【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种用于套刻误差量测的采样优化方法、装置、电子设备和存储介质。
技术介绍
1、芯片是信息技术的基石，随着电子信息产业发展，人们对于芯片的需求越来越大。随着集成电路产业的不断发展，现阶段先进光刻工艺已实现了3nm的量产，同时对于套刻误差的控制精度要求也逐步提高。套刻误差是指光刻过程中当前层与前层之间的偏移量，一般要求控制在关键线宽的1/3以内。晶圆套刻误差量测时不同的采样方案也会对结果产生一定的影响，为了在有限的量测数量的情况下获得更好的套刻误差表征能力，对于采样方案的选择显得尤为重要。
2、目前的采样方案主要是：通过晶圆厂工艺人员随机选取曝光场的方法确定量测位置和数量。这种采样方案无法保证采样数量和位置是最佳的。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种用于套刻误差量测的采样优化方法、装置、电子设备和存储介质。
2、根据本专利技术的另一方面，提供了一种用于套刻误差量测的采样优化方法，包括：
3、获取预设的采样参数；其中，所述采...
【技术保护点】
1.一种用于套刻误差量测的采样优化方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定晶圆中不同曝光场之间的几何位置分布特征，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，基于所述几何位置分布特征和所述采样参数，利用集束搜索算法确定量测套刻误差时所要采样的目标曝光场，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，基于所述几何位置分布特征，获取待扩充曝光场采样方案，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，根据所述几何位置分布特征，结合预设的集束宽度，确定所述待扩充曝光场采样方案，包括：
6.根...
【技术特征摘要】
1.一种用于套刻误差量测的采样优化方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定晶圆中不同曝光场之间的几何位置分布特征，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，基于所述几何位置分布特征和所述采样参数，利用集束搜索算法确定量测套刻误差时所要采样的目标曝光场，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，基于所述几何位置分布特征，获取待扩充曝光场采样方案，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，根据所述几何位置分布特征，结合预设的集束宽度，确定所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：莫瀚霆，韦亚一，张利斌，仝怡，
申请(专利权)人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，
类型：发明
国别省市：
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