确定聚合物树脂中保护基团的初始数量，光酸发生剂、碱淬灭剂以及聚合物树脂构成光刻胶，酸分子为光酸发生剂在光刻胶曝光后转换得到的，泊松生成器用于根据输入的与酸发生剂的浓度相关的第一预定参数生成酸分子的初始数量、根据输入的与碱淬灭剂的浓度相关的第二预定参数生成碱分子的初始数量以及根据输入的与聚合物树脂的浓度相关的第三预定参数生成保护基团的初始数量；确定步骤，根据当前时刻保护基团的分子数量，确定下一时刻保护基团的分子数量，根据当前时刻酸分子的数量，确定下一时刻酸分子的数量，根据当前时刻碱分子的数量，确定下一时刻碱分子的数量，在第一次确定步骤中，当前时刻为光刻胶烘烤过程的开始时刻，当前时刻的保护基团的分子数量为保护基团的初始数量，当前时刻的酸分子的数量为酸分子的初始数量，当前时刻的碱分子的数量为碱分子的初始数量；重复确定步骤多次，直到当前次的下一时刻为光刻胶烘烤的结束时刻，其中，在每次重复的过程中，将上次的确定步骤中的下一时刻的保护基团的分子数量更新为当前次的当前时刻的保护基团的分子数量，将上次的确定步骤中的下一时刻的酸分子的数量更新为当前次的当前时刻的酸分子的数量，将上次的确定步骤中的下一时刻的碱分子的数量更新为当前次的当前时刻的碱分子的数量。
[0007]可选地，根据光酸发生剂的浓度和泊松生成器，确定酸分子的初始数量，包括：根
据光酸发生剂的浓度，确定单位体积的光酸发生剂的平均分子数量，根据光酸发生剂的平均分子数量，确定酸分子的平均分子数量，根据酸分子的平均分子数量以及泊松生成器，确定酸分子的初始数量，根据碱淬灭剂的浓度和泊松生成器，确定碱分子的初始数量，包括：根据碱淬灭剂的浓度，确定单位体积的碱分子的平均分子数量，根据碱分子的平均分子数量以及泊松生成器，确定碱分子的初始数量，根据保护基团的浓度和泊松生成器，确定保护基团的初始数量，包括：根据聚合物树脂的浓度，确定单位体积的保护基团的平均分子数量；根据保护基团的平均分子数量以及泊松生成器，确定保护基团的初始数量。
[0008]可选地，根据聚合物树脂的浓度，确定单位体积的保护基团的平均分子数量，包括：根据公式＜n
M
＞＝c
M
×
NA
×
V，确定单位体积的保护基团的平均分子数量，其中，＜n
M
＞为单位体积的保护基团的平均分子数量，c
M
为聚合物树脂的浓度，NA为阿伏伽德罗常数，V为单位体积；根据光酸发生剂的浓度，确定单位体积的光酸发生剂的平均分子数量，包括：根据公式＜n
p
＞＝c
p
×
NA
×
V，确定单位体积的光酸发生剂的平均分子数量，其中，＜n
p
＞为单位体积的光酸发生剂的平均分子数量，c
p
为光酸发生剂的浓度；根据碱淬灭剂的浓度，确定单位体积的碱分子的平均分子数量，包括：根据公式＜n
Q
＞＝c
Q
×
NA
×
V，确定单位体积的碱分子的平均分子数量，其中，＜n
Q
＞为单位体积的碱分子的平均分子数量，c
Q
为碱淬灭剂的浓度。
[0009]可选地，根据光酸发生剂的平均分子数量，确定酸分子的平均分子数量，包括：根据公式＜n
H
＞＝＜n
p
＞
‑
e
‑
CIt
×
＜n
p
＞，确定酸分子的平均分子数量，其中，＜n
H
＞为酸分子的平均分子数量，＜n
p
＞为光酸发生剂的平均分子数量，C为光刻胶的迪尔参数，I为光刻胶进行曝光时的光强，t为光刻胶进行曝光时的曝光时间。
[0010]可选地，根据当前时刻保护基团的分子数量，确定下一时刻保护基团的分子数量，包括：根据公式确定下一时刻保护基团的分子数量，其中，n
′
M
为下一时刻保护基团的分子数量，n
M
为当前时刻保护基团的分子数量，k1为光刻胶进行烘烤时发生放大反应的反应速率系数，V为单位体积，n
H
为酸分子的初始数量，c(n
H
,n
M
)为酸分子和保护基团的噪声像。
[0011]可选地，根据当前时刻酸分子的数量，确定下一时刻酸分子的数量，包括：根据公式确定下一时刻酸分子的数量，其中，n
′
H
为下一时刻酸分子的数量，n
H
为当前时刻酸分子的数量，k2为酸分子与碱分子发生酸碱中和时的反应速率系数，V为单位体积，n
Q
为碱分子的初始数量，c(n
H
,n
M
)为酸分子与碱分子的噪声像，D
H
为光酸发生剂的扩散系数。
[0012]可选地，根据当前时刻碱分子的数量，确定下一时刻碱分子的数量，包括：根据公式确定下一时刻碱分子的数量，其中，n
′
Q
为下一时刻碱分子的数量，n
Q
为当前时刻碱分子的数量，k2为酸分子与碱分子发生酸碱中和时的反应速率系数，V为单位体积，n
H
为酸分子的初始数量，c(n
H
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种建模方法，其特征在于，包括：根据光酸发生剂的浓度和泊松生成器，确定酸分子的初始数量，根据碱淬灭剂的浓度和所述泊松生成器，确定碱分子的初始数量，根据聚合物树脂的浓度和所述泊松生成器，确定所述聚合物树脂中保护基团的初始数量，所述光酸发生剂、所述碱淬灭剂以及所述聚合物树脂构成光刻胶，所述酸分子为所述光酸发生剂在所述光刻胶曝光后转换得到的，所述泊松生成器用于根据输入的与所述酸发生剂的浓度相关的第一预定参数生成所述酸分子的初始数量、根据输入的与所述碱淬灭剂的浓度相关的第二预定参数生成所述碱分子的初始数量以及根据输入的与所述聚合物树脂的浓度相关的第三预定参数生成所述保护基团的初始数量；确定步骤，根据当前时刻所述保护基团的分子数量，确定下一时刻所述保护基团的分子数量，根据当前时刻所述酸分子的数量，确定下一时刻所述酸分子的数量，根据当前时刻所述碱分子的数量，确定下一时刻所述碱分子的数量，在第一次确定步骤中，所述当前时刻为光刻胶烘烤过程的开始时刻，所述当前时刻的保护基团的分子数量为所述保护基团的初始数量，所述当前时刻的所述酸分子的数量为所述酸分子的初始数量，所述当前时刻的所述碱分子的数量为所述碱分子的初始数量；重复所述确定步骤多次，直到当前次的下一时刻为所述光刻胶烘烤的结束时刻，其中，在每次重复的过程中，将上次的所述确定步骤中的下一时刻的所述保护基团的分子数量更新为当前次的当前时刻的保护基团的分子数量，将上次的所述确定步骤中的下一时刻的所述酸分子的数量更新为当前次的当前时刻的酸分子的数量，将上次的所述确定步骤中的下一时刻的所述碱分子的数量更新为当前次的当前时刻的碱分子的数量。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据光酸发生剂的浓度和泊松生成器，确定酸分子的初始数量，包括：根据所述光酸发生剂的浓度，确定单位体积的光酸发生剂的平均分子数量，根据所述光酸发生剂的平均分子数量，确定所述酸分子的平均分子数量，根据所述酸分子的平均分子数量以及所述泊松生成器，确定所述酸分子的初始数量，根据碱淬灭剂的浓度和所述泊松生成器，确定碱分子的初始数量，包括：根据所述碱淬灭剂的浓度，确定单位体积的所述碱分子的平均分子数量，根据所述碱分子的平均分子数量以及所述泊松生成器，确定所述碱分子的初始数量，根据保护基团的浓度和所述泊松生成器，确定所述保护基团的初始数量，包括：根据所述聚合物树脂的浓度，确定单位体积的所述保护基团的平均分子数量，根据所述保护基团的平均分子数量以及所述泊松生成器，确定所述保护基团的初始数量。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述聚合物树脂的浓度，确定单位体积的所述保护基团的平均分子数量，包括：根据公式＜n
M
＞＝c
M
×
NA
×
V，确定单位体积的所述保护基团的平均分子数量，其中，＜n
M
＞为所述单位体积的所述保护基团的平均分子数量，c
M
为所述聚合物树脂的浓度，NA为阿伏伽德罗常数，V为所述单位体积；根据所述光酸发生剂的浓度，确定单位体积的所述光酸发生剂的平均分子数量，包括：根据公式＜n
p
＞＝c
p
×
NA
×
V，确定单位体积的所述光酸发生剂的平均分子数量，其中，＜n
p
＞为所述单位体积的所述光酸发生剂的平均分子数量，c
p
为所述光酸发生剂的浓度；根
据所述碱淬灭剂的浓度，确定单位体积的所述碱分子的平均分子数量，包括：根据公式＜n
Q
＞＝c
Q
×
NA
×
V，确定单位体积的所述碱分子的平均分子数量，其中，＜n
Q
＞为所述单位体积的所述碱分子的平均分子数量，c
Q
为所述碱淬灭剂的浓度。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述光酸发生剂的平均分子数量，确定所述酸分子的平均分子数量，包括：根据公式＜n
H
＞＝＜n
p
＞
‑
e
‑
CIt
×
＜n
p
＞，确...

【专利技术属性】
技术研发人员：何广剑，韦亚一，范泰安，薛静，
申请(专利权)人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，
类型：发明
国别省市：